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本申请公开了一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件，包括获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片；在位于正面的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；将硅片翻转180度，并在位于背面的非晶硅膜层的沿表面边缘覆盖掩膜；掩膜的宽度在0.05mm...
该专利属于苏州腾晖光伏技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州腾晖光伏技术有限公司授权不得商用。

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