一种天山雪莲的再生培养方法技术

本发明专利技术公开了一种天山雪莲的再生培养方法。本发明专利技术的天山雪莲再生培养方法包括天山雪莲新的培育模式—水培体系的开发及天山雪莲组培快繁体系的优化，二者的有机结合，不仅有效的解决了天山雪莲野生资源短缺的问题，突破了天山雪莲平地生长的限制，还最大化的缩短了组培快繁时间，节省人力、物力、财力。为天山雪莲的资源化和保护化研究提供了重要基础。莲的资源化和保护化研究提供了重要基础。

【技术实现步骤摘要】
一种天山雪莲的再生培养方法


[0001]本专利技术属于植物栽培
，具体涉及一种天山雪莲的再生培养方法，特别涉 及在低海拔和平地环境下的天山雪莲动态水培养方法和天山雪莲组培快繁改良方法。

技术介绍

[0002]天山雪莲(Saus-surea involucrata(Kar.et Kir.)Sch.-Bip.)是菊科风毛菊属多年生高 山草本植物。自古以来天山雪莲一直都是传统的名贵中药材，《中国药典》中记载， 天山雪莲性温，微苦，具有温肾助阳，强健筋骨，营养神经，通经活血等功效，在临 床上主要用于治疗风寒湿痹痛，小腹疼痛，月经不调等。雪莲的主要化学成分为生物 碱类、黄酮类、苯丙素类化合物，赋予了雪莲极高的药用价值。
[0003]天山雪莲生长于天山山脉，主要分布于2400-4000m高山雪线附近的高山流石滩、 高山草坡、高山沼泽草地以及山顶碎石间，生境特异，自然繁殖率低，生长缓慢，3-5 年才能开花结实，人工栽培困难。20世纪以来，由于人们的长期掠夺性采挖使野生资 源濒临灭绝。
[0004]由于天山雪莲严苛的生长条件、极低的种群自我更新能力及人们过度采挖，导致 天山雪莲的野生资源严重不足。尽管也曾有过利用种子进行人工繁殖的研究报道，但 由于较低的种子发芽率和较高的幼苗死亡率，所以人工繁育收效甚微。加之在全球变 暖的背景下，天山山脉积雪面积逐渐减少，雪线上升，适宜野生雪莲生存的环境越来 越少。为了保护雪莲野生资源及生物多样性，利用现代生物技术手段在低海拔环境中 建立天山雪莲的高效再生培养体系显得尤为重要。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种天山雪莲的再生培养方法。
[0006]本专利技术提供的天山雪莲的再生培养方法包括如下步骤：
[0007]1)使用赤霉素溶液浸泡天山雪莲种子，培养，得到萌发的天山雪莲种子；
[0008]2)采用水培的方式培养所述萌发的天山雪莲种子，得到水培苗；
[0009]3)以所述水培苗的叶片或叶柄作为外植体在愈伤诱导培养基中进行愈伤诱导和分 化培养，得到再生苗；
[0010]4)将所述再生苗在生根培养基中培养，得到天山雪莲再生植株。
[0011]上述方法中，所述步骤1)中，所述赤霉素溶液的浓度可为50-200mg/L；进一步 可为50-100mg/L或100-200mg/L；更进一步可为50mg/L或100mg/L或200mg/L。
[0012]所述浸泡的条件如下：在黑暗、低温条件下浸泡12-24h；具体为在黑暗、4℃条 件下浸泡12h。
[0013]所述培养的条件如下：在光照强度为2000-3000Lx、温度为24-25℃、湿度为50-60 ％条件下培养3-5天。
[0014]所述培养的方法为将浸泡后的种子铺到滤纸或培养皿中进行培养。
[0015]上述方法中，所述步骤2)中，所述水培的培养液为MS培养液；所述MS培养 液为将
MS粉末与水(三级水)混匀后得到的溶液。
[0016]所述MS培养液的浓度可为1.10-4.43g/L，进一步可为1.10-2.43g/L或2.43-4.43 g/L，更进一步可为1.10g/L或2.43g/L或4.43g/L。
[0017]所述MS培养液的pH值为5.6-6.0。
[0018]所述水培的条件如下：光照强度为2000-3000Lx；光照时间为16h/d；温度为24-25 ℃；湿度为50-60％；含氧量大于5mg/L；水泵流量为50-350L/h。进一步的，刚开始 培养时，所述水泵流量为50L/h，两周更换一次培养液；培养1个月后，可将水泵流 量调整到150L/h，一周更换一次培养液；培养2个月后，可将水泵流量调整到350L/h， 一周更换两次培养液。
[0019]所述培养的方法为将萌发的天山雪莲种子在装有陶粒的水培装置中进行培养。所 述水培装置可为本领域常见的水培装置或无土栽培设备或水耕种植箱等，在本专利技术的 一个例子中，所述水培装置和陶粒均是淘宝店铺[乾元水培]的产品，也可从河北乾元 水培电子科技有限公司获得。
[0020]上述方法中，所述步骤3)中，所述外植体在进行愈伤诱导和分化培养前还包括 消毒的步骤：所述消毒的方法依次包括如下步骤：自来水冲洗、无菌水冲洗、NaClO 溶液浸泡、酒精消毒和无菌水洗净；
[0021]进一步的，所述自来水冲洗的时间可为1h。
[0022]所述无菌水冲洗的次数可为3-5次。
[0023]所述NaClO溶液的浓度可为10％。
[0024]所述浸泡的时间可为5-10min。
[0025]所述酒精可为75％酒精。
[0026]所述消毒的时间可为30s。
