同轴电缆以及电缆组件制造技术

本发明专利技术提供难以产生屏蔽效果的降低且在预定的频带中难以产生急剧的衰减的同轴电缆以及电缆组件。同轴电缆(1)的屏蔽层(4)具有：横绕屏蔽部(41)，其将在最外层具有镀层(411b)的多个金属线材(411)呈螺旋状地卷绕于绝缘体(3)的周围而构成；以及一并镀敷部(42)，其覆盖横绕屏蔽部(41)的周围，由热浸镀形成，在从绝缘体(3)剥离后的屏蔽层(4)的绝缘体(3)侧的面中的0.015mm2以上且0.300mm2以下的任意的分析区域(51)内进行了元素分析时，在分析区域(51)上氯存在的区域即氯存在区域(52)的面积为分析区域(51)的面积的5％以下。为分析区域(51)的面积的5％以下。为分析区域(51)的面积的5％以下。

【技术实现步骤摘要】
同轴电缆以及电缆组件


[0001]本专利技术涉及同轴电缆以及电缆组件。

技术介绍

[0002]作为在自动运转等中使用的拍摄装置、智能手机、平板终端等电子设备的内部布线、或者在工业用机器人等机床中作为布线使用的高频信号传输用的电缆，使用同轴电缆。
[0003]作为现有的同轴电缆，已知有将在树脂层上设有铜箔的铜带等带部件呈螺旋状地卷绕于绝缘体的周围来构成屏蔽层的同轴电缆(例如参照专利文献1)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2000
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285747号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]然而，在上述现有的同轴电缆中，有发生在预定的频带(例如，1.25GHz等几GHz的频带)中产生急剧的衰减的被称为频带空段的现象的课题。
[0009]相对于此，例如，通过对绝缘体的外表面实施镀敷来构成屏蔽层，能够抑制频带空段的发生。但是，在反复弯曲同轴电缆时，有在由镀敷构成的屏蔽层发生龟裂、来自绝缘体外表面的剥离的情况。若在由镀敷构成的屏蔽层发生龟裂、来自绝缘体外表面的剥离，则屏蔽效果降低。即，利用屏蔽层遮蔽在同轴电缆中产生的噪声的效果降低。
[0010]因此，本专利技术的目的在于，提供难以产生屏蔽效果的降低且难以在预定的频带中产生急剧的衰减的同轴电缆以及电缆组件。
[0011]用于解决课题的方案
[0012]本专利技术以解决上述课题为目的，提供一种同轴电缆，具备：导体；绝缘体，其覆盖上述导体的周围；屏蔽层，其覆盖上述绝缘体的周围；以及护套，其覆盖上述屏蔽层的周围，上述屏蔽层具有：横绕屏蔽部，其将在最外层具有镀层的多个金属线材呈螺旋状地卷绕于上述绝缘体的周围而构成；以及一并镀敷部，其覆盖上述横绕屏蔽部的周围，由热浸镀形成，在从上述绝缘体剥离出的上述屏蔽层的上述绝缘体侧的面中的0.015mm2以上且0.300mm2以下的任意的分析区域内进行了元素分析时，在上述分析区域上氯存在的区域亦即氯存在区域的面积为上述分析区域的面积的5％以下。
[0013]并且，本专利技术以解决上述课题为目的，提供一种电缆组件，具备：上述同轴电缆；以及终端部件，其一体地设于上述同轴电缆的至少一方的端部。
[0014]本专利技术提供一种同轴电缆，具备：导体；绝缘体，其覆盖上述导体的周围；屏蔽层，其覆盖上述绝缘体的周围；以及护套，其覆盖上述屏蔽层的周围，上述屏蔽层具有：横绕屏蔽部，其将在最外层具有镀层的多个金属线材呈螺旋状地卷绕于上述绝缘体的周围而构成；以及一并镀敷部，其覆盖上述横绕屏蔽部的周围，由热浸镀形成，上述屏蔽层在周向上
相邻的上述金属线材彼此分离的分离部分，具有在周向上相邻的上述金属线材彼此由上述一并镀敷部连结的连结部，并且，上述屏蔽层具有上述多个金属线材未被上述一并镀敷部覆盖而上述镀层露出的内周部分，在相邻的上述内周部分之间设有上述连结部。
[0015]专利技术的效果如下。
[0016]根据本专利技术，能够提供难以产生屏蔽效果的降低且难以在预定的频带中产生急剧的衰减的同轴电缆以及电缆组件。
附图说明
[0017]图1是示出本专利技术的一个实施方式的同轴电缆的图，(a)是示出与长度方向垂直的截面的剖视图，(b)是其主要部分放大图。
[0018]图2是说明一并镀敷部的形成的图。
[0019]图3是剥离屏蔽层进行观察时的照片及其放大照片。
[0020]图4的(a)是示出对在剥离后的屏蔽层中存在银的区域进行分析后的结果的照片，(b)是示出对在剥离后的屏蔽层中存在锡的区域进行分析后的结果的照片。
[0021]图5是示出对氯存在区域进行分析时的步骤的流程图。
[0022]图6的(a)、(b)是示出SEM图像的一例的照片。
[0023]图7的(a)、(b)是示出氯映射图像的一例的照片。
[0024]图8是示出频率特性的评价结果的线图。
