确定带电粒子束的像差的方法和带电粒子束系统技术方案

描述了一种确定在带电粒子束系统中由具有给定数值孔径(NA)的聚焦透镜(120)聚焦到样品(10)的带电粒子束(11)的像差的方法。所述方法包括：(a.)至少基于给定数值孔径(NA)，针对一组束像差系数(C

【技术实现步骤摘要】
确定带电粒子束的像差的方法和带电粒子束系统


[0001]本文描述的实施例涉及在带电粒子束系统中确定带电粒子束的像差的方法，例如在电子显微镜中，特别是在扫描电子显微镜(SEM)中。具体地，可以确定一个或多个束像差系数的实际值，便于校正束像差并且提高分辨率。更具体地，本文描述的实施例涉及在带电粒子束系统中确定由具有给定数值孔径的聚焦透镜聚焦到样品的带电粒子束的束像差系数的方法，这有助于提供经像差校正的带电粒子束。实施例还涉及用于对样品进行检查和/或成像的带电粒子束系统，所述带电粒子束系统配置成用于本文所述的方法中的任一者。

技术介绍

[0002]现代半导体技术对纳米级甚至亚纳米级的试样结构化和探测提出了很高的要求。微米级和纳米级工艺控制、检查或结构化通常使用带电粒子束(例如电子束)进行，所述带电粒子束在带电粒子束系统(诸如电子显微镜或电子束图案发生器)中产生、成形、偏转和聚焦。出于检查目的，与例如光子束相比，带电粒子束提供了更高的空间分辨率。
[0003]使用带电粒子束的检查设备(诸如扫描电子显微镜(SEM))在多个工业领域具有许多功能，包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种确定在带电粒子束系统中由具有给定数值孔径的聚焦透镜聚焦到样品的带电粒子束的像差的方法，所述方法包括：(a.)至少基于所述给定数值孔径，针对一组束像差系数中的第一束像差系数的两个或更多个不同值中的每一个，在一个或多个第一散焦设置下模拟一个或多个束横截面，以提供多个第一模拟束横截面；(b.)从所述多个第一模拟束横截面中提取与所述第一束像差系数相关的第一像差特性的两个或更多个值；(c.)确定所述第一束像差系数与所述第一像差特性之间的第一相关性；(d.)在所述一个或多个第一散焦设置下或在一个或多个第二散焦设置下拍摄所述样品的一个或多个图像，以提供一个或多个拍摄的图像，并且从所述一个或多个拍摄的图像中检索一个或多个检索到的束横截面；(e.)从所述一个或多个检索到的束横截面中提取所述第一像差特性的检索值；以及(f.)基于所述第一相关性并且基于所述第一像差特性的所述检索值，确定所述第一束像差系数的实际值。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个第一散焦设置包括距所述带电粒子束的束焦点的一个或多个散焦距离，使得在(a.)中，在距所述束焦点的所述一个或多个散焦距离处模拟所述一个或多个束横截面，以及在(d.)中，当所述样品被布置在距所述束焦点的所述一个或多个散焦距离处时拍摄所述样品的所述一个或多个图像。3.根据权利要求1所述的方法，其中(a.)包括针对所述第一束像差系数的所述两个或更多个不同值中的每一个模拟过聚焦束横截面和欠聚焦束横截面，以及(b.)包括从所述过聚焦束横截面和对应的所述欠聚焦束横截面中的一个中提取所述第一像差特性的所述两个或更多个值中的每一个。4.根据权利要求1所述的方法，其中(d.)包括拍摄所述样品的欠聚焦图像和所述样品的过聚焦图像，并且从所述欠聚焦图像中检索欠聚焦检索到的束横截面和从所述过聚焦图像中检索过聚焦检索到的束横截面，以及(e.)包括从所述欠聚焦检索到的束横截面和所述过聚焦检索到的束横截面中提取所述第一像差特性的所述检索值。5.根据权利要求1所述的方法，其中在(b.)中，从所述多个第一模拟束横截面中的每一个确定一个或多个径向线轮廓，并且基于所述径向线轮廓计算所述第一像差特性的所述两个或更多个值。6.根据权利要求5所述的方法，其中从所述一个或多个径向线轮廓中的每一个检索束宽度值、不对称值和曲率值中的一个或多个，并且据此计算所述第一像差特性的所述两个或更多个值。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述第一束像差系数选自所述一组束像差系数，所述一组束像差系数包括散焦(C
df
)、三阶球面像差(C
s
)、一阶像散(A1)、二阶像散(A2)、三阶像散(A3)、二阶彗差(B2)、三阶星差(S3)和一个或多个色差(C
c
)。8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述第一束像差系数与所述第一像差特性之间的所述第一相关性是由第一比例系数表征的基本上线性的相关性，并且(c.)包括确定所述第一比例系数。9.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中在(d.)中，从所述一个或多个图像中
检索所述一个或多个检索到的束横截面包括：将傅里叶空间中的所述一个或多个图像除以傅里叶空间中的所述样品的聚焦图像，或者替代地，其中基于实空间中的逆卷积来检索所述一个或多个检索到的束横截面。10.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，进一步包括确定所述一组束像差系数中的第二束像差系数与第二像差特性之间的第二相关性。11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：从所述一个或多个检索到的束横截面中提取所述第二像差特性的检索值；以及基于所述第二相关性并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：ICT半导体集成电路测试有限公司，
类型：发明
国别省市：