异质结太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及的异质结太阳能电池的单晶硅衬底的侧面上形成有非晶层，基于本发明专利技术所提供的异质结太阳能电池的具体结构，可以避免第一透明导电膜层、第二透明导电膜层与单晶硅衬底侧面之间形成直接接触导致漏电，降低单晶硅衬底边缘受损风险；而单晶硅衬底的侧面由于被第二本征非晶层包裹，还能有效提高单晶硅衬底整体的钝化效果，进而提高异质结电池片的光电转化效率。电转化效率。电转化效率。

【技术实现步骤摘要】
异质结太阳能电池及其制作方法


[0001]本专利技术涉及光伏制造领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池及其制作方法。

技术介绍

[0002]异质结太阳能电池是目前一种较为高效的晶硅太阳能电池，其结合了晶体硅电池和硅基薄膜电池的特征，具有制造流程短、工艺温度低、转换效率高和发电量多等优点。图1所示为现有技术所涉及异质结太阳能电池的结构示意图，其自上至下依次包括第一集电极51＇、第一透明导电膜层41＇、第一掺杂非晶层31＇、第一本征非晶层21＇、单晶硅衬底10＇、第二本征非晶层22＇、第二掺杂非晶层32＇、第二透明导电膜层42＇、第二集电极52＇。
[0003]在现有技术异质结太阳能电池具体制作过程中，通常先通过PECVD工艺完成单晶硅衬底10＇两表面第一本征非晶层21＇、第二本征非晶层22＇、第一掺杂非晶层31＇、第二掺杂非晶层32＇共四层非晶硅层的制作；继而PVD工艺进行第一透明导电膜层41＇与第二透明导电膜层42＇的制作；最后通过丝网印刷工艺进行第一集电极51＇与第二集电极52＇的制作。
[0004]在四层非晶硅层的具体制作过程中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：单晶硅衬底，所述单晶硅衬底具有相背设置的第一主面与第二主面、以及连接所述第一主面与所述第二主面的侧面，所述第一主面与所述第二主面中的一个为受光面，另一个为背光面；第一本征非晶层，位于所述单晶硅衬底的第一主面且周边延伸至所述第一主面的边缘；第一掺杂非晶层，位于所述第一本征非晶层背离所述单晶硅衬底的一侧表面且周边延伸至所述第一本征非晶层的边缘；第一透明导电膜层，位于所述第一掺杂非晶层背离所述第一本征非晶层的一侧表面；第一集电极，位于所述第一透明导电膜层背离所述第一掺杂非晶层的一侧表面；第二本征非晶层，位于所述单晶硅衬底的第二主面且周边延伸至覆盖全部所述侧面以连接所述第一本征非晶层；第二掺杂非晶层，掺杂类型与所述第一掺杂非晶层掺杂类型相反，位于所述第二本征非晶层背离所述单晶硅衬底的一侧表面且对所述第二本征非晶层形成覆盖；第二透明导电膜层，位于所述第二掺杂非晶层背离所述第二本征非晶层的一侧表面；第二集电极，位于所述第二透明导电膜层背离所述第二掺杂非晶层的一侧表面。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层、所述第一掺杂非晶层、所述第二本征非晶层及所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面的两者厚度之和小于或等于位于所述背光面的两者厚度之和。3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层、所述第一掺杂非晶层、所述第二本征非晶层及所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面的两者厚度之和为6-21nm、位于所述背光面的两者厚度之和为6-30nm。4.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层中位于所述受光面的厚度小于或等于位于所述背光面的厚度。5.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层中位于所述受光面的厚度为3-6nm，位于所述背光面的厚度为3-10nm。6.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面一侧的厚度小于或等于位于所述背光面一侧的厚度。7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面一侧的厚度为3-15nm，位于所述背光面一侧的厚度为3-20nm。8.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面的氧含量大于或等于位于所述背光面一侧的氧含量。9.根据权利要求1、2、3或8所述的异质结太阳能电池，其特征在于，由所述背光面指向所述受光面的方向上，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面的依次包括第一掺杂非晶硅膜以及位于所述第一掺杂非晶硅膜表面的掺杂非晶氧化硅膜、掺杂非晶碳化硅膜或掺杂非晶碳化硅/掺杂非晶氧化硅复合膜。10.根据权利要求9所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层与所
述第二掺杂非晶层中位于所述受光面的还包括位于所述掺杂非晶氧化硅膜、所述掺杂非晶碳化硅膜或所述掺杂非晶碳化硅/掺杂非晶氧化硅复合膜表面的第二掺杂非晶硅膜。11.根据权利要求1、2、3或8所述的异质结太阳能电池，其特征在于，由所述受光面指向所述背光面的方向上，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述背光面的依次包括第三掺杂非晶硅膜以及位于所述第三掺杂非晶硅膜表面且掺杂浓度大于所述第三掺杂非晶硅膜的第四掺杂非晶硅膜。12.根据权利要求1、2、3或8所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二本征非晶层延伸覆盖所述侧面的区域厚度不小于1nm。13.根据权利要求1、2、3或8所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层分别包括至少两层层叠设置的本征膜，每一所述本征膜由本征非晶硅、本征非晶氧化硅、本征非晶碳化硅中的一种构成。14.根据权利要求13所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层和/或所述第二本征非晶层中离所述单晶硅衬底最远的一层本征膜为本征...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚铮，吴华德，张达奇，吴坚，蒋方丹，邢国强，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：