一种硅片的清洗方法技术

本发明专利技术提供了一种硅片的清洗方法，所述清洗方法包括以下步骤：依次对硅片进行酸洗、第一清洗液清洗以及含有制绒添加剂的第二清洗液清洗；所述清洗方法在常规清洗的基础上进一步采用含有绒添加剂的清洗液进行清洗，可完全除去表面油污，提升清洗效果，使清洗良率达100％，从而提升产品合格率，减少返工比例；所述清洗方法流程简单，适用于工业生产。适用于工业生产。适用于工业生产。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片的清洗方法


[0001]本专利技术属于太阳能电池制备
，具体涉及一种硅片的清洗方法。

技术介绍

[0002]在单晶硅太阳能电池生产中，硅片的一般生产加工流程为单晶生长
→
切断
→
外径滚磨
→
平边或V型槽处理
→
切片
→
倒角
→
研磨、腐蚀
→
抛光
→
清洗
→
检测
→
表面制绒及酸洗
→
扩散制结
→
去磷硅玻璃
→
等离子刻蚀及酸洗
→
镀减反射膜
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丝网印刷
→
快速烧结等。上述清洗主要指的是抛光后的最终清洗，而在单晶硅片加工过程中很多步骤都需要清洗，一般在每道工序结束之前都有一次清洗过程来尽量消除本道工序的污染物。因为在单晶硅太阳能电池生产工艺中，经切片、研磨、倒角、抛光等多道工序加工成的硅片，其表面已吸附了各种杂质，如颗粒、金属粒子、硅粉粉尘及有机杂质，因此消除上述污染物的硅片表面清洗至关重要，且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可靠率。
[0003]CN111199874A公开了一种硅片清洗工艺，其包括依次进行的强氧化性溶液清洗、酸性溶液清洗、纯水清洗，强氧化性溶液可与硅表面反应生成一层氧化硅薄膜，与硅片表面的金属离子反应生成金属氧化物，所述酸性溶液可与上述金属氧化物反应生成盐，上述氧化硅薄膜可与酸性溶液反应而被去除，纯水可将附在硅片表面的清溶液清洗干净。
[0004]CN110085513A公开了一种硅片清洗方法和清洗装置，硅片清洗方法包括以下步骤：在利用药液对硅片进行蚀刻后，将所述硅片浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗；取出浸水槽中的硅片后，将硅片依次置于第N冲洗槽、第N
‑
1冲洗槽、
…
、第1冲洗槽进行清洗，在第1冲洗槽中清洗结束后，取出硅片并结束清洗；向第1冲洗槽供应清洗液并使其处于溢流状态，第1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第2冲洗槽中，以此类推，第N
‑
1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第N冲洗槽；N为大于1的整数。
[0005]上述两种方法采用氧化后清洗，虽能去除表面不良，但在后续重新制绒的后会导致效率下降。
[0006]CN112435916A公开了一种硅片清洗方法，包括以下步骤：S00：采用SC1清洗液对硅片进行清洗，以去除硅片表面的颗粒污染、有机杂质及金属离子，所述SC1清洗液包括NH4OH，H2O2，H2O；S01：采用DHF清洗液对硅片进行清洗，以腐蚀在步骤S00中在硅片表面形成的氧化膜，所述DHF清洗液包括HF，H2O；S02：采用SC2清洗液对硅片进行清洗，以去除硅片表面的金属离子，所述SC2清洗液包括HCl，H2O2，H2O；S1：采用含氟离子的酸性清洗溶液对硅片进行清洗，以去除硅片中的金属铝离子，其中氟离子的浓度大于6
E
‑9mol/L，清洗溶液的PH值小于4。该方法清洗效果一般，表面或多或少会存在一些欧油污，增加不合格率。
[0007]综上所述，如何提供一种清洗方法，提升表面清洁效果，提高合格率成为当前迫切需要解决的问题。

技术实现思路

[0008]针对现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种硅片的清洗方法，所述清
洗方法依次采用酸洗、清洗液清洗以及制绒添加剂清洗，优化了清洗方法，提升了清洗效果，流程简单，有利于工业化应用。
[0009]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0010]第一方面，本专利技术提供了一种硅片的清洗方法，所述清洗方法包括以下步骤：
[0011]依次对硅片进行酸洗、第一清洗液清洗以及第二清洗液清洗；
[0012]所述第二清洗液包括制绒添加剂。
[0013]本专利技术中，所述清洗方法依次采用酸洗、第一清洗液清洗以及含有制绒添加剂的第二清洗液清洗，使硅片的表面清洗更加彻底，可完全除去表面油污，无残留，提升产品合格率，减少返工比例；尤其是制绒添加剂清洗，该步骤可进一步促进Si与
‑
OH的接触速率，从而稳定溶液体系，延长溶液失效周期，稳定工艺，拓宽工艺容差范围，提升清洗效果，流程简单，具有较好的工业应用前景。
[0014]以下作为本专利技术优选的技术方案，但不作为本专利技术提供的技术方案的限制，通过以下技术方案，可以更好地达到和实现本专利技术的技术目的和有益效果。
[0015]作为本专利技术优选的技术方案，所述酸洗采用的酸溶液包括草酸溶液。
[0016]优选地，所述草酸溶液的体积分数为15
‑
25％，例如15％、16％、17％、18％、19％、20％、21％、22％、23％、24％或25％等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0017]优选地，所述酸洗的时间为5
‑
20min，例如5min、7min、10min、12min、14min、16min、18min或20min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0018]作为本专利技术优选的技术方案，所述酸洗和所述第一清洗液清洗之间进行水洗。
[0019]优选地，所述水洗的时间为5
‑
20min，例如5min、7min、10min、12min、14min、16min、18min或20min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0020]作为本专利技术优选的技术方案，所述第一清洗液的组成包括无机碱、氧化剂和水。
[0021]本专利技术中，只要包括无机碱、氧化剂和水等组分的清洗液均可使用。所述清洗液可从市面购买得到。
[0022]作为本专利技术优选的技术方案，所述第一清洗液清洗的方式包括超声清洗。
[0023]优选地，所述超声清洗的频率为20
‑
30KHz，例如20KHz、21KHz、22KHz、23KHz、24KHz、5KHz、26KHz、27KHz、28KHz、29KHz或30KHz等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0024]作为本专利技术优选的技术方案，所述第一清洗液清洗的温度为40
‑
60℃，例如40℃、42℃、44℃、46℃、48℃、50℃、52℃、54℃、56℃、58℃或60℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0025]优选地，所述第一清洗液清洗的时间为5
‑
20min，例如5min、7min、10min、12min、14min、16min、18min或20min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0026]作为本专利技术优选的技术方案，所述第一清洗液清洗与所述第二清洗液清洗之间进行水洗。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括以下步骤：依次对硅片进行酸洗、第一清洗液清洗以及第二清洗液清洗；所述第二清洗液包括制绒添加剂。2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述酸洗采用的酸溶液包括草酸溶液；优选地，所述草酸溶液的体积分数为15
‑
25％；优选地，所述酸洗的时间为5
‑
20min。3.根据权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，所述酸洗和所述第一清洗液清洗之间进行水洗；优选地，所述水洗的时间为5
‑
20min。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液的组成包括无机碱、氧化剂和水。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液清洗的方式包括超声清洗；优选地，所述超声清洗的频率为20
‑
30KHz。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液清洗的温度为40
‑
60℃；优选地，所述第一清洗...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑正明，马菁，何悦，任勇，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：