【技术实现步骤摘要】
多晶硅层的制造方法和显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年9月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2020
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0114711号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
[0003]本公开涉及制造多晶硅层的方法、包括由此制造的多晶硅层的显示装置和制造其的方法；并且更具体地，涉及制造具有优异的装置特性和减少的缺陷的多晶硅层的方法、包括由此制造的多晶硅层的显示装置和制造其的方法。
技术介绍
[0004]显示装置当中，平板显示器处于公众注意的中心，因为其可更轻和更薄。平板显示器当中，电致发光显示器为自发光显示器，其使用发射光的发光二极管显示图像，并且不要求分开的光源。另外，电致发光显示器作为下一代显示装置引人注意，因为其具有低功率消耗、高亮度和高反应速度。
[0005]上述电致发光显示器在像素中包括用于驱动发光二极管的电路，该像素包括多个晶体管和至少一个电容器。
[0006]作为在这种电路中使用的晶体管，可使用具...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅层的制造方法，所述方法包括：在基板上形成第一非晶硅层；将N
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型杂质掺杂至所述第一非晶硅层中；在N
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掺杂的第一非晶硅层上形成第二非晶硅层；将P
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型杂质掺杂至所述第二非晶硅层中；和通过将激光束照射在所述N
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掺杂的第一非晶硅层和P
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掺杂的第二非晶硅层上，使所述N
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掺杂的第一非晶硅层和所述P
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掺杂的第二非晶硅层结晶，以形成多晶硅层。2.根据权利要求1所述的制造方法，进一步包括在使所述N
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掺杂的第一非晶硅层和所述P
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掺杂的第二非晶硅层结晶之前，清洁所述非晶硅层，其中所述非晶硅层的所述清洁包括：用氢氟酸清洁所述非晶硅层；和用去离子水冲洗所述非晶硅层。3.根据权利要求2所述的制造方法，其中在所述用氢氟酸清洁所述非晶硅层之后，在所述非晶硅层的表面上测量的与水的接触角小于20度。4.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述第一非晶硅层的厚度为或更大且或更小。5.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述第二非晶硅层的厚度为或更大且或更小。6.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述N
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型杂质的所述掺杂用大于0且小于20...
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