用于低噪声下变频器的多层基片制造技术

一种用于低噪声下变频器的本发明专利技术的多层基片１０包括输送沿波导管２１承载的电波信号的天线图案１５，和堆叠在天线图案１５上其间具有电介质层３１－３３的三个接地导电层１６－１８。在三个接地导电层１６－１８中的至少一个接地导电层１８中，在比天线图案１５更靠近波导管２１的至少部分区域３０中没有导体４０。这提供了用于低噪声下变频器的多层基片，其中可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
本专利技术涉及用于卫星广播、卫星通信等等的低噪声下变频器(以下称作LNB)，或其中结合的LNB基片单元。
技术介绍
描述LNB是对具有多个信道的所接收的宽带信号进行低噪声放大同时将它们分批转换的较低频带的装置。目前，为了处理诸如多信道卫星广播业务中增加的多样性，一个LNB接收多个微波或一个LNB通过多个信号输入端连接到调谐器。这种LNB具有较复杂的电路结构，造成在一个双面基片(双层基片)上构建电路的困难。因此，在常规LNB中，信号和电源线通过接合针等系在一起，使得可以使用超过一个双面基片。但是，使用超过一个双面基片导致具有信号和电源线由接合针系住的结构，导致较大、较重的LNB和更加复杂的制造过程。对此的一种解决方法是用多层基片构建LNB。通过堆叠双层基片并用作为电介质层的粘合剂将它们结合来制成多层基片。参考图31，LNB四层基片100置于机壳111上。LNB四层基片100由波导管孔113、探针114、天线图案115、第一到第三接地导电层116-118和电介质层131-133构成。机壳111连接到波导管121，而与波导管121通信的波导管孔113形成于LNB四层基片100中。探针114从LNB四层基片100突出并位于波导管孔113中。在LNB四层基片100中，最上的导电层形成天线图案115。在从上向下数时，第一到第三接地导电层116-118分别由第二、第三和最下导电层形成。绝缘层131-133设置在天线图案115和第一到第三接地导电层116-118之间，并由它们夹住。第一到第三接地导电层116-118通过连接通路(hole)(未示出)彼此电连接。因此，第一到第三接地导电层116-118处于和地电位的机壳111相同的电位。第一到第三接地导电层116-118所设置的级整体或部分地由导体构成。在具有以上结构的常规LNB四层基片100中，沿波导管121承载的电波信号被引入波导管孔113，通过探针114发射而被输入天线图案15。但是，在常规LNB多层基片中，位于其中的个接地导电层与使基片稳固的外壳(housing)电分开。这趋于在波通过期间特别是在以高频工作时影响波能量的损耗。当采用多层基片代替双面基片时，通过属性中的这种劣化会产生问题。特别是，在LNB四层基片100中，第一接地导电层116通过第二和第三接地导电层117、118电连接到机壳111(地电位)。因此，第一接地导电层116与第二和第三接地导电层117、118电相互作用，因此不易于保持在地电位。同样，第二接地导电层117不易于保持在地电位。这导致电波信号的通过属性中劣化的问题。专利技术概述本专利技术的目的在于提供LNB多层基片，其中可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。根据本专利技术的用于低噪声下变频器的多层基片包括输送沿波导管承载的波信号的天线图案，和堆叠在天线图案上的两个或多个接地导电层，其中电介质层位于其间。在两个或多个接地导电层中的至少一个中，在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中没有导体。本专利技术人发现一现象，即由于两个或多个接地导电层之间的电相互作用在靠近两个或多个接地导电层中波导管的区域中特别显著，所以两个或多个导电层中的每一个都不能保持在地电位。结果，在至少两个或多个接地导电层中的至少一个中在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中没有导体，由此抑制两个或多个接地导电层之间的电相互作用。结果，两个或多个接地导电层中的每一个保持在地电位，由此抑制了电波信号的通过属性中的劣化。较佳地，在根据本专利技术用于低噪声下变频器的多层基片中，在两个或多个接地导电层中的至少一个中且在天线图案正下方的区域中没有导体。本专利技术人发现一现象，即由于两个或多个接地导电层之间的电相互作用在天线图案正下方的区域中特别显著，因此两个或多个接地导电层中的每一个都不能保持在地电位。