同轴电缆以及电缆组件制造技术

本发明专利技术提供难以产生屏蔽效果的降低且在预定的频带中难以产生急剧的衰减的同轴电缆以及电缆组件。同轴电缆(1)的屏蔽层(4)具有：横绕屏蔽部(41)，其将在最外层具有镀层(411b)的多个金属线材(411)呈螺旋状地卷绕于绝缘体(3)的周围而构成；以及一并镀敷部(42)，其覆盖横绕屏蔽部(41)的周围，由热浸镀形成，在从绝缘体(3)剥离后的屏蔽层(4)的绝缘体(3)侧的面中的0.015mm2以上且0.300mm2以下的任意的分析区域(51)内进行了元素分析时，在分析区域(51)上氯存在的区域即氯存在区域(52)的面积为分析区域(51)的面积的5％以下。为分析区域(51)的面积的5％以下。为分析区域(51)的面积的5％以下。

【技术实现步骤摘要】
同轴电缆以及电缆组件


[0001]本专利技术涉及同轴电缆以及电缆组件。

技术介绍

[0002]作为在自动运转等中使用的拍摄装置、智能手机、平板终端等电子设备的内部布线、或者在工业用机器人等机床中作为布线使用的高频信号传输用的电缆，使用同轴电缆。
[0003]作为现有的同轴电缆，已知有将在树脂层上设有铜箔的铜带等带部件呈螺旋状地卷绕于绝缘体的周围来构成屏蔽层的同轴电缆(例如参照专利文献1)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2000
‑
285747号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]然而，在上述现有的同轴电缆中，有发生在预定的频带(例如，1.25GHz等几GHz的频带)中产生急剧的衰减的被称为频带空段的现象的课题。
[0009]相对于此，例如，通过对绝缘体的外表面实施镀敷来构成屏蔽层，能够抑制频带空段的发生。但是，在反复弯曲同轴电缆时，有在由镀敷构成的屏蔽层发生龟裂、来自绝缘体外表面的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同轴电缆，其特征在于，具备：导体；绝缘体，其覆盖上述导体的周围；屏蔽层，其覆盖上述绝缘体的周围；以及护套，其覆盖上述屏蔽层的周围，上述屏蔽层具有：横绕屏蔽部，其将在最外层具有镀层的多个金属线材呈螺旋状地卷绕于上述绝缘体的周围而构成；以及一并镀敷部，其覆盖上述横绕屏蔽部的周围，由热浸镀形成，在从上述绝缘体剥离后的上述屏蔽层的上述绝缘体侧的面中的0.015mm2以上且0.300mm2以下的任意的分析区域内进行了元素分析时，在上述分析区域上氯存在的区域亦即氯存在区域的面积为上述分析区域的面积的5％以下。2.根据权利要求1所述的同轴电缆，其特征在于，上述元素分析通过使用了扫描型电子显微镜的能量分散型X射线光谱法来进行。3.根据权利要求1或2所述的同轴电缆，其特征在于，在上述元素分析之后，进行在上述分析区域内氯存在的区域和氯不存在的区域的二值化处理，根据二值化处理后的图像来求出上述氯存在区域的面积。4.根据权利要求3所述的同轴电缆，其特征在于，上述氯存在区域的面积是上述氯存在的区域内的面积为2μm2以上的区域的面积的总和。5.一种同轴电缆，其特征在于，具备：导体；绝缘体，其覆盖上述导体的周围；屏蔽层，其覆盖上述绝缘体的周围；以及护套，其覆盖上述屏蔽层的周围，上述屏蔽层具有：横绕屏蔽部，其将在最外层具有镀层的多个金属线材呈螺旋状地卷绕于上述绝缘体的周围而构成；以及一并镀敷部，其覆盖上述横绕屏蔽...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑田洋光，樱井保，藤户启辅，中出良树，黄得天，南亩秀树，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：发明
国别省市：