一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件技术

本申请公开了一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件，包括获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片；在位于正面的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；将硅片翻转180度，并在位于背面的非晶硅膜层的沿表面边缘覆盖掩膜；掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，包括端点值；在覆盖有掩膜的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；在位于正面和所述背面的TCO膜层的表面制作电极，得到异质结太阳能电池。本申请先在位于正面的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层，然后翻转硅片，在位于背面的非晶硅膜层的表面覆盖掩膜，掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，掩膜遮挡宽度变窄，增加背面TCO膜层的面积，提升电池的效率。电池的效率。电池的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件


[0001]本申请涉及光伏
，特别是涉及一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件。

技术介绍

[0002]异质结太阳能电池具有双面对称结构和非晶硅层优秀的钝化效果，同时具有转换效率高、双面率高等特点，成为行业研究的热点。
[0003]异质结太阳能电池的正面和背面均有TCO(transparent conductive oxide，透明导电氧化物)膜层，目前在制备TCO膜层时采用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)方式进行沉积，将硅片放在镂空载板的凹坑里，镂空载板置于PVD设备中，PVD设备一次性进行正面和背面的TCO镀膜。由于硅片放置在载板的凹坑里，硅片背面四边边缘均有0.6mm左右的遮挡而没有TCO膜层，按照计算，约有1.4％的非晶硅膜层没有TCO膜层覆盖，导致此处产生的光生载流子无法有效导出，理论计算的效率损失在0.34％左右。
[0004]因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。
>
技术实现思路
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片；在位于所述正面的所述非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；将所述硅片翻转180度，并在位于所述背面的所述非晶硅膜层的表面沿边缘覆盖掩膜；其中，所述掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，包括端点值；在覆盖有所述掩膜的所述非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；分别在位于所述正面和所述背面的TCO膜层的表面制作电极，得到异质结太阳能电池。2.如权利要求1所述的异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，在所述获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片之前，还包括：获得所述硅片；在所述硅片的所述正面和所述背面分别沉积本征非晶硅膜层；在位于所述正面的所述非晶硅膜层的表面沉积p型非晶硅膜层；在位于所述背面的所述非晶硅膜层的表面沉积n型非晶硅膜层。3.如权利要求2所述的异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，在所述获得所述硅片之后，还包括：对所述硅片进行双面制绒处理。4.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱洪强，张树德，符欣，连维飞，
申请(专利权)人：苏州腾晖光伏技术有限公司，
类型：发明
国别省市：