用于套刻精度测量的标记系统及量测方法技术方案

本申请公开了一种用于套刻精度测量的标记系统及量测方法，系统包括：第一图案层上的第一套刻标记和第二图案层上的第二套刻标记；其中，所述第二套刻标记为接触孔，所述第一套刻标记的垂直投影全部位于第二套刻标记内。通过将接触孔(即实际图案)作为图案层的套刻标记，透过接触孔标记可以看到另一图案层的套刻标记，便于量测设备测量本图案层与另一图案层之间的套刻精度，由于将实际图案作为套刻标记，可以节省单独套刻标记工艺，缩短工艺时间，同时也避免了制作套刻标记工艺带来的测量误差，从而使得测量值与实际产品的套刻精度一致，可以提升产品的良率。可以提升产品的良率。可以提升产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
用于套刻精度测量的标记系统及量测方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种用于套刻精度测量的标记系统及量测方法。

技术介绍

[0002]光刻(photolithography)是半导体制造工业中的关键工艺。光刻是通过对准、曝光和显影等步骤将掩模板(mask)上的图形转移到目标基板上的工艺过程。一个产品一般包括多层图案层，需要进行多层光刻工艺才能完成整个产品的制作过程。当层图案与前层图案的位置对准尤为重要。套刻精度(overlay，OVL)就是指不同层之间图案的位置对准偏差，套刻精度的大小反映不同层之间图案的位置对准偏差的大小。
[0003]在相关技术中，通过在划片槽(Scribe lane)上成形前层图案和当层图案的套刻标记(overlay mark)，并利用前层图案和当层图案的套刻标记来间接测量前层图案和当层图案的套刻精度，然而鉴于多种复杂原因，利用套刻标记测量的值与实际产品图案的套刻精度存在差异，导致产品不良比重增加。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是针对上述现有技术的不足提出的一种用于套刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于套刻精度测量的标记系统，其特征在于，所述系统包括：第一图案层上的第一套刻标记和第二图案层上的第二套刻标记；其中，所述第二套刻标记为接触孔，所述第一套刻标记的垂直投影全部位于第二套刻标记内。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一套刻标记为方型形态的标记，所述第二套刻标记为孔型的接触孔。3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述方型的第一套刻标记的垂直投影中心与所述孔型的第二套刻标记的中心重合。4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一套刻标记的尺寸为50nm～100nm。5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第二套刻标记的孔型直径尺寸为200nm～300nm。6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一套刻标记位于划片槽上；所述第二套刻标记位于芯片内。7.一种套刻精度量测方法，其特征在于，所述方法包括：在光刻版图中设置如上述权利要求1～6任一项所述的用于套刻精度测量的标记系统，并通过光刻工艺将所述用于套刻精度测量的标记系统中的第一套刻标...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁时元，丁明正，贺晓彬，王桂磊，刘强，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：