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本发明涉及一种制造复合结构的方法，所述复合结构包括布置在多晶SiC载体衬底上的单晶SiC的薄层，所述方法包括：
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该专利属于索泰克公司所有，仅供学习研究参考，未经过索泰克公司授权不得商用。

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