阴极辊、电解铜箔机构及成品铜箔的制备系统技术方案

技术编号:32617954 阅读:58 留言:0更新日期:2022-03-12 17:47
一种阴极辊、电解铜箔机构及成品铜箔的制备系统,属于铜箔制备领域。阴极辊包括辊状的本体、环状的基材铜箔及石墨烯薄膜。环状的基材铜箔形成于本体的周壁且与本体导电连接;石墨烯薄膜形成于基材铜箔的表面并包裹基材铜箔,且石墨烯薄膜复制基材铜箔的表面形貌特征。基材铜箔的材质为单晶铜箔或大晶畴铜箔,大晶畴铜箔在每平方分米的晶界数量≤5个。利用石墨烯薄膜复制基材铜箔的表面形貌特征,利用电解铜箔复制石墨烯薄膜的表面形貌特征以实现对电解铜箔的“预单晶化”,因此显著降低后续退火温度后能够获得单晶铜箔或大晶畴铜箔,且即使电解铜箔厚度<25μm,也可显著降低褶皱的产生。皱的产生。皱的产生。

【技术实现步骤摘要】
阴极辊、电解铜箔机构及成品铜箔的制备系统


[0001]本申请涉及铜箔制备领域,具体而言,涉及一种阴极辊、电解铜箔机构及成品铜箔的制备系统。

技术介绍

[0002]铜作为一种优良导电、导热、延展性性能的金属材料,被广泛应用于国民经济的电子工业等诸多领域,是国民经济发展、高技术竞争不可缺少的基础材料。随着新一代电子信息技术、高端装备制造、新能源汽车等新兴产业的高速发展,对铜材的导电性、导热等性能提出了更高的要求。
[0003]单晶或大晶畴铜箔应用在电路板上,可减少制造过程铜蚀刻量,较好地体现出高导电的精细线路的优势;单晶或大晶畴铜箔作为锂离子电池负极集流体时,也可较好地体现出低内阻、轻薄化的优势。
[0004]然而,现有技术条件采用高温退火制备的单晶或大晶畴铜箔的厚度一般≥25μm,若厚度低于25μm,则容易产生大量褶皱,无法获得满足需求的单晶或大晶畴铜箔,因此常规做法为获得厚度≥25μm的单晶或大晶畴铜箔后,对单晶或大晶畴铜箔进行压延处理等的操作,以满足更轻薄化的需求。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种阴极辊本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阴极辊,其特征在于,所述阴极辊包括:辊状的本体;环状的基材铜箔,形成于所述本体的周壁且与所述本体导电连接;以及石墨烯薄膜,形成于所述基材铜箔的表面并复制有所述基材铜箔的表面形貌特征;其中,所述基材铜箔的材质为单晶铜箔或大晶畴铜箔,所述大晶畴铜箔在每平方分米的晶界数量≤5个。2.根据权利要求1所述的阴极辊,其特征在于,所述基材铜箔的厚度为25

70μm。3.根据权利要求1所述的阴极辊,其特征在于,20nm≤所述石墨烯薄膜的厚度为≤350nm。4.根据权利要求1所述的阴极辊,其特征在于,所述本体的材质为钛。5.根据权利要求1

4中任意一项所述的阴极辊,其特征在于,所述基材铜箔与所述本体之间具有导电胶层。6.一种电解铜箔机构,其特征在于,包括:电解槽,用于装放电解液;如权利要求1

5任意一项所述的阴极辊,利用所述电解液以通过电镀的方式电沉积电解铜箔;以及阳极部,通过所述电解液与...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘开辉张志强刘科海丁志强黄智乐湘斌何梦林王恩哥
申请(专利权)人:松山湖材料实验室
类型:新型
国别省市:

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