磁多极器件、带电粒子束设备和影响沿光轴传播的带电粒子束的方法技术

提供了一种用于影响沿光轴传播的带电粒子束的磁多极器件。所述磁多极器件包括：第一磁偏转器，用于用多个第一鞍形线圈使所述带电粒子束在x方向上偏转；以及第二磁偏转器，用于用多个第二鞍形线圈使所述带电粒子束在垂直于x方向的y方向上偏转。所述第一鞍形线圈和所述第二鞍形线圈以12极磁校正器结构围绕所述光轴布置，其中12个极以均匀间隔的角间隔被提供。所述12极磁校正器结构被配置为将磁12极校正器的束校正场施加在所述带电粒子束上。还提供了一种具有磁多极器件的带电粒子束设备和一种用如本文所述的磁多极器件影响沿光轴传播的带电粒子束的方法。

【技术实现步骤摘要】

本文所述的实施例涉及带电粒子束设备，例如，用于检查系统应用、测试系统应用、光刻系统应用、缺陷审查或关键尺寸确定应用的带电粒子束设备，并且特别地涉及电子束检查设备，更特别地涉及扫描电子显微镜。本文所述的实施例进一步涉及用于影响带电粒子束设备中的带电粒子束的磁多极器件以及用多极器件影响带电粒子束的方法。特别地，本文所述的实施例涉及磁多极器件和用于以特定方式(例如，通过偏转和/或校正电子束，特别是在电子束检查和成像系统中)影响电子束的和方法。

技术介绍

1、现代半导体技术已形成了对在纳米级甚至是亚纳米级下使试样结构化并对其进行检测的高需求。微米级和纳米级工艺控制、检查或结构化通常用带电粒子束(例如，电子束)完成，该带电粒子束在带电粒子束设备(诸如电子显微镜或电子束图案发生器)中生成、成形、偏转和聚焦。出于检查目的，与例如光子束等相比，带电粒子束提供了优异的空间分辨率。

2、使用带电粒子束的检查设备(诸如扫描电子显微镜(sem))在多个工业领域中具有许多功能，包括但不限于在制造期间的电子电路检查、用于光刻的曝光系统、检测系统、缺陷检查工具和用于集成电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于影响沿光轴传播的带电粒子束的磁多极器件，包括：

2.根据权利要求1所述的磁多极器件，其中所述多个第一鞍形线圈包括八个第一鞍形线圈，并且所述多个第二鞍形线圈包括八个第二鞍形线圈，其中所述八个第一鞍形线圈中的四个第一鞍形线圈以与所述八个第二鞍形线圈中的四个第二鞍形线圈相同的角间隔被提供，从而得到所述12极磁校正器结构。

3.根据权利要求1所述的磁多极器件，其中所述12个极分别由第一鞍形线圈、由第二鞍形线圈或由包括第一鞍形线圈与第二鞍形线圈重叠的双线圈提供。

4.根据权利要求1所述的磁多极器件，其中所述12个极被配置为对所述带电粒子束施加磁12极...

【技术特征摘要】

1.一种用于影响沿光轴传播的带电粒子束的磁多极器件，包括：

2.根据权利要求1所述的磁多极器件，其中所述多个第一鞍形线圈包括八个第一鞍形线圈，并且所述多个第二鞍形线圈包括八个第二鞍形线圈，其中所述八个第一鞍形线圈中的四个第一鞍形线圈以与所述八个第二鞍形线圈中的四个第二鞍形线圈相同的角间隔被提供，从而得到所述12极磁校正器结构。

3.根据权利要求1所述的磁多极器件，其中所述12个极分别由第一鞍形线圈、由第二鞍形线圈或由包括第一鞍形线圈与第二鞍形线圈重叠的双线圈提供。

4.根据权利要求1所述的磁多极器件，其中所述12个极被配置为对所述带电粒子束施加磁12极校正器的束校正场来校正所述带电粒子束的像散。

5.根据权利要求1所述的磁多极器件，其中

6.根据权利要求5所述的磁多极器件，其中每组第一鞍形线圈在所述周向方向上覆盖约120°的角，并且每组第二鞍形线圈在所述周向方向上覆盖约120°的角。

7.根据权利要求5所述的磁多极器件，其中所述两组第一鞍形线圈和所述两组第二鞍形线圈分别在四个重叠区域中以约30°的在所述周向方向上的重叠角重叠。

8.根据权利要求7所述的磁多极器件，其中每组第一鞍形线圈包括两个外第一鞍形线圈和两个内第一鞍形线圈，并且每组第二鞍形线圈包括两个外第二鞍形线圈和两个内第二鞍形线圈，每个外第一鞍形线圈与相应外第二鞍形线圈重叠并与其周向对准，使得四个双线圈在所述四个重叠区域中被提供。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的磁多极器件，其中所述多个第一鞍形线圈和所述多个第二鞍形线圈中的每个鞍形线圈在所述周向方向上覆盖20°或更大且40°或更小的角。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的磁多极器件，其中所述多个第一鞍形线圈同轴地布置在所述多个第二鞍形线圈外侧或替代地同轴地布置在所述多个第二鞍形线圈内侧。...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·库克，
申请(专利权)人：ICT半导体集成电路测试有限公司，
类型：发明
国别省市：