适于异质结MWT可焊接双面电池的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种适于异质结MWT可焊接双面电池的制备方法，在印刷绝缘胶前增加丝网双面印刷工艺，首先使用叠印方案印刷负极点，印刷一层薄的堵孔浆料，使打孔堵住，不能透光；然后使用低温银浆印刷背面电极，印在堵孔上面及背面电极长条栅线；再在堵孔电极引出焊盘位置印刷绝缘胶，使负极与正极绝缘，在200℃以下烘干，最后使正负极点连接，正负极通过绝缘胶相隔，得到正面回字形背面焊带设计MWT异质结组件。本发明专利技术利用异质结低温工艺，只需要丝网印刷增加一道印刷，同步印刷绝缘胶，同步烘干，可以减少工序，与异质结工艺完美结合。与异质结工艺完美结合。与异质结工艺完美结合。

【技术实现步骤摘要】
适于异质结MWT可焊接双面电池的制备方法


[0001]本专利技术涉及MWT电池组件领域，具体是一种适于异质结MWT可焊接双面电池的制备方法。

技术介绍

[0002]MWT电池与常规的晶体硅太阳电池是非常相似的。常规的H型电池只需要用涂锡铜带（焊带）和电池片主栅线焊接来串联相邻电池片，而MWT电池的正、负电极点都在背面，且不在一条直线上，无法用一根焊带直线互联，一个比较简单的方法是在相邻电池片之间增加一根汇流条。
[0003]其实从实际生产的角度，用传统的焊带焊接互联MWT电池并不十分合适，主要原因是MWT电池正负电极都在背面，单面焊接冷却后产生的应力会导致电池片弯曲弓片，容易破碎，而常规电池双面对称焊接造成的应力可以彼此抵消。此外连通负极的焊带还要考虑和电池片背铝的绝缘隔离问题。
[0004]现有技术存在问题：1、焊带均焊在背面会产生弯曲片，单面焊接冷却后产生的应力会导致电池片弯曲弓片，而异质结工艺采用的为低温工艺，降低弯曲片；2、工艺流程需要在丝网印刷结束后再印刷绝缘胶，目前绝缘胶都是低温烘干，perc工艺为高温工艺，烧结后在印刷绝缘胶烘干，此工艺流程需要增加一道工序和人力成本。

