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本发明公开了一种降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法，涉及太阳能电池制造技术领域，包具体为：将硅片采用碱性溶液进行各向异性腐蚀，在硅片正背面形成对称的金字塔结构绒面，得到结构化硅片；在上述结构化硅片的正面和背面进行沉积，形成非晶硅薄膜层；在...
该专利属于晋能清洁能源科技股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过晋能清洁能源科技股份公司授权不得商用。

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