半导体退火设备及其控制方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体退火设备及其控制方法。所述半导体退火设备包括3N个定位部、3N个调整部、移动控制部、第一加热部和第二加热部。3N个所述定位部的每个第二承托结构的自由端靠近所围成的工艺承载区的边缘，增加了目标晶圆的受热面积，以利于同时对所述目标晶圆的正背面进行加热，提高了工艺效率和加热均匀性；相邻第所述二承托结构之间的距离允许所述调整部的第一承托结构通过，设置所述移动控制部控制3N个所述调整部的运动，能够以带动3N个所述第一承托结构进行运动，从而快速调整所述目标晶圆和所述工艺承载区之间的相对位置关系，提高了工艺效率。提高了工艺效率。提高了工艺效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体退火设备及其控制方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件制造
，尤其涉及半导体退火设备及其控制方法。

技术介绍

[0002]现有技术的半导体退火设备的载片台采用完全接触晶圆背面的方式对晶圆进行承载。由于不能在载片台下方设置加热器件，如要对晶圆背面进行加热，还需要对晶圆进行移出和翻转后再放入载片台，显著影响退火工艺的效率。
[0003]因此，有必要开发一种新型的半导体退火设备及其控制方法以解决现有技术存在的上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体退火设备及其控制方法，以有利于提高工艺效率和加热均匀性。
[0005]为实现上述目的，本专利技术的半导体退火设备包括：
[0006]3N个调整部，围成能够容纳目标晶圆的转移承载区，每个所述调整部包括第一承托结构，所述第一承托结构的自由端靠近所述转移承载区的中心；
[0007]3N个定位部，围成能够容纳所述目标晶圆的工艺承载区，每个所述定位部包括第二承托结构，所述第二承托结构的自由端靠近所述工艺承载区的边缘，相邻所述第二承托结构之间的距离允许所述第一承托结构通过；
[0008]移动控制部，通信连接3N个所述调整部，以带动3N个所述第一承托结构进行运动，从而调整所述目标晶圆和所述工艺承载区之间的相对位置关系；N为大于等于1的正整数。
[0009]本专利技术的半导体退火设备的有益效果在于：3N个所述定位部的每个第二承托结构的自由端靠近所围成的工艺承载区的边缘，增加了目标晶圆的受热面积，以利于后续同时对所述目标晶圆的正背面进行加热，提高了工艺效率和加热均匀性；相邻第所述二承托结构之间的距离允许所述调整部的第一承托结构通过，设置所述移动控制部控制3N个所述调整部的运动，能够以带动3N个所述第一承托结构进行运动，从而快速调整所述目标晶圆和所述工艺承载区之间的相对位置关系，提高了工艺效率。
[0010]优选的，所述半导体退火设备还包括第一加热部和第二加热部，所述第一加热部和所述第二加热部分别朝向所述工艺承载区的两侧设置，以加热所述目标晶圆的正面和背面。
[0011]优选的，所述第二承托结构为透光导热承托结构。其有益效果在于：提高对目标晶圆的加热均匀性。
[0012]优选的，所述第二承托结构包括凸起结构，以接触所述目标晶圆。其有益效果在于：增加目标晶圆的受热面积。
[0013]优选的，还包括通信连接所述移动控制部的位置信息获取部，所述位置信息获取部朝向所述工艺承载区的至少一侧设置，以获取并向所述移动控制部反馈所述目标晶圆的
位置信息。其有益效果在于：准确将目标晶圆定位至工艺承载区。
[0014]优选的，每个所述调整部还包括相对所述第一承托结构倾斜设置的第一倾斜结构，所述第一倾斜结构与所述第一承托结构交汇形成第一限位区，3N个所述第一限位区限定所述转移承载区的范围。其有益效果在于：避免目标晶圆发生不必要的位置偏移。
[0015]优选的，每个所述定位部还包括相对所述第二承托结构倾斜设置的第二倾斜结构，所述第二倾斜结构与所述第二承托结构相接形成第二限位区，3N个所述第二限位区限定所述工艺承载区的范围。其有益效果在于：确保目标晶圆限位在所述工艺承载区的范围内，防止发生不必要的位置偏移。
[0016]进一步优选的，所述第二倾斜结构为透光导热倾斜结构。其有益效果在于：提高对目标晶圆的加热均匀性。
[0017]进一步优选的，3N个所述调整部和/或3N个所述定位部呈环形阵列分布。
[0018]进一步优选的，任意两个相邻的所述调整部和所述定位部之间形成的夹角相等。
[0019]本专利技术所述半导体退火设备的控制方法包括以下步骤：
[0020]S1：通过所述移动控制部控制3N个所述调整部和3N个所述定位部围成初始定位区，将目标晶圆放置于所述初始定位区；
