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本公开提供了一种组合式套刻标记、使用套刻标记测量套刻误差的方法，该套刻标记包括当层比较标记和前层基准标记。当层比较标记包括第一比较标记和形成于第一比较标记周围的第二比较标记，前层基准标记包括第一基准标记和形成于第一基准标记周围的第二基准标记...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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