[0027]所述外植体的大小为1cm2。
[0028]上述方法中，所述步骤3)中，所述愈伤诱导和分化培养的方法包括如下步骤：
[0029]3-1)将外植体在愈伤诱导培养基中进行诱导培养，得到愈伤组织；
[0030]3-2)将所述愈伤组织在继代培养基中进行继代培养，得到丛生芽；
[0031]3-3)将所述丛生芽在分化培养基中进行分化培养，得到再生苗；
[0032]所述继代培养基和所述分化培养基均为所述愈伤诱导培养基；
[0033]所述愈伤诱导培养基中包括萘乙酸(NAA)和6-苄氨基腺嘌呤(6-BA)。
[0034]进一步的，所述NAA在所述愈伤诱导培养基中的浓度可为1-2mg/L；进一步可 为1-1.5mg/L或1.5-2mg/L；更进一步可为1mg/L或1.5mg/L或2mg/L。
[0035]所述6-BA在所述愈伤诱导培养基中的浓度可为0.2-2mg/L；进一步可为0.2-1 mg/L或1-2mg/L；更进一步可为0.2mg/L或1mg/L或2mg/L。
[0036]所述3-1)的培养条件如下：在黑暗，温度为24-25℃，湿度为50-60％条件下培 养3周；
[0037]所述3-2)的培养条件如下：在黑暗，温度为24-25℃，湿度为50-60％条件下培 养2-3周；
[0038]所述3-3)的培养条件如下：先在黑暗，温度为24-25℃，湿度为50-60％条件下 培养1周，然后在光照强度为500-1000Lx，温度为24-25℃，湿度为50-60％条件下 培养1周，再在光照强度为2500-3000Lx，温度为24-25℃、湿度为50-60％条件下 培养2-3周。
导培养基和/或芽诱导培养基和/或生根培养基；
[0060]A3)用于天山雪莲再生培养的成套试剂，包括上述天山雪莲再生培养方法中的赤 霉素溶液和/或MS培养液和/或愈伤诱导培养基和/或芽诱导培养基和/或生根培养基。
[0061]本专利技术最后提供了如下B1)-B4)任一种应用：
[0062]B1)上述方法或产品在培养天山雪莲中的应用；
[0063]B2)上述方法或产品在繁育或扩繁天山雪莲中的应用；
[0064]B本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种天山雪莲的再生培养方法，包括如下步骤：1)使用赤霉素溶液浸泡天山雪莲种子，培养，得到萌发的天山雪莲种子；2)采用水培的方式培养所述萌发的天山雪莲种子，得到水培苗；3)以所述水培苗的叶片或叶柄作为外植体在愈伤诱导培养基中进行愈伤诱导和分化培养，得到再生苗；4)将所述再生苗在生根培养基中培养，得到天山雪莲再生植株。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1)中，所述赤霉素溶液的浓度为50-200mg/L；和/或，所述浸泡的条件如下：在黑暗、低温条件下浸泡12-24h；和/或，所述培养的条件如下：在光照强度为2000-3000Lx、温度为24-25℃、湿度为50-60％条件下培养3-5天。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步骤2)中，所述水培的培养液为MS培养液；和/或，所述MS培养液的浓度为1.10-4.43g/L；和/或，所述MS培养液的pH值为5.6-6.0；和/或，所述水培的条件如下：光照强度为2000-3000Lx；光照时间为16h/d；温度为24-25℃；湿度为50-60％；含氧量大于5mg/L；水泵流量为50-350L/h。4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：所述步骤3)中，所述外植体在进行愈伤诱导和分化培养前还包括消毒的步骤：和/或，所述消毒的方法依次包括如下步骤：自来水冲洗、无菌水冲洗、NaClO溶液浸泡、酒精消毒、无菌水洗净；和/或，所述自来水冲洗的时间为1h；和/或，所述无菌水冲洗的次数为3-5次；和/或，所述NaClO溶液的浓度为10％；和/或，所述浸泡的时间为5-10min；和/或，所述酒精为75％酒精；和/或，所述消毒的时间为30s。5.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于：所述步骤3)中，所述愈伤诱导和分化培养的方法包括如下步骤：3-1)将外植体在愈伤诱导培养基中进行诱导培养，得到愈伤组织；3-2)将所述愈伤组织在继代培养基中进行继代培养，得到丛生芽；3-3)将所述丛生芽在分化培养基中进行分化培养，得到再生苗；所述继代培养基和所述分化培养基均为所述愈伤诱导培养基；所述愈伤诱导培养基中包括NAA和6-BA。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述NAA在所述愈伤诱导培养基中的浓度为1-2mg/L；和/或，所述6-BA在所述愈伤诱导培养基中的浓度为0.2-2mg/L；和/或，所述3-...

【专利技术属性】
技术研发人员：付春祥，吴振映，曹英萍，孙震，刘雨辰，
申请(专利权)人：中国科学院青岛生物能源与过程研究所，
类型：发明
国别省市：