电子及光学装置及形成这些装置的方法制造方法及图纸

技术编号:3265608 阅读:216 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了具有可变或可切换特性的电子及光学装置及形成这些装置的方法。更具体地说,本发明专利技术涉及形成导电率及折射率会变化的导电材料与介电材料层以构成各种电子及光学装置。可调节材料的层通过将外延的或晶粒边界减少的钛酸钡锶沉积在蓝宝石C-面上来形成。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有可变或可切换特性的电子和光学(或光子学)装置以及形成这些装置的方法。更具体地说,本专利技术涉及形成导电率和折射率会变化的导电材料和介电材料层来形成各种电子和光学装置。
技术介绍
薄膜(在某些情况是厚膜)对构成很多不同电子及光学装置都十分有用。电容器(以及其它装置,例如移相器)是通过沉积介电材料及导电材料层所构成的,导电层构成电容器的电极。在光学装置中,毗邻折射率较低的材料膜沉积折射率较高的材料膜以形成波导、滤波器、透镜及其它装置。有很多材料都适合用来成形介电材料以及具有高折射率的材料。同样地,在电子、RF及光学的领域中,电气活性材料的使用愈来愈普遍。电气活性材料是其特定参数能通过施加通过材料的电场来改变的那些材料。这些参数可能是光学方面,例如材料的折射率(光电(E-O)材料),或是电气方面,例如介电常数(铁(或顺)电材料)。这两类参数是相关的,一些材料例如同时是铁电也是光电材料。在施加DC或缓慢变化的电场下材料的电容率(介电常教-DK)会改变的介电类材料,如果材料是设计在材料的居里温度(或居里点)以下操作,通常称其为“铁电”(f-e),如果该材料是设计在它的居里点本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于耦合或修改信号的可变电子装置,所述装置包括:可变介电材料部分;以及至少一个偏压电极,用以施加电场给所述可变介电材料部分来改变可变介电材料部分的介电常数;其中所述偏压电极薄得足以呈现出对于信号的阻抗高于所述可变 介电材料部分,且导电性足以施加电场。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:AT杭特MG艾伦D奇士林RE史瓦瑟蒋永东FA葛兰登J维格曼赵志勇MS文森JE麦肯汰尔S弗兰根T波利JS肯尼
申请(专利权)人:微涂技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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