包括多晶SIC载体衬底上的单晶SIC薄层的复合结构制造方法技术

本发明专利技术涉及一种制造复合结构的方法，所述复合结构包括布置在多晶SiC载体衬底上的单晶SiC的薄层，所述方法包括：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括多晶SIC载体衬底上的单晶SIC薄层的复合结构制造方法


[0001]本专利技术涉及用于微电子部件的半导体材料领域。本专利技术具体地涉及用于制造复合结构的方法，该复合结构包括在由多晶碳化硅制成的载体衬底上的单晶碳化硅的薄层。

技术介绍

[0002]过去几年对碳化硅(SiC)的关注已经显著增加，因为这种半导体材料能够增加处理能量的能力。SiC越来越广泛地用于制造创新型功率器件，以满足电子器件(特别是诸如电动车辆)领域中的日益增长的需要。
[0003]基于单晶碳化硅的功率器件和集成电源系统相对于它们的传统硅同系物能够管理高得多的能量密度，并且能够以更小的有源区尺寸来进行管理。为了进一步限制SiC上的功率器件的尺寸，生产竖直部件而不是横向部件是有利的。为此，所述结构必须允许布置在SiC结构的前面上的电极与布置在后面上的电极之间的竖直导电。
[0004]然而，旨在用于微电子工业的单晶SiC衬底仍然昂贵且难以以大尺寸供应。因此，有利的是利用薄层转移解决方案来制造复合结构，该复合结构通常包括在较便宜的载体衬底上的单晶SiC薄层。一种公知的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种复合结构(1)的制造方法，所述复合结构(1)包括布置在由多晶碳化硅制成的载体衬底(20)上的单晶碳化硅的薄层(10)，所述方法包括：
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提供由单晶碳化硅制成的初始衬底(11)的步骤，
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在高于1000℃的温度下的第一沉积步骤，以在所述初始衬底(11)上形成多晶碳化硅的中间层(21)，所述中间层(21)的厚度大于或等于1.5微米，
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穿过所述中间层(21)植入轻离子物质的步骤，以在所述初始衬底(11)中形成掩埋脆弱平面(12)，在所述掩埋脆弱平面(12)与所述中间层(21)之间界定所述薄层(10)，
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在高于1000℃的温度下的第二沉积步骤，以在所述中间层(21)上形成多晶碳化硅的附加层(22)，所述中间层(21)和所述附加层(22)形成所述载体衬底(20)，在第二沉积步骤期间，沿着所述掩埋脆弱平面(12)发生分离。2.根据权利要求1所述的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y，
申请(专利权)人：索泰克公司，
类型：发明
国别省市：