本申请提供了一种成像器件、传感器以及电子设备，该成像器件包括半导体衬底，半导体衬底的两侧设置第一阱和第二阱，半导体衬底的表面依次设置有第一绝缘介质层、浮栅和第二绝缘介质层，浮栅位于第一绝缘介质层和第二绝缘介质层之间形成的容纳腔内，第一绝缘介质层设置有至少一个开窗，浮栅和第一阱通过开窗连接；第二阱内包括沟道区域，沿远离沟道区域的方向，沟道区域的表面依次设置有第一绝缘介质层、浮栅和第二绝缘介质层。第一阱和浮栅经由开窗直接相连，则使得电荷经由开窗直接转移至浮栅中，无需通过遂穿的方式进行转移，提高了成像器件的满阱容量，进而提高了电荷转移的效率以及所获取到的图像的质量。率以及所获取到的图像的质量。率以及所获取到的图像的质量。率以及所获取到的图像的质量。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑健华，黄婷婷，慈朋亮，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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