【技术实现步骤摘要】
电极布置、用于电极布置的接触组件、带电粒子束装置和减小电极布置中的电场强度的方法
[0001]本文描述的实施例涉及用于影响带电粒子束装置中的带电粒子束(诸如电子束)的电极布置。带电粒子束装置可以是用于用一个或多个带电粒子束对样本进行成像和/或检查的设备,例如电子显微镜。本文描述的实施例特别地涉及用于作用在带电粒子束上的电极布置、用于电极布置的接触组件以及具有电极布置的带电粒子束装置。实施例进一步涉及减小在带电粒子束装置的电极布置中的电场强度的方法。
技术介绍
[0002]带电粒子束装置在多个工业领域中具有许多功能,包括但不限于在制造期间半导体器件的临界尺寸设定、半导体器件的缺陷查验、半导体器件的检查、用于光刻的曝光系统、检测装置以及测试系统。因此,对在微米尺度和纳米尺度上将样本或样品结构化、对样本或样品进行测试和检查有高需求。
[0003]带电粒子束装置(如电子显微镜或聚焦离子束(FIB)装置)的改进通常取决于特定束光学部件的改进。束光学部件是例如静电或磁性透镜、偏转器、静电或磁性镜、检测器和光谱仪。
[0004]带电粒子束装置中的束光学部件有益地相对于彼此准确地对准,以便允许带电粒子束沿具有明确限定的聚焦、偏转和/或色散特性的预定光束路径传播。例如,对于包括具有用于带电粒子束的开口的两个或更多个电极的静电透镜,所述两个或更多个电极有益地在微米尺度上相对于彼此对准,使得通过开口传播的带电粒子束以预定方式被静电透镜精确地影响。两个相邻电极可通过间隔件元件(诸如陶瓷球)相对于彼此对准,间隔件元件布置在两个 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于作用在带电粒子束(105)上的电极布置(100),包括:第一电极(110),所述第一电极具有用于所述带电粒子束的第一开口(111);第一间隔件元件(140),所述第一间隔件元件定位在设于所述第一电极中的第一电极侧上的第一凹槽(112)中以用于将所述第一电极(110)相对于第二电极(120)对准,所述第一间隔件元件具有第一盲孔(141);第一导电屏蔽件(150),所述第一导电屏蔽件设于所述第一盲孔(141)中;以及接触组件(160),所述接触组件从所述第一电极(110)突出到所述第一盲孔(141)中以用于提供在所述第一电极(110)与所述第一导电屏蔽件(150)之间的电接触。2.根据权利要求1所述的电极布置,其中所述第一导电屏蔽件(150)覆盖所述第一盲孔(141)的内壁表面的90%或更多或所述第一盲孔(141)的整个内壁表面。3.根据权利要求1所述的电极布置,其中所述第一导电屏蔽件(150)为涂覆在所述第一盲孔(141)的内壁表面上的导电层。4.根据权利要求1所述的电极布置,其中所述第一盲孔(141)包括延伸到所述第一间隔件元件(140)中并具有对应于所述第一间隔件元件的直径的30%或更多、40%或更多、或50%或更多的长度的圆柱形通道。5.根据权利要求1所述的电极布置,其中所述接触组件(160)包括第一接触元件(161)和弹簧元件(165),所述弹簧元件将所述第一接触元件推入到所述第一盲孔(141)中以与所述第一导电屏蔽件(150)电接触。6.根据权利要求1至5中任一项所述的电极布置,其中所述接触组件(160)将所述第一间隔件元件(140)连接到所述第一电极(110),同时维持所述第一间隔件元件(140)在所述电极布置的轴向方向(A)、所述第一电极的径向方向和所述第一电极的周向方向中的至少一者上相对于所述第一电极(110)的可移动性。7.根据权利要求1至5中任一项所述的电极布置,进一步包括:第二间隔件元件(145),所述第二间隔件元件定位在设于所述第一电极中的与所述第一电极侧相对的第二电极侧上的第二凹槽(113)中以用于将所述第一电极相对于第三电极(130)对准,所述第二间隔件元件具有第二盲孔(146);以及第二导电屏蔽件(151),所述第二导电屏蔽件设于所述第二盲孔(146)中,其中所述接触组件(160)从所述第一电极延伸到所述第二盲孔(146)中以用于提供在所述第一电极(110)与所述第二导电屏蔽件(151)之间的电接触。8.根据权利要求7所述的电极布置,其中所述第一凹槽和所述第二凹槽由延伸穿过所述第一电极的穿孔连接,所述接触组件电接触所述穿孔的内壁并且穿过所述穿孔延伸到所述第一盲孔和所述第二盲孔两者中。9.根据权利要求1至5中任一项所述的电极布置,其中所述接触组件包括用于接触所述第一导电屏蔽件(150)的第一接触元件(161)和用于接触设于布置在第二电极侧上的第二间隔件元件(145)的第二盲孔(146)中的第二导电屏蔽件(151)的第二接触元件(162)。10.根据权利要求9所述的电极布置,其中所述接触组件进一步包括弹簧元件(165),所述弹簧元件在所述电极布置的轴向方向(A)上推动所述第一接触元件和...
【专利技术属性】
技术研发人员:M,
申请(专利权)人:ICT半导体集成电路测试有限公司,
类型:发明
国别省市:
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