【技术实现步骤摘要】
存储器件及其编程方法
[0001]本申请是针对申请日为2020年04月23日，申请号为202080000923.0，专利技术名称为存储器件及其编程方法的专利的分案申请。
[0002]本专利技术涉及存储器件及其编程方法，更具体地，涉及用于消除编程干扰的存储器件及其编程方法。
技术介绍
[0003]最近，半导体存储器领域受到越来越多的关注。半导体存储器可以是易失性的或非易失性的。非易失性半导体存储器件即使在未通电的情况下也能够保持数据，因此已经广泛用于蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备和其它设备中。
[0004]根据存储器阵列的结构上的配置，存储器件可以分类为单平面型和多平面型。单平面型存储器件包括布置在单个平面中的存储器阵列，多平面型存储器件包括布置在多个平面中的存储器阵列。当对多平面型存储器件进行编程时，两个或更多平面可以根据多平面编程方案同时被编程和被验证，以提高编程效率。然而，当多平面型存储器件包含缺陷平面(或劣化平面)时，正常平面和缺陷平面(或劣化平面)二者都将被重复地编程以...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于存储器件的编程方法，所述编程方法包括：对所述存储器件中至少两个平面同时开始进行编程；在第一平面被成功编程且第二平面未被成功编程时，绕过所述第一平面，保持对所述第二平面继续编程，直到所述第二平面中的任一平面被成功编程后绕过或编程达到预先确定的编程脉冲计数为止；其中，所述第一平面为所述至少两个平面中一个或多个平面；所述第二平面为所述至少两个平面中除所述第一平面外的平面。2.根据权利要求1所述的编程方法，其中，所述绕过所述第一平面，包括以下至少之一：阻断所述第一平面的平面选择信号；阻断所述第一平面中存储块的块选择信号；取消所述第一平面的所有字线；取消所述第一平面的所有位线。3.根据权利要求2所述的编程方法，其中，所述阻断所述第一平面的平面选择信号或阻断所述第一平面中存储块的块选择信号，包括：将所述平面选择信号设置为逻辑低，以阻断所述第一平面的平面选择信号；或将所述块选择信号设置为逻辑低，以阻断所述第一平面中存储块的块选择信号。4.根据权利要求3所述的编程方法，其中，所述平面选择信号或所述块选择信号与所述第一平面的挂起信号逻辑一致，所述阻断所述第一平面的平面选择信号或阻断所述第一平面中存储块的块选择信号，包括：将所述第一平面的挂起信号设置为逻辑低，使所述平面选择信号为逻辑低，以阻断所述第一平面的平面选择信号；或将所述第一平面的挂起信号设置为逻辑低，使所述块选择信号为逻辑低，以阻断所述第一平面中存储块的块选择信号。5.根据权利要求1所述的编程方法，其中，所述对所述存储器件中至少两个平面同时开始进行编程，包括：同时开始对所述第一平面的一个或多个第一存储器单元和所述第二平面的一个或多个第二存储器单元进行编程。6.根据权利要求5所述的编程方法，其中，所述方法还包括：当少于预设数量的所述一个或多个第一存储器单元尚未被成功编程并且多于所述预设数量的所述一个或多个第二存储器单元尚未被成功编程时，绕过所述第一平面中的所述一个或多个第一存储器单元，保持对所述第二平面中的所述一个或多个第二存储器单元进行编程。7.根据权利要求5所述的编程方法，其中，针对所述一个或多个第一存储器单元的第一编程过程和针对所述一个或多个第二存储器单元的第二编程过程被同时启动，但不同时结束。8.根据权利要求7所述的编程方法，还包括：在所述第一编程过程和所述第二编程过程完成之后，同时开始对所述第一平面的一个或多个第三存储器单元和所述第二平面的一个或多个第四存储器单元进行编程，其中，所述一个或多个第一存储器单元后跟有所述一个或多个第三存储器单元，其中，所述一个或多个第二存储器单元后跟有所述一个或多个第四存储器单元。9.根据权利要求5所述的编程方法，其中，所述一个或多个第一存储器单元对应于第一
编程脉冲计数，其中，所述一个或多个第二存储器单元对应于第二编程脉冲计数，其中，所述第一编程脉冲计数小于所述第二编程脉冲计数。10.根据权利要求9所述的编程方法，还包括：当所述第二编程脉冲计数大于预先确定的编程脉冲计数时，报告针对所述第二平面的编程失败。11.根据权利要求5所述的编程方法，还包括：验证所述一个或多个第一存储器单元和所述一个或多个第二存储器单元是否已经被成功编程，其中，用于待验证的所述一个或多个第一存储器单元的第一次数小于用于待验证的所述一个或多个第二存储器单元的第二次数。12.一种存储器件，包括：至少两个平面；以及耦合到所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李海波，张超，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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