异质结太阳能电池及光伏组件制造技术

本发明专利技术提供了一种异质结太阳能电池及光伏组件，其所涉及异质结太阳能电池中位于单晶硅衬底正面的第一掺杂非晶层包括位于第一本征非晶层表面的第一掺杂非晶硅膜以及位于第一掺杂非晶硅膜表面的掺杂非晶氧化硅膜或掺杂非晶碳化硅膜；基于该结构，可以在确保第一掺杂非晶层与第一本征非晶硅层具有良好接触的前提下提高第一掺杂非晶层的透光性，如此能降低太阳光在经过第一本征非晶层与第一掺杂非晶层时的损耗，进而可提高异质结太阳能电池的短路电流，有利于光电转化效率的优化。有利于光电转化效率的优化。有利于光电转化效率的优化。

【技术实现步骤摘要】
异质结太阳能电池及光伏组件


[0001]本专利技术涉及光伏制造领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池及光伏组件。

技术介绍

[0002]异质结太阳能电池是目前一种较为高效的晶硅太阳能电池，其结合了晶体硅电池和硅基薄膜电池的特征，具有制造流程短、工艺温度低、转换效率高和发电量多等优点。图1所示为现有技术所涉及异质结太阳能电池的结构示意图，其自上至下依次包括第一集电极51＇、第一透明导电膜层41＇、第一掺杂非晶层31＇、第一本征非晶层21＇、单晶硅衬底10＇、第二本征非晶层22＇、第二掺杂非晶层32＇、第二透明导电膜层42＇、第二集电极52＇。
[0003]现有技术中所涉及的第一掺杂非晶层31＇通常由掺杂非晶硅膜构成，掺杂非晶硅膜具有较优的电学性能、电导率高，如此使得第一掺杂非晶层31＇与第一本征非晶层21＇之间具有良好的接触；然由掺杂非晶硅膜具有透光性较差的缺陷，会在一定程度上会降低异质结太阳能电池正面的吸光效果，进而影响电池的短路电流Isc，这严重限制了异质结太阳能电池的效率。现有技术有通过调节第一掺杂非晶层31＇掺杂浓度的方式来调节光学带本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池，包括：单晶硅衬底，依次层叠设置于所述单晶硅衬底正面的第一本征非晶层、第一掺杂非晶层、第一透明导电膜层以及第一集电极，依次设置于所述单晶硅衬底背面的第二本征非晶层、掺杂类型与所述第一掺杂非晶层掺杂类型相反的第二掺杂非晶层、第二透明导电膜层以及第二集电极；其特征在于，所述第一掺杂非晶层包括位于所述第一本征非晶层表面的第一掺杂非晶硅膜以及位于所述第一掺杂非晶硅膜表面的掺杂非晶氧化硅膜或掺杂非晶碳化硅膜。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶硅膜的厚度小于或等于所述掺杂非晶氧化硅膜或所述掺杂非晶碳化硅膜的厚度。3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述掺杂非晶氧化硅膜或所述掺杂非晶碳化硅膜的厚度为2-10nm。4.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶硅膜的载流子浓度为5E19～5E21/cm3。5.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶硅膜的光学带隙为1.5-1.9eV，所述掺杂非晶氧化硅膜或所述掺杂非晶碳化硅膜的光学带隙为1.8-2.7eV。6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层还包括位于所述掺杂非晶氧化硅膜或所述掺杂非晶碳化硅膜表面的第二掺杂非晶硅膜。7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶硅膜与所述第二掺杂非晶硅膜的厚度均小于或等于所述掺杂非晶氧化硅膜或所述掺杂非晶碳化硅膜的厚度。8.根据权利要求7所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶硅膜的厚度为1-4nm，所述掺杂非晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚铮，吴华德，张达奇，吴坚，蒋方丹，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：