[0021]S2：通过所述移动控制部判断是否需要对所述目标晶圆进行位置调整；
[0022]S3：控制3N个所述调整部远离3N个所述定位部运动，使每个所述第一承托结构承托所述目标晶圆，以及使每个所述第二承托结构解除与所述目标晶圆之间的接触关系；
[0023]S4：通过所述移动控制部控制3N个所述调整部进行位置调整，直至通过所述移动控制部判断所述目标晶圆的中心与所述工艺承载区的中心重合；
[0024]S5：通过所述移动控制部控制3N个所述调整部朝向3N个所述定位部运动的同时维持所述目标晶圆的中心与所述工艺承载区的中心重合，直至所述目标晶圆与每个所述第二承托结构相接触，且每个所述第一承托结构与所述目标晶圆解除接触关系。
[0025]本专利技术所述半导体退火设备的控制方法有益效果在于：通过所述步骤S2
‑
S5能够快速调整所述目标晶圆和所述工艺承载区之间的相对位置关系，提高了工艺效率。
[0026]优选的，所述步骤S5执行完毕后，通过所述第一加热部和所述第二加热部对所述目标晶圆进行加热。其有益效果在于：有利于提高工艺效率和加热均匀性。
[0027]优选的，所述步骤S2中，通过所述移动控制部判断是否需要对所述目标晶圆进行位置调整的步骤包括：通过所述位置信息获取部获取并向所述移动控制部反馈所述目标晶圆的位置信息，所述移动控制部根据所述位置信息获取部反馈的所述目标晶圆的位置信息判断是否需要对所述目标晶圆进行位置调整。
附图说明
[0028]图1为本专利技术一些实施例的若干调整部的第一工作状态示意图；
[0029]图2为本专利技术一些实施例的若干调整部的第二工作状态示意图；
[0030]图3为本专利技术一些实施例的若干定位部的第一工作状态示意图；
[0031]图4为本专利技术一些实施例的若干定位部的第二工作状态示意图；
[0032]图5为本专利技术一些实施例的若干调整部和若干定位部的工作状态示意图。
具体实施方式
[0033]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
[0034]本专利技术实施例提供了一种半导体退火设备，以提高工艺效率和加热均匀性。
[0035]本专利技术实施例的半导体退火设备包括3N个调整部和3N个定位部。N为大于等于1的正整数。
[0036]图1为本专利技术一些实施例的若干调整部的第一工作状态示意图。图2为本专利技术一些实施例的若干调整部的第二工作状态示意图。
[0037]参照图1和图2，3个调整部10围成能够容纳目标本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体退火设备，其特征在于，包括：3N个调整部，围成能够容纳目标晶圆的转移承载区，每个所述调整部包括第一承托结构，所述第一承托结构的自由端靠近所述转移承载区的中心；3N个定位部，围成能够容纳所述目标晶圆的工艺承载区，每个所述定位部包括第二承托结构，所述第二承托结构的自由端靠近所述工艺承载区的边缘，相邻所述第二承托结构之间的距离允许所述第一承托结构通过；移动控制部，通信连接3N个所述调整部，以带动3N个所述第一承托结构进行运动，从而调整所述目标晶圆和所述工艺承载区之间的相对位置关系；N为大于等于1的正整数。2.根据权利要求1所述的半导体退火设备，其特征在于，还包括第一加热部和第二加热部，所述第一加热部和所述第二加热部分别朝向所述工艺承载区的两侧设置，以加热所述目标晶圆的正面和背面。3.根据权利要求1所述的半导体退火设备，其特征在于，所述第二承托结构为透光导热承托结构。4.根据权利要求1所述的半导体退火设备，其特征在于，还包括通信连接所述移动控制部的位置信息获取部，所述位置信息获取部朝向所述工艺承载区的至少一侧设置，以获取并向所述移动控制部反馈所述目标晶圆的位置信息。5.根据权利要求1所述的半导体退火设备，其特征在于，每个所述调整部还包括相对所述第一承托结构倾斜设置的第一倾斜结构，所述第一倾斜结构与所述第一承托结构交汇形成第一限位区，3N个所述第一限位区限定所述转移承载区的范围。6.根据权利要求1所述的半导体退火设备，其特征在于，每个所述定位部还包括相对所述第二承托结构倾斜设置的第二倾斜结构，所述第二倾斜结构与所述第二承托结构相接形成第二限位区，3N个所述第二限位区限定所述工艺承载区的范围。7.根据权利要求1所述的半导体退火设备，其特征在于，3N个所述调整部和/或3N个所述定位部呈环形阵列分布。8.一种半导体退火设备的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：S0：提供...

【专利技术属性】
技术研发人员：康晓旭，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：