[0025]图9是示出本专利技术的一个实施方式的电缆组件的末端部的剖视图。
[0026]符号说明
[0027]1—同轴电缆，2—导体，3—绝缘体，4—屏蔽层，4a—外周部分，4b—内周部分，41—横绕屏蔽部，411—金属线材，411a—金属线，411b—镀层，411c—金属间化合物，42—一并镀敷部，43—连结部，45—分离部分，5—护套，10—电缆组件，11—终端部件，51—分析区域，52—氯存在区域。
具体实施方式
[0028][实施方式][0029]以下，根据附图对本专利技术的实施方式进行说明。
[0030](同轴电缆1的整体结构)
[0031]图1是示出本实施方式的同轴电缆1的图，(a)是示出与长度方向垂直的截面的剖视图，(b)是其主要部分放大图。
[0032]如图1的(a)、(b)所示，同轴电缆1具备导体2、覆盖导体2的周围地设置的绝缘体3、覆盖绝缘体3的周围地设置的屏蔽层4、以及覆盖屏蔽层4的周围地设置的护套5。
[0033]导体2由将多根金属线材21绞合而成的绞线导体构成。在本实施方式中，使用了将七根由外径0.023mm的软铜线构成的金属线材21绞合而成的导体2。并不限定于此，作为导体2，也能够使用压缩绞线导体，即，在将金属线材21绞合之后，以与电缆长度方向垂直的截面形状呈圆形的方式进行压缩加工而形成压缩绞线导体。通过使用压缩绞线导体作为导体2，能够提高导电率，得到良好的传输特性，并且还能够维持弯曲容易性。另外，从提高导电率、机械强度的观点出发，金属线材21也可以是含锡(Sn)、银(Ag)、铟(In)、钛(Ti)、镁(Mg)、
铁(Fe)等的铜合金线。
[0034]绝缘体3例如由PFA、FEP(四氟乙烯
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六氟丙烯共聚物)氟树脂、聚乙烯、聚丙烯等构成。绝缘体3可以是发泡树脂，也可以由为了提高耐热性而交联形成的树脂构成。并且，绝缘体3也可以进一步成为多层构造。例如，也能够成为三层结构：在导体2的周围设置由非发泡的聚乙烯构成的第一非发泡层，在第一非发泡层的周围设置由发泡聚乙烯构成的发泡层，在发泡层的周围设置由非发泡的聚乙烯构成的第二非发泡层。在本实施方式中，在导体2的周围，通过管材挤出来形成由PFA构成的绝缘体3。通过管材挤出来形成绝缘体3，从而在末端加工时容易从导体2剥离绝缘体3，提高末端加工性。
[0035]护套5例如由PFA、FEP等氟树脂、聚氯乙烯、交联聚烯烃等构成。在本实施方式中，通过管材挤出来形成由氟树脂构成的护套5。
[0036](屏蔽层4)
[0037]在本实施方式的同轴电缆1中，屏蔽层4具有：横绕屏蔽部41，其在绝缘体3的周围呈螺旋状地卷绕有多个金属线材411；以及导电性的一并镀敷部42，其一并地覆盖横绕屏蔽部41的整个周围地设置。
[0038]在本实施方式中，由于利用一并镀敷部42来固定金属线材411，所以为了确保同轴电缆1的弯曲容易度，作为金属线材411，需要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同轴电缆，其特征在于，具备：导体；绝缘体，其覆盖上述导体的周围；屏蔽层，其覆盖上述绝缘体的周围；以及护套，其覆盖上述屏蔽层的周围，上述屏蔽层具有：横绕屏蔽部，其将在最外层具有镀层的多个金属线材呈螺旋状地卷绕于上述绝缘体的周围而构成；以及一并镀敷部，其覆盖上述横绕屏蔽部的周围，由热浸镀形成，在从上述绝缘体剥离后的上述屏蔽层的上述绝缘体侧的面中的0.015mm2以上且0.300mm2以下的任意的分析区域内进行了元素分析时，在上述分析区域上氯存在的区域亦即氯存在区域的面积为上述分析区域的面积的5％以下。2.根据权利要求1所述的同轴电缆，其特征在于，上述元素分析通过使用了扫描型电子显微镜的能量分散型X射线光谱法来进行。3.根据权利要求1或2所述的同轴电缆，其特征在于，在上述元素分析之后，进行在上述分析区域内氯存在的区域和氯不存在的区域的二值化处理，根据二值化处理后的图像来求出上述氯存在区域的面积。4.根据权利要求3所述的同轴电缆，其特征在于，上述氯存在区域的面积是上述氯存在的区域内的面积为2μm2以上的区域的面积的总和。5.一种同轴电缆，其特征在于，具备：导体；绝缘体，其覆盖上述导体的周围；屏蔽层，其覆盖上述绝缘体的周围；以及护套，其覆盖上述屏蔽层的周围，上述屏蔽层具有：横绕屏蔽部，其将在最外层具有镀层的多个金属线材呈螺旋状地卷绕于上述绝缘体的周围而构成；以及一并镀敷部，其覆盖上述横绕屏蔽...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑田洋光，樱井保，藤户启辅，中出良树，黄得天，南亩秀树，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：发明
国别省市：