技术实现思路

[0005]本专利技术为了解决现有技术的问题，提供了一种适于异质结MWT可焊接双面电池的制备方法，利用异质结低温工艺，只需要丝网印刷增加一道印刷，同步印刷绝缘胶，同步烘干，可以减少工序，与异质结工艺完美结合。
[0006]本专利技术提供了一种适于异质结MWT可焊接双面电池的制备方法，在印刷绝缘胶前增加丝网双面印刷工艺，首先使用叠印方案印刷负极点，印刷一层薄的堵孔浆料，使打孔堵住，不能透光；然后使用低温银浆印刷背面电极，印在堵孔上面及背面电极长条栅线；再在堵孔电极引出焊盘位置印刷绝缘胶，使负极与正极绝缘，在200℃以下烘干；最后使正负极点连接，正负极通过绝缘胶相隔，得到正面回字形背面焊带设计MWT异质结组件。
[0007]进一步改进，所述的堵孔浆料为低温银浆材料。所述的堵孔电极引出焊盘位置印刷两次绝缘胶。绝缘里有气泡，目前无法避免，组件层压过程会有流动性，若气泡重叠容易进气抽真空不好导致组件层压NG，故此印刷2次保证气泡不重叠。所述的绝缘胶为聚酰亚胺，环氧树脂，有机硅体系中的一种或多种。
[0008]完整的制备方法包括依次进行的激光打孔、制绒、非晶硅镀膜、刻蚀绝缘环、激光绝缘、TCO沉积、丝网双面印刷、印刷绝缘胶、烘干、测试。
[0009]制备方法具体步骤如下：
1）使用激光将基底打孔；2）制绒和清洗：去除损伤层并生成绒面；3）非晶硅镀膜；4）刻蚀绝缘环使孔位置绝缘；5）激光绝缘：使用激光将背面孔洞四周开槽，开槽深度刚好去除背面的非晶硅层和TCO薄膜，开槽大小为直径2~10mm的圆圈。
[0010]6）镀正背面TCO薄膜，形成导电层；6.1）依序镀正面本征非晶硅（i
‑
α
‑
Si：H）起到正面钝化作用、镀正面P掺杂非晶硅（p
‑
α
‑
Si：H）形成内建电场6.2）依序镀背面本征非晶硅（i
‑
α
‑
Si：H）起到背面钝化作用、镀背面N掺杂非晶硅（p
‑
α
‑
Si：H）形成背电场。
[0011]7）使用叠印方案印刷负极点，印刷一层薄的堵孔浆料，使打孔堵住，不能透光。
[0012]8）使用低温银浆印刷背面电极，印在堵孔上面及背面电极长条栅线。
[0013]9）在堵孔电极引出焊盘位置印刷绝缘胶，使负极与正极绝缘。
[0014]10）在200℃以下烘干。
[0015]11）使正负极点连接，正负极通过绝缘胶相隔，得到正面回字形背面焊带设计MWT异质结组件。
[0016]本专利技术有益效果在于：可以在较低成本下，仅仅在印刷工序增加一道丝网双面印刷工艺，实现异质结双面与MWT完美的结合，既能利用MWT技术，MWT背面使用焊带方向，能降低异质结背面锡膏和铜箔的成本，提高电池的综合发电能力，从而达到平价上网。
附图说明
[0017]图1为印刷流程对比图。
[0018]图2为组件端正负极点连接方式。
具体实施方式
[0019]下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步说明。
[0020]现有的工艺流程如下：激光打孔、制绒、扩散、SE、去PSG、热氧、碱抛、退火、正背面氧化铝沉积镀膜、烧结、测试、印刷绝缘胶、烘干。本专利技术在其基础上进行了如下改动，如图1所示，包括依次进行的激光打孔、制绒、非晶硅镀膜、刻蚀绝缘环、激光绝缘、TCO沉积、丝网双面印刷、印刷绝缘胶、烘干、测试。
[0021]本专利技术提供了一种适于异质结MWT可焊接双面电池的制备方法，在印刷绝缘胶前增加丝网双面印刷工艺，首先使用叠印方案印刷负极点，印刷一层薄的堵孔浆料，使打孔堵住，不能透光；然后使用低温银浆印刷背面电极，印在堵孔上面及背面电极长条栅线；再在堵孔电极引出焊盘位置印刷绝缘胶，使负极与正极绝缘，在200℃以下烘干；最后使正负极点连接，正负极通过绝缘胶相隔，得到正面回字形背面焊带设计MWT异质结组件。
[0022]进一步改进，所述的堵孔浆料为低温银浆材料。所述的堵孔电极引出焊盘位置印刷两次绝缘胶。绝缘里有气泡，目前无法避免，组件层压过程会有流动性，若气泡重叠容易进气抽真空不好导致组件层压NG，故此印刷2次保证气泡不重叠。所述的绝缘胶为聚酰亚
胺，环氧树脂，有机硅体系中的一种或多种。
[0023]完整的制备方法包括依次进行的激光打孔、制绒、非晶硅镀膜、刻蚀绝缘环、激光绝缘、TCO沉积、丝网双面印刷、印刷绝缘胶、烘干、测试。
[0024]本专利技术的一种具体实施例如下：1）使用激光将基底打孔；2）制绒和清洗：去除损伤层并生成绒面；3）非晶硅镀膜；4）刻蚀绝缘环使孔位置绝缘；5）激光绝缘：使用激光将背面孔洞四周开槽，开槽深度刚好去除背面的非晶硅层和TCO薄膜，开槽大小为直径2~10mm的圆圈。
[0025]6）镀正背面TCO薄膜，形成导电层；6.1）依序镀正面本征非晶硅（i
‑
α
‑
Si：H）起到正面钝化作用、镀正面P掺杂非晶硅（p
‑
α
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Si：H）形成内建电场6.2）依序镀背面本征非晶硅（i
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α
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Si：H）起到背面钝化作用、镀背面N掺杂非晶硅（p
‑
α
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Si：H）形成背电场。
[0026]7）使用叠印方案印刷负极点，印刷一层薄的低温银浆浆料，使打孔堵住，不能透光。
[0027]8）使用低温银浆印刷背面电极，印在堵孔上面及背面电极长条栅线。
[0028]9）在堵孔电极引出焊盘位置印刷绝缘胶，使负极与正极绝缘，绝缘胶一般使用（聚酰亚胺，环氧树脂，有机硅体系），需印刷2次，绝缘里有气泡，目前无法避免，组件层压过程会本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适于异质结MWT可焊接双面电池的制备方法，其特征在于：在印刷绝缘胶前增加丝网双面印刷工艺，首先使用叠印方案印刷负极点，印刷一层薄的堵孔浆料，使打孔堵住，不能透光；然后使用低温银浆印刷背面电极，印在堵孔上面及背面电极长条栅线；再在堵孔电极引出焊盘位置印刷绝缘胶，使负极与正极绝缘，在200℃以下烘干；最后使正负极点连接，正负极通过绝缘胶相隔，得到正面回字形背面焊带设计MWT异质结组件。2.根据权利要求1所述的适于异质结MWT可焊接双面电池的制备方法，其特征在于：所述的堵孔浆料为低温银浆材料。3.根据权利要求1所述的适于异质结MWT可焊接双面电池的制备方法，其特征在于：所述的堵孔电极引出焊盘位置印刷两次绝缘胶。4.根据权利要求1或3所述的适于异质结MWT可焊接双面电池的制备方法，其特征在于：所述的绝缘胶为聚酰亚胺，环氧树脂，有机硅体系中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的适于异质结MWT可焊接双面电池的制备方法，其特征在于：完整的制备方法包括依次进行的激光打孔、制绒、非晶硅镀膜、刻蚀绝缘环、激光绝缘、TCO沉积、丝网双面印刷、印刷绝缘胶、烘干、测试。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，职森森，章明，徐建华，吴仕梁，路忠林，张凤鸣，
申请(专利权)人：南京日托光伏新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：