有机锡-无机锡杂化Sn制造技术

本发明专利技术公开了一种有机锡

【技术实现步骤摘要】
有机锡
‑
无机锡杂化Sn
18
型晶态锡氧簇合物及其制备方法


[0001]本专利技术属于无机化学或材料化学领域，具体涉及一种有机锡
‑
无机锡杂化Sn
18
型晶态锡氧簇合物及其制备方法。

技术介绍

[0002]光刻技术是一种用于集成电路(IC)制造的图案形成技术，是现代社会信息技术中最关键的技术之一。光刻技术决定着集成电路中硅晶片上电路节点的特征尺寸，从而决定着制作于每个芯片内晶体管的数量，因此光刻技术越来越成为制约集成电路制造业发展的最关键技术。
[0003]极紫外光刻(Extreme Ultra
‑
violet)，常称作EUV光刻，是以极紫外光作为光源的光刻技术。EUV光刻技术采用中心波长为13.5nm极紫外光作为曝光光源，被认为是实现小于10nm节点甚至更低节点首选的光刻技术。
[0004]光刻胶(又名光致抗蚀剂)，是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、 X射线、离子束等曝光源照射或辐射，使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。半导体用光刻胶通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机锡
‑
无机锡杂化Sn
18
型晶态锡氧簇合物，包括如下三个化合物，其特征在于：化合物1：分子式为[(BuSn)
12
Sn6(μ3‑
O)
20
(PhCO2)
12
(PhPO3)4]，晶体学数据为α＝90
°
,β＝94.0540(10)
°
,γ＝90
°
,Z＝4，单斜晶系，P21/c空间群；化合物2：分子式为[(BuSn)
12
Sn6(μ3‑
O)
20
(4
‑
MePhCO2)
12
(PhPO3)4]
·
2CH3CN
·
2H2O，晶体学数据为α＝76.2874(13)
°
,β＝88.5702(11)
°
,γ＝62.2587(15)
°
,Z＝2，三斜晶系，P
‑
1空间群；化合物3：分子式为[(BuSn)
12
Sn6(μ3‑
O)
20
(4
‑
t
‑
BuPhCO2)
12
(PhPO3)4]
·
2CH3CN
·
2iPrOH
·
2H2O，晶体学数据为晶体学数据为α＝82.1576(12)
°
,β＝80.6499(11)
°
,γ＝67.7108(11)
°
,,Z＝2，三斜晶系，P
‑
1空间群。2.根据权利要求1中所述有机锡
‑
无机锡杂化Sn
18
型晶态锡氧簇合物，其特征在于：晶体结构中十八个Sn
IV
离子中有6个全氧配位无机Sn
...

【专利技术属性】
技术研发人员：张献明，田秀娟，郁有祝，
申请(专利权)人：山西师范大学，
类型：发明
国别省市：