太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种太阳能电池及其制作方法，其中该太阳能电池制作方法采用在第一本征非晶硅层的表面形成第一掺杂型非晶硅层后，对其进行退火；和/或，在第二本征非晶硅层的表面形成第二掺杂型非晶硅层后，对其进行退火，从而在第一掺杂型非晶硅层和/或第二掺杂型非晶硅层形成微晶或多晶结构，能够有效的将氢原子稳定于本征非晶硅层，进而提高电池效率；另一方面，在形成掺杂型非晶硅层后直接对其进行退火，退火的条件更好把控。退火的条件更好把控。退火的条件更好把控。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制作方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池领域，特别涉及一种太阳能电池及其制作方法。

技术介绍

[0002]在传统太阳能电池中，其正面的本征非晶硅层和掺杂型非晶硅层为高寄生吸收层，对太能电池中的电流影响高达2
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3mA/cm2,以硅电池电流密度38mA/cm2而言,因本征非晶硅层和掺杂型非晶硅层寄生吸收所导致的电池效率损失为相对效率的8％,绝对值效率的2％,如何降低寄生电流的吸收,一直是太阳能电池的痛点,更换不同的非晶材料层来降低寄生吸收,一直是重要话题。而通过改进太阳能电池的制备工艺，降低寄生吸收，从而提高太阳能电池效率，是一个新的研究方向。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提出一种太阳能电池制作方法，旨在解决目前在制作太阳能电池时对其高温退火后，使本征非晶硅层的氢原子散逸后失去钝化能力，而导致太阳能电池效率降低的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出的太阳能电池制作方法，包括：
[0005]提供单晶硅片；
[0006]在所述单晶硅片的正面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池制作方法，包括：提供单晶硅片；在所述单晶硅片的正面形成第一本征非晶硅层；在所述第一本征非晶硅层的表面形成第一掺杂型非晶硅层；在所述单晶硅片的反面形成第二本征非晶硅层；在所述第二本征非晶硅层的表面形成第二掺杂型非晶硅层；在所述第一掺杂型非晶硅层和所述第二掺杂型非晶硅层的表面分别形成透光导电膜；在两所述透光导电膜的表面进行丝网印刷形成电极；其特征在于，在所述第一本征非晶硅层的表面形成第一掺杂型非晶硅层后，对所述第一掺杂型非晶硅层进行退火，以在所述第一掺杂型非晶硅层形成微晶或多晶结构；和/或，在所述第二本征非晶硅层的表面形成第二掺杂型非晶硅层后，对所述第二掺杂型非晶硅层进行退火，以在所述第二掺杂型非晶硅层形成微晶或多晶结构。2.如权利要求1所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，对所述第一掺杂型非晶硅层或第二掺杂型非晶硅层进行退火时采用激光镭射退火，采用的镭射激光的波长在300nm至1200nm之间，照射时间在1纳秒至1分钟之间。3.如权利要求2所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，采用激光镭射退火时，对所述第一掺杂型非晶硅层或第二掺杂型非晶硅层进行至少一次镭射激光照射...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业有限合伙，
类型：发明
国别省市：