一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件技术

本申请公开了一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件，包括获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片；在位于正面的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；将硅片翻转180度，并在位于背面的非晶硅膜层的沿表面边缘覆盖掩膜；掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，包括端点值；在覆盖有掩膜的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；在位于正面和所述背面的TCO膜层的表面制作电极，得到异质结太阳能电池。本申请先在位于正面的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层，然后翻转硅片，在位于背面的非晶硅膜层的表面覆盖掩膜，掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，掩膜遮挡宽度变窄，增加背面TCO膜层的面积，提升电池的效率。电池的效率。电池的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件


[0001]本申请涉及光伏
，特别是涉及一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件。

技术介绍

[0002]异质结太阳能电池具有双面对称结构和非晶硅层优秀的钝化效果，同时具有转换效率高、双面率高等特点，成为行业研究的热点。
[0003]异质结太阳能电池的正面和背面均有TCO(transparent conductive oxide，透明导电氧化物)膜层，目前在制备TCO膜层时采用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)方式进行沉积，将硅片放在镂空载板的凹坑里，镂空载板置于PVD设备中，PVD设备一次性进行正面和背面的TCO镀膜。由于硅片放置在载板的凹坑里，硅片背面四边边缘均有0.6mm左右的遮挡而没有TCO膜层，按照计算，约有1.4％的非晶硅膜层没有TCO膜层覆盖，导致此处产生的光生载流子无法有效导出，理论计算的效率损失在0.34％左右。
[0004]因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

技术实现思路

[0005]本申请的目的是提供一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件，以提升异质结太阳能电池的效率。
[0006]为解决上述技术问题，本申请提供一种异质结太阳能电池制作方法，包括：
[0007]获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片；
[0008]在位于所述正面的所述非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；
[0009]将所述硅片翻转180度，并在位于所述背面的所述非晶硅膜层的表面沿边缘覆盖掩膜；其中，所述掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，包括端点值；
[0010]在覆盖有所述掩膜的所述非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；
[0011]分别在位于所述正面和所述背面的TCO膜层的表面制作电极，得到异质结太阳能电池。
[0012]可选的，在所述获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片之前，还包括：
[0013]获得所述硅片；
[0014]在所述硅片的所述正面和所述背面分别沉积本征非晶硅膜层；
[0015]在位于所述正面的所述非晶硅膜层的表面沉积p型非晶硅膜层；
[0016]在位于所述背面的所述非晶硅膜层的表面沉积n型非晶硅膜层。
[0017]可选的，在所述获得所述硅片之后，还包括：
[0018]对所述硅片进行双面制绒处理。
[0019]可选的，在所述分别在位于所述正面和所述背面的TCO膜层的表面制作电极之后，还包括：
[0020]进行EL测试和IV曲线测试，筛选出不合格的异质结太阳能电池。
[0021]本申请还提供一种异质结太阳能电池，所述异质结太阳能电池采用上述任一种所述的异质结太阳能电池制作方法制得。
[0022]本申请还提供一种异质结光伏组件，包括由下至上依次层叠的第一基板、第一胶膜层、电池层、第二胶膜层、第二基板，其中，所述电池层包括多片上述所述的异质结太阳能电池。
[0023]可选的，所述第一胶膜层和所述第二胶膜层均为EVA胶膜层。
[0024]可选的，所述第一胶膜层为抗隐裂胶膜层。
[0025]可选的，所述第一基板为玻璃基板。
[0026]可选的，所述第二基板的侧面为向所述电池层倾斜的斜面。
[0027]本申请所提供的一种异质结太阳能电池制作方法，包括：获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片；在位于所述正面的所述非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；将所述硅片翻转180度，并在位于所述背面的所述非晶硅膜层的表面沿边缘覆盖掩膜；其中，所述掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，包括端点值；在覆盖有所述掩膜的所述非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；分别在位于所述正面和所述背面的TCO膜层的表面制作电极，得到异质结太阳能电池。
[0028]可见，本申请中的异质结太阳能电池制作方法在得到正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片后，先在位于正面的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层，然后翻转硅片使得硅片的背面朝上，在位于背面的非晶硅膜层的表面沿边缘覆盖掩膜，并在背面的非晶硅膜层表面沉积TCO膜层，最后制备电极，掩膜的遮挡实现正面和背面TCO膜层的电学隔离，同时使得异质结太阳能电池的对称性和外观都比较好，并且，掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，背面非晶硅膜层的遮挡宽度变窄，增加位于背面的TCO膜层的面积，从而提升异质结太阳能电池的效率。
[0029]此外，本申请还提供一种具有上述优点的异质结太阳能电池制作方法和异质结光伏组件。
附图说明
[0030]为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1为本申请实施例所提供的一种异质结太阳能电池制作方法的流程图；
[0032]图2为本申请实施例中覆盖掩膜后的俯视图；
[0033]图3为本申请实施例所提供的另一种异质结太阳能电池制作方法的流程图；
[0034]图4为本申请所提供的一种异质结太阳能电池的结构示意图；
[0035]图5为本申请所提供的一种异质结光伏组件的结构示意图。
具体实施方式
[0036]为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是
全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0037]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0038]正如
技术介绍
部分所述，目前在制备TCO膜层时采用物理气相沉积方式进行沉积，将硅片放在镂空载板的凹坑里，镂空载板置于PVD设备中，PVD设备一次性进行正面和背面的TCO镀膜。由于硅片放置在载板的凹坑里，硅片背面四边边缘均有0.6mm左右的遮挡而没有TCO膜层，按照计算，约有1.4％的非晶硅膜层没有TCO膜层覆盖，导致此处产生的光生载流子无法有效导出，理论计算的效率损失在0.34％左右。
[0039]TCO膜层主要包括In、Sb、Zn和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料。
[0040]有鉴于此，本申请提供了一种异质结太阳能电池制作方法，请参考图1，图1为本申请实施例所提供的一种异质结太阳能电池制作方法的流程图，该方法包括：
[0041]步骤S101：获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片。
[0042]需要说明的是，硅片的正面为迎光面，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片；在位于所述正面的所述非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；将所述硅片翻转180度，并在位于所述背面的所述非晶硅膜层的表面沿边缘覆盖掩膜；其中，所述掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，包括端点值；在覆盖有所述掩膜的所述非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；分别在位于所述正面和所述背面的TCO膜层的表面制作电极，得到异质结太阳能电池。2.如权利要求1所述的异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，在所述获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片之前，还包括：获得所述硅片；在所述硅片的所述正面和所述背面分别沉积本征非晶硅膜层；在位于所述正面的所述非晶硅膜层的表面沉积p型非晶硅膜层；在位于所述背面的所述非晶硅膜层的表面沉积n型非晶硅膜层。3.如权利要求2所述的异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，在所述获得所述硅片之后，还包括：对所述硅片进行双面制绒处理。4.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱洪强，张树德，符欣，连维飞，
申请(专利权)人：苏州腾晖光伏技术有限公司，
类型：发明
国别省市：