半导体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种半导体处理装置，其包括：第一腔室部；第二腔室部。第一腔室部具有第一槽道，第二腔室部具有第二槽道，在第二腔室部相对于第一腔室部位于关闭位置且微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一槽道和第二槽道连通并在晶圆边缘处共同形成边缘微处理空间，容纳于微腔室内的半导体晶圆的外缘伸入边缘微处理空间。第一腔室部上具有位于第一槽道外侧的密封接合部，第二腔室部上具有与密封接合部对应的接合凹槽借助边缘微处理空间，本发明专利技术能够实现对半导体晶圆的外缘的处理。实现对半导体晶圆的外缘的处理。实现对半导体晶圆的外缘的处理。

【技术实现步骤摘要】
半导体处理装置


[0001]本专利技术涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别涉及半导体处理装置。

技术介绍

[0002]半导体晶圆的精准边缘腐蚀工艺是一个挑战的工艺。它要求在实现晶圆边缘微米级的精准腐蚀的同时不损伤或污染保留部分的薄膜。在外延片制程中和先进集成电路制程中，晶圆边缘腐蚀工艺是确保薄膜形成质量，提升芯片良率的重要步骤。
[0003]请参考图1a至图1d，其中：图1a示出了一种半导体晶圆400的结构示意图，图1b为图1a的E
‑
E剖视图；图1c为外缘处理前半导体晶圆的外缘的部分剖视图；图1d为外缘处理后半导体晶圆的外缘部分的剖视图。如图1a至图1d所示，半导体晶圆400包括基材层401及形成在基材层401的第一边缘表面和第二边缘表面的薄膜层402。经过针对半导体晶圆400的外缘部分的第一边缘表面404、第二晶圆表面406和外端斜边408选择性腐蚀处理后，所述半导体晶圆400的外缘部分的薄膜层402被去除，基材层401的第一边缘表面和第二边缘表面得以暴露。
[0004]现有的晶圆边腐蚀设备可分为干法和湿法两大类。干法主要分等离子体法和抛光法。等离子体边缘腐蚀法的设备成本高，方法也比较复杂，主要应用于集成电路芯片制程。抛光法是通过旋转晶圆，利用物理摩擦和化学气液结合，去除接触到的薄膜。抛光法设备成本较低，但容易发生保留膜部分被损伤和被污染情况，主要应用于200毫米以下晶圆制造制程。湿法主要有贴膜法和真空吸附法。贴膜法采用纯净防腐的PTFE、PE等塑料薄膜保护需要保留的薄膜的部分，然后整体暴露化学腐蚀气体环境中或浸泡化学腐蚀液里，腐蚀掉暴露的部分。贴膜法工艺步骤多，需要使用多种设备完成，其中包括贴膜、湿法腐蚀、清洗及去膜等设备。真空吸附法使用真空吸头吸住晶圆，真空吸头的功能是吸住晶圆把需要保留的薄膜的部分保护在真空吸头里，把需要去除的薄膜部分暴露在真空吸头外，然后将真空吸头和晶圆一起浸泡在化学腐蚀液里，腐蚀掉暴露在真空吸头外的膜部分。真空吸附法工艺步骤简单，设备成本较低，但容易发生保留膜部分被损伤和被污染情况，主要应用于200毫米以下晶圆制造制程。
[0005]鉴于此，有必要提出一种对半导体晶圆的边缘进行选择性的处理的半导体处理装置。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种半导体处理装置，其能够实现针对半导体晶圆的边缘的选择性处理。
[0007]为实现上述目的，根据本专利技术的第一个方面，本专利技术提供一种半导体处理装置，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于
所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；第一腔室部具有在该第一腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第一槽道，第二腔室部具有在该第二腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第二槽道，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一槽道和第二槽道连通并共同形成边缘微处理空间，所述微腔室内的半导体晶圆的需要处理的边缘部分伸入所述边缘微处理空间，该边缘微处理空间内有至少2个以上边缘处理通孔与外部相通，流体通过所述边缘处理通孔进入或流出所述边缘微处理空间，第一腔室部上具有位于第一槽道外侧的密封接合部，第二腔室部上具有与密封接合部对应的接合凹槽。
[0008]与现有技术相比，本专利技术借助于待处理半导体晶圆的阻挡在微腔室的边缘形成了封闭的边缘微处理空间，处理流体在所述边缘微处理空间内流动的同时实现对所述半导体晶圆伸入边缘微处理空间的外缘部分的处理。此外，通过密封接合部和接合凹槽的配合，不仅可以实现边缘微处理空间的密封，还可以进一步的减少外缘微处理空间的体积。
[0009]优选的实施例中，密封接合部的内边缘表面的末端部分与所述接合凹槽的槽壁的密封面垂直于半导体晶圆的延伸方向，这样的设置可以使得第一腔室部的位于所述第一槽道的内侧的壁部表面与在所述待处理半导体晶圆的第一边缘表面抵靠的更紧密，第二腔室部的位于所述第二槽道的内侧的壁部表面与所述待处理半导体晶圆的第二边缘表面抵靠的更紧密，避免腐蚀液向内渗透。
【附图说明】