结果，在天线图案正下方的区域中两个或多个接地导电层中至少一个中没有导体还抑制了两个或多个接地导电层之间的电相互作用。结果，两个或多个接地导电层中的每一个都可以保持在地电位，由此抑制电波信号的通过属性中的劣化。较佳地，根据本专利技术用于低噪声下变频器的多层基片包括三个接地导电层，其中与从上起设置的第一和第二接地导电层中的至少一个处于相同的水平，电介质层设置在比天线图案更靠近波导管的区域中。此外，在从上起的第三接地导电层中，凹口(notch)设置在天线图案正下方的区域中。因此，在从上起的第一和第二接地导电层中的至少一个中，在比天线图案更靠近波导管的区域中没有导体。此外，在从上起的第三接地导电层中，在天线图案正下方的区域中没有导体。这可以进一步抑制三个接地导电层之间的电相互作用。结果，三个接地导电层中的每一个都可以保持在地电位，由此抑制电波信号的通过属性中的劣化。较佳地，根据本专利技术用于低噪声下变频器的多层基片包括三个接地导电层，其中绝缘层设置在从上起设置第一和第二接地导电层的相同水平中比天线图案更靠近波导管的区域中。因此，在从上起的第一和第二接地导电层中在比天线图案更靠近波导管的区域中没有导电层进一步抑制了三个接地导电层之间的电相互作用。结果，三个接地导电层中的每一个都可以保持在地电位，由此抑制电波信号的通过属性中的劣化。较佳地，在根据本专利技术用于低噪声下变频器的多层基片中，设置波导管孔，它穿过两个或多个接地导电层和电介质层。此外，导电层还设置于设置两个或更多接地导电层的所有水平中的波导管孔周围。这样，即使在设置两个或多个接地导电层的相同水平内存在没有导电层的区域时，导电层设置在一位置，其中在设置两个或多个接地导电层的每个相同水平中用围绕波导管孔的机壳确保充分接触。这可以抑制两个或多个接地导电层之间的电相互作用，同时保持波导管孔周围的地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。较佳地，根据本专利技术用于低噪声下变频器的多层基片包括三个接地导电层，其中在从上起的第三接地导电层中，一凹口设置在天线图案正下方的区域中。因此，在从上起的第三个接地导电层中，在天线图案正下方的区域中没有导体，从而可以抑制三个接地导电层之间的电相互作用并可以在波导管孔的周围保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。较佳地，根据本专利技术用于低噪声下变频器的多层基片包括三个接地导电层，其中，它们位于从上起设置第一或第二接地导电层的相同水平中，电介质层设置于比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中。因此，在从上起的第一或第二接地导电层中，在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中没有导体，由此进一步抑制三个接地导电层之间的电相互作用。同时，在波导管孔的周围可以保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。较佳地，在根据本专利技术用于低噪声下变频器的多层基片中，在两个或多个接地导电层中的至少两个中，在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中没有导体。因此，在两个或多个接地导电层中的至少两个中，在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中没有导体，由此进一步抑制两个或多个接地导电层之间的电相互作用。同时，波导管孔周围可以保持地电位。结果，两个或多个接地导电层中的每一个可以保持在地电位，由此抑制电波信号的通过属性中的劣化。较佳地，本专利技术的用于低噪声下变频器的多层基片包括三个接地导电层，其中它们位于从上起设置第一接地导电层的相同水平，电介质层设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于低噪声下变频器的多层基片，其特征在于，包括：天线图案，输送沿波导管承载的电波信号，至少两个接地导电层，堆叠在所述天线图案上，其间具有电介质层，其中，在所述至少两个接地导电层中的至少一个层中比所述天线图案更靠近 所述波导管的至少部分区域中没有导体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：土畑宏介，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]