一种组合式套刻标记、使用套刻标记测量套刻误差的方法技术

本公开提供了一种组合式套刻标记、使用套刻标记测量套刻误差的方法，该套刻标记包括当层比较标记和前层基准标记。当层比较标记包括第一比较标记和形成于第一比较标记周围的第二比较标记，前层基准标记包括第一基准标记和形成于第一基准标记周围的第二基准标记。第一比较标记与第一基准标记可上下对应地设置，第二比较标记与第二基准标记上下对应地设置。该测量方法包括：利用第一比较标记和第一基准标记测量出第一套刻误差，利用第二比较标记和第二基准标记测量出第二套刻误差，根据第一套刻误差和/或第二套刻误差确定误差测量结果。本公开通过组合式两种套刻标记提高套刻误差测量可靠性，保证测量精度的前提下有效提高套刻误差的测量精度。误差的测量精度。误差的测量精度。

【技术实现步骤摘要】
一种组合式套刻标记、使用套刻标记测量套刻误差的方法


[0001]本公开涉及套刻误差测量
，更为具体来说，本公开涉及一种组合式套刻标记、使用套刻标记测量套刻误差的方法。

技术介绍

[0002]光刻制程是半导体器件加工过程中的关键工序。在半导体器件整个的加工过程通常需要通过多层光刻才能完成整个制造过程，当层图形和前层图形需要位置对准，即套刻误差(即上下两层图形之间的偏移量)需满足要求，以此保证各器件层之间位置和连接关系符合设计要求。套刻误差大是影响器件良率的主要原因之一。传统的方案虽然也能够进行套刻误差的测量，但其可靠性往往较低，增加了半导体器件的生产成本。因此，如何提高套刻误差测量的可靠性成为了研究的重点。

技术实现思路

[0003]为解决现有套刻误差测量存在的可靠性较低及由此导致的器件成本增加等问题，本公开提供了一种组合式套刻标记、使用套刻标记测量套刻误差的方法。
[0004]为实现上述的技术目的，本公开具体能够提供一种组合式套刻标记，该组合式套刻标记可以包括当层比较标记和前层基准标记。当层比较标记包括第一比较标记本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种组合式套刻标记，其特征在于，包括：当层比较标记，包括第一比较标记和形成于所述第一比较标记周围的第二比较标记；前层基准标记，包括第一基准标记和形成于所述第一基准标记周围的第二基准标记；其中，所述第一比较标记与所述第一基准标记上下对应地设置，所述第二比较标记与所述第二基准标记上下对应地设置。2.根据权利要求1所述的组合式套刻标记，其特征在于，所述第一比较标记和所述第一基准标记均为基于衍射的套刻标记；所述第二比较标记和所述第二基准标记均为基于图像的套刻标记。3.根据权利要求2所述的组合式套刻标记，其特征在于，所述第二比较标记，包括用于测量第一方向上的套刻误差的x轴比较标记和用于测量第二方向上的套刻误差的y轴比较标记；所述第二基准标记，包括x轴基准标记和y轴基准标记；其中，所述x轴比较标记与所述x轴基准标记一一对应地设置，所述y轴比较标记与所述y轴基准标记一一对应地设置；所述第一方向与所述第二方向垂直。4.根据权利要求3所述的组合式套刻标记，其特征在于，所述x轴比较标记，数量为多个，沿平面x轴方向上设置于所述第一比较标记的左侧和/或右侧；所述y轴比较标记，数量为多个，沿平面y轴方向上设置于所述第一比较标记的上侧和/或下侧。5.根据权利要求3所述的组合式套刻标记，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁时元，丁明正，贺晓彬，刘金彪，刘强，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：