一种用于HJT电池非晶硅的清洗方法技术

本发明专利技术提供一种用于HJT电池非晶硅的清洗方法，方法采用刻蚀机进行，清洗时分别对非晶硅的每一面进行酸洗、水洗、碱洗、再水洗和烘干五道工序，最终完成HJT电池非晶硅的清洗。本发明专利技术使用传统PERC刻蚀机清洗，具有清洗速度快、工艺步骤简单、药液活性好、成本低、对硅片损伤较小，去重低等优点，且喷淋清洗时可用清洗寿命长，可清洗100万片以上，能极大提高清洗速度，减少清洗返工片所用时间。减少清洗返工片所用时间。

【技术实现步骤摘要】
一种用于HJT电池非晶硅的清洗方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池制造领域，特别涉及一种用于HJT电池非晶硅的清洗方法。

技术介绍

[0002]太阳能因其清洁安全无污染的特点成为利用效率最高的可再生资源之一。光伏技术作为太阳能最重要的应用之一，可以有效的改变能源消费结构、减小全球变暖和生态环境的增长式恶化趋势。因此，大力发展光伏技术具有深远而重大的意义。
[0003]随着光伏技术水平的飞速进步和发展，晶硅太阳能电池的转换效率逐年提高，当前的光伏工业界，单晶硅太阳能电池的转换效率已经达到20％以上。同时，开发高效电池的项目受到了越来越多的重视，尤其是硅基异质结(HJT)太阳电池。因其制造流程短、制备工艺温度低，同时具备高转化效率、高开路电压、低温度系数、无光致衰减(LID)、无电致衰减(PID)、适合使用薄型硅片制作可弯曲的电池组件、发电量多等优势，HJT成为一个可以和其他能源技术相竞争的最具潜力的重要研究方向之一。
[0004]HJT电池是在硅片的前后表面沉积较薄的本征非晶硅薄膜进行钝化，然后在前后本征层上分别沉积掺杂的p本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于HJT电池非晶硅的清洗方法，其特征在于，所述方法包括：S1、酸洗：利用络合剂和氧化剂对硅片进行酸洗；S2、水洗：利用去离子水对步骤S1酸洗后的硅片进行冲洗；S3、碱洗：利用碱液去除步骤S2水洗后硅片表面残留的非晶硅；S4、再水洗：利用去离子水对步骤S3碱洗后的硅片进行冲洗；S5、烘干：烘干步骤S4再水洗后的硅片S6、翻转清洗：翻转硅片，重复步骤S1～S5处理硅片另一面；所述步骤S1～S6均采用刻蚀机进行操作。2.如权利要求1所述的用于HJT电池非晶硅的清洗方法，其特征在于，所述步骤S1酸洗中的络合剂为氢氟酸，氧化剂为硝酸。3.如权利要求2所述的用于HJT电池非晶硅的清洗方法，其特征在于，所述氢氟酸的质量浓度为10％～20％；所述硝酸的质量浓度为20％～40％。4.如权利要求1所述的用于HJT电池非晶硅的清洗方法，其特征在于，所述步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：冀杨洲，师海峰，白焱辉，黄金，高英杰，潘国鑫，贾慧君，
申请(专利权)人：晋能清洁能源科技股份公司，
类型：发明
国别省市：