光刻胶组合物、制备方法及应用和形成光刻胶图案的方法技术

本发明专利技术提供了一种光刻胶组合物、制备方法及应用和形成光刻胶图案的方法，具体涉及光刻胶技术领域。该光刻胶组合物包括聚对羟基苯乙烯均聚物和光致去活剂，两者的质量比为100

【技术实现步骤摘要】
光刻胶组合物、制备方法及应用和形成光刻胶图案的方法


[0001]本专利技术涉及光刻胶
，具体涉及一种光刻胶组合物、制备方法及应用和形成光刻胶图案的方法。

技术介绍

[0002]用于KrF准分子激光器(248nm)曝光的深紫外正性光刻胶，在市场上具有广泛而重要的应用。该类型光刻胶主要用于0.25～0.15微米关键尺寸芯片的制造，属于卡脖子项目。
[0003]现有的KrF光刻胶体系主要是基于聚对羟基苯乙烯及其衍生物，它的反应机理是去保护。因为树脂中含有大量的保护基团，同时还含有甲基丙烯酸酯单体，它们的存在降低了胶膜中碳原子的含量，而碳原子的含量直接影响胶膜的耐干法刻蚀性能，导致现有KrF正性光刻胶的耐干法刻蚀性能无法继续提高，技术效果差。同时反应中需要去除树脂中的保护基团，但是去保护反应需要较多的催化剂，所以曝光剂量通常为20～30mJ/cm2，无法继续下降，降低了芯片工厂的生产效率。
[0004]有鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的之一在于提供一种光刻胶组合物，解决了现有技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶组合物，其特征在于，包括聚对羟基苯乙烯均聚物和光致去活剂；其中，所述聚对羟基苯乙烯均聚物和所述光致去活剂的质量比为100
‑
600:2
‑
50。2.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述聚对羟基苯乙烯均聚物的结构式为：其中，n为大于1的整数；优选地，所述聚对羟基苯乙烯均聚物的重均分子量为1000
‑
20000。3.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述光致去活剂包括乙酰苯O
‑
苯甲酰肟、硝苯地平、2
‑
硝基苯基甲基4
‑
甲基丙烯酰氧哌啶
‑1‑
羧酸盐、1,2
‑
二异丙基
‑3‑
[双(二甲基氨基)亚甲基]胍2
‑
(3
‑
苯甲酰苯基)丙酸盐和1,2
‑
二环己基
‑
4,4,5,5四甲基双胍正丁基三苯基硼酸盐中的至少一种。4.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，包括按质量份数计的如下组分：聚对羟基苯乙烯均聚物10
‑
60份、交联剂2
‑
20份、酸性催化剂0.2
‑
5份、光致去活剂0.2
‑
5份；优选地，还包括按质量份数计的溶剂5
‑
90份。5.根据权利要求4所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述交联剂包括甘脲、甘脲衍生物、1,3
‑
双羟甲基脲和1,3
‑
二甲基
‑2‑
咪唑啉酮中的至少一种；优选地，所述酸性催...

【专利技术属性】
技术研发人员：周元基，
申请(专利权)人：潍坊星泰克微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：