[0010]结合参考附图及接下来的详细描述，本专利技术将更容易理解，其中同样的附图标记对应同样的结构部件，其中：
[0011]图1a为一种半导体晶圆的结构示意图；
[0012]图1b为图1a的E
‑
E剖视图；
[0013]图1c为外缘处理前半导体晶圆的外缘部分的剖视图；
[0014]图1d为外缘处理后半导体晶圆的外缘部分的剖视图；
[0015]图2a为本专利技术中的半导体处理装置在第一实施例中的剖视示意图；
[0016]图2b为图2a中的圈A的放大示意图；
[0017]图3a为图2a中的半导体处理装置的第一腔室部的仰视图；
[0018]图3b为图2a中的半导体处理装置的第二腔室部的俯视图；
[0019]图4为本专利技术中的半导体处理装置在第二实施例中的剖视示意图；
[0020]图5为图4中的圈B的放大示意图；
[0021]图6a为图4中的半导体处理装置的第一腔室部的仰视图；
[0022]图6b为图4中的半导体处理装置的第二腔室部的俯视图。
【具体实施方式】
[0023]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0024]此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指与所述实施例相关的特定特征、结构或特性至少可包含于本专利技术至少一个实现方式中。在本说明书中不同地方出现的“在一个实
施例中”并非必须都指同一个实施例，也不必须是与其他实施例互相排斥的单独或选择实施例。本专利技术中的“多个”、“若干”表示两个或两个以上。本专利技术中的“和/或”表示“和”或者“或”。
[0025]第一实施例：
[0026]请参考图2a至图3b，其示出了本专利技术的第一实施例提供的半导体处理装置100的结构示意图，其中：图2a为本专利技术中的半导体处理装置在第一实施例中的剖视示意图；图2b为图2a中的圈A的放大示意图；图3a为图2a中的半导体处理装置的第一腔室部的仰视图；图3b为图2a中的半导体处理装置的第二腔室部的俯视图。
[0027]请参考图2a至图3b，所述半导体处理装置100包括第一腔室部110和第二腔室部120。所述第一腔室部110包括第一腔室板119和自第一腔室板119的周边延伸而成的凸缘118。所述第二腔室部120包括第二腔室板129和在所述第二腔室板129的周边延伸而成的凸缘128。
[0028]所述第一腔室部110可相对于第二腔室部120在打开位置和关闭位置之间移动。需要注意的是，第一腔室部110和第二腔室部120的运动是相对的，可以固定第一腔室本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；第一腔室部具有第一槽道，第二腔室部具有第二槽道，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一槽道和第二槽道连通并与半导体晶圆的边缘共同形成边缘微处理空间，容纳于所述微腔室内的半导体晶圆的外缘伸入所述边缘微处理空间，该边缘微处理空间通过边缘处理通孔与外部相通，流体通过所述边缘处理通孔进入或流出所述边缘微处理空间，第一腔室部上具有位于第一槽道外侧的密封接合部，第二腔室部上具有与密封接合部对应的接合凹槽。2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体晶圆的外缘的第一边缘表面、第二边缘表面和外端斜边面暴露于所述边缘微处理空间，所述边缘处理通孔中的一个或多个作为流体入口，所述边缘处理通孔中的一个或多个作为流体出口，所述边缘微处理空间为环形或弧形，所述半导体晶圆的外缘伸入所述边缘微处理空间，所述边缘微处理空间为封闭空间，通过边缘处理通孔与外部相通；所述第一槽道的内侧壁部顶面抵靠在靠近所述第一腔室部的所述半导体晶圆的第一边缘表面上，所述第二槽道的内侧壁部顶面抵靠在靠近所述第二腔室部的所述半导体晶圆的第二边缘表面上。3.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述第一腔室部还具有形成于所述第一腔室部面向所述微腔室的内壁表面的第一凹陷部，所述第一凹陷部位于所述第一槽道的内侧，所述第二腔室部还具有形成于所述第二腔室部面向所述微腔室的内壁表面的第二凹陷部，所述第二凹陷部位于所述第二槽道的内侧，在所述第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述半导体晶圆容纳于所述微腔室内时，所述半导体晶圆的第二边缘表面的部分区域遮盖住所述第二凹陷部的顶部以形成第二内侧微空间，所述半导体晶圆的第一边缘表面的部分区域遮盖住所述第一凹陷部的顶部以形成第一内侧微空间，第一内侧微空间和第二内侧微处理空间位于所述边缘微处理空间的内侧，第一腔室部具有与第一凹陷部连通的第一内侧面处理通孔，第二腔室部具有与第二凹陷部连通的第二内侧面处理通孔。4.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，第一凹陷部和第二凹陷部为环形或...

【专利技术属性】
技术研发人员：温子瑛，
申请(专利权)人：无锡华瑛微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：