光刻胶组合物及其应用制造技术

本公开提供了一种光刻胶组合物，包括：化学放大基体，化学放大基体包括聚合物树脂、光致酸产生剂和溶剂；溶解抑制剂，为包含重氮萘醌结构的小分子材料。本公开还提供了该光刻胶组合物的应用。本公开的光刻胶组合物通过加入具有重氮萘醌结构的溶解抑制剂，可实现高留膜率的超薄光刻胶膜层，同时增加曝光区与非曝光区域的化学对比度，实现了光刻灵敏度、对比度、分辨率的共同提升。分辨率的共同提升。分辨率的共同提升。

【技术实现步骤摘要】
光刻胶组合物及其应用


[0001]本公开涉及光刻胶
，具体涉及一种光刻胶组合物及其应用。

技术介绍

[0002]分辨力是决定光学光刻性能的前提，传统投影式光刻受到衍射极限的影响，其极限分辨率被限制在1/2～1/4波长的范围内，进一步提高分辨力水平需要持续缩短光源波长和增大数值孔径。而该路线伴随着技术难度和成本的急剧增加，目前最顶级的极紫外光刻(Extreme Ultra
‑
violet，EUV)从设备制造成本、工程技术，以及光刻材料的角度都已逼近这条发展路线的极限。
[0003]为了突破传统分辨力衍射极限瓶颈，近年来研究人员提出了多种新型光学光刻技术，例如基于飞秒激光技术的双光子吸收光刻、基于激发辐射抑制的荧光超分辨光刻、基于表面等离子体激发的SP超衍射光刻等。这些技术有望替代传统的投影式光刻，成为新一代低成本、高效、大面积的纳米光刻技术。
[0004]然而，新型光刻技术所配套的特殊光刻胶材料却很少被文献或专利所报道。作为研究工作，新型高分辨光刻技术的验证所采用的材料几乎都是商用的光刻胶。目前的高分辨光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶组合物，其特征在于，包括：化学放大基体，所述化学放大基体包括聚合物树脂、光致酸产生剂和溶剂；溶解抑制剂，为包含重氮萘醌结构的小分子材料。2.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述聚合物树脂为对羟基苯乙烯类树脂、丙烯酸酯类树脂或由对羟基苯乙烯类单体、丙烯酸酯类单体共聚得到的树脂。3.根据权利要求2所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述聚合物树脂含有酸不稳定基团的重复单元。4.根据权利要求3所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述聚合物树脂分子量为2000～100000；所述聚合物树脂占所述光刻胶组合物的重量百分比为0.5～10％。5.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述溶解抑制剂为包含2～10个重氮萘醌结构的基团且该基团以磺酸酯的形式接枝在含有2～10个酚羟基的多酚骨架结构上的分子。6.根据权利要求5所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述溶解抑制剂的结构如下式III～式VI所示：其中：R4＝H，或者但R4不全为H；R5＝碳原子数为1～5的烷基；n＝1...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗先刚，杨东旭，彭献，苏凯欣，赵泽宇，高平，王长涛，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：