【技术实现步骤摘要】
异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件
[0001]本申请涉及光伏电池制备
,尤其涉及异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件。
技术介绍
[0002]随着光伏行业的飞速发展,对于新型产品的需求不断增加,为了适应光伏市场多元化发展,在市场需求的功率和电压不能兼顾的时候,须对太阳能电池片进行切割形成半片电池。半片电池技术一般都是采用激光切割法,沿着垂直于电池主栅线的方向将标准规格电池片切成相同的两个半电池片,再进行焊接串联、并联构成组件。
[0003]异质结电池(HeteroJunction with intrinsic Thinfilm,简称HJT)在激光切割过程中,会在电池片的切割边缘形成激光损伤区和机械断裂区,导致电池片中硅原子无法保持原本的有序排列状态,形成悬挂键,降低电池效率,使得半片电池组件的外部输出功率有所折损;在激光切割裂片后,产生的透明导电氧化物膜层(Transparent Conductive Oxide,简称TCO,以下中文简称透明导电膜层)碎屑会使背面透明导电膜层与正 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种异质结电池处理方法,其特征在于,包括以下步骤:对所述异质结电池进行切割,得到切片异质结电池;对所述切片异质结电池的切割面进行等离子刻蚀处理;对等离子刻蚀处理后的所述切片异质结电池进行氧化处理,使得所述切片异质结电池的切割面形成氧化硅薄膜。2.根据权利要求1所述的异质结电池处理方法,其特征在于,所述等离子刻蚀处理的刻蚀气体包括四氟化碳气体、六氟化硫或氯气中的至少一种,以及氧气。3.根据权利要求2所述的异质结电池处理方法,其特征在于,所述等离子刻蚀处理的条件为:四氟化碳气体、六氟化硫或氯气的流量范围为100sccm
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200sccm,氧气的流量范围为50sccm
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100sccm;优选的是,四氟化碳气体、六氟化硫或氯气的流量为150sccm,氧气的流量为100sccm。4.根据权利要求2所述的异质结电池处理方法,其特征在于,所述等离子刻蚀处理还包括不活泼气体,所述不活泼气体为氮气、氦气、氩气、氖气中的至少其中一种。5.根据权利要求4所述的异质结电池处理方法,其特征在于,所述不活泼气体的流量范围为200sccm
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400sccm;优选的是,所述不活泼气体的流量为400sccm。6.根据权利要求1
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5任一项所述的异质结电池处理方法,其特征在于,所述等离子刻蚀处理的条件为:辉光功率范围为500W
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1000W,压力范围为100Pa
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200Pa;优选的是,所述等离子刻蚀处理的条件为:辉光功率为800W,压力为200Pa...
【专利技术属性】
技术研发人员:周肃,魏文文,符欣,龚道仁,王文静,徐晓华,李晨,程尚之,姚真真,
申请(专利权)人:安徽华晟新能源科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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