晶圆清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆清洗装置，晶圆清洗装置包括：腔室；支撑结构，设置于腔室内，用于承载晶圆；清洁结构，设置于腔室内，包括一个或多个清洁单元；悬臂，与清洁结构连接以使清洁结构能与晶圆相对运动；清洁单元包括第一喷嘴以及第二喷嘴，第一喷嘴用于提供清洗气体以吹扫晶圆表面的污染物，第二喷嘴用于接收清洗气体以及被清洗气体吹扫出的污染物；可选地，在清洗晶圆前，通过悬臂调节清洁结构于所述晶圆之间的距离，使得第一喷嘴和第二喷嘴的延长线相交于晶圆的待清洗表面，本发明专利技术提供的晶圆清洗装置清洁晶圆时能将颗粒等污染物排出到机台外部，在保障清洁效果的前提下防止颗粒等污染物污染腔室，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗装置


[0001]本专利技术涉及存储器
，特别涉及一种晶圆清洗装置。

技术介绍

[0002]存储器件的存储密度的提高与半导体制造工艺的进步密切相关。随着半导体制造工艺的特征尺寸越来越小，存储器件的存储密度越来越高。为了进一步提高存储密度，已经开发出三维结构的存储器件(即，3D存储器件)。3D存储器件包括沿着垂直方向堆叠的多个存储单元，在单位面积的晶片上可以成倍地提高集成度，并且可以降低成本。
[0003]晶圆直接键合技术能够在不使用粘结剂的情况下将两块经过抛光的晶圆紧密的结合在一起。该技术广泛应用于多功能芯片集成、微电子制造和微机电系统封装等新兴领域中，特别是近些年来在3D储存芯片制造过程中的应用极大的推动了3D储存器件技术的快速发展。
[0004]晶圆键合技术对于晶圆表面的洁净度与平整度有着极高的要求，如果在清洁晶圆表面时不能去除杂质颗粒或者在清洁过程中损伤了晶圆表面，都会影响晶圆的键合效果。因此，晶圆清洗技术是影响半导体器件的良率、器件品质及可靠性的重要因素之一。
[0005]在现有的半导体工艺过程中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，包括：腔室；支撑结构，设置于所述腔室内，用于承载晶圆；清洁结构，设置于所述腔室内，包括一个或多个清洁单元；悬臂，与所述清洁结构连接以使所述清洁结构能与所述晶圆相对运动；其中，所述清洁单元包括第一喷嘴以及第二喷嘴，所述第一喷嘴用于提供清洗气体以吹扫所述晶圆表面的污染物，所述第二喷嘴用于接收所述清洗气体以及被所述清洗气体吹扫出的所述污染物。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，所述第一喷嘴与所述第二喷嘴对称设置，所述第一喷嘴的延长线与所述第二喷嘴的延长线相交。3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，所述第一喷嘴的延长线与所述第二喷嘴的延长线相交于所述晶圆的待清洗表面。4.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，所述清洁结构被配置为在清洗所述晶圆时，能够沿预设方向以预设速度移动；其中所述预设方向与所述第一喷嘴提供的清洗气体在所述晶圆上投影的方向相同。5.根据权利要求1所述晶圆清洗装置，所述清洁结构包括多个清洁单元，所述多个清...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖俊雄，何俊青，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：