异质结太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，所涉及异质结太阳能电池中的第一本征非晶层与第二本征非晶层相连且完全包覆单晶硅衬底的侧表面，第一导电膜层与第二导电膜层中的至少一个具有周边延伸至单晶硅衬底侧表面外侧以连接两者的侧边导电部，异质结太阳能电池还具有将第一导电膜层、第二导电膜层连接构成的整体分割为两独立导电部的凹槽，两导电部分别电性连接至第一集电极与第二集电极；基于本发明专利技术异质结太阳能电池的具体结构，其具有较好的颜色均一性，而且单晶硅衬底具有最大程度的钝化效果，可有效提高异质结太阳能电池的光电转化效率。的光电转化效率。的光电转化效率。

【技术实现步骤摘要】
异质结太阳能电池及其制作方法


[0001]本专利技术涉及光伏制造领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池及其制作方法。

技术介绍

[0002]异质结太阳能电池是目前一种较为高效的晶硅太阳能电池，其结合了晶体硅电池和硅基薄膜电池的特征，具有制造流程短、工艺温度低、转换效率高和发电量多等优点。图1所示为现有技术所涉及异质结太阳能电池的结构示意图，其自上至下依次包括第一集电极51＇、第一导电膜层41＇、第一掺杂非晶层31＇、第一本征非晶层21＇、单晶硅衬底10＇、第二本征非晶层22＇、第二掺杂非晶层32＇、第二导电膜层42＇、第二集电极52＇。
[0003]在现有技术异质结太阳能电池具体制作过程中，通常先通过PECVD工艺完成单晶硅衬底10＇两侧第一本征非晶层21＇、第二本征非晶层22＇、第一掺杂非晶层31＇、第二掺杂非晶层32＇四层非晶硅层的制作。继而采用图2所示的载板40a进行第一导电膜层41＇与第二导电膜层42＇的制作，具体而言，将已完成四层非晶硅层制作的单晶硅衬底10＇放置于载板40a的通孔内，为对单晶硅衬底10＇形成支撑且避免第一导电膜层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池，包括：单晶硅衬底，依次层叠设置于所述单晶硅衬底第一主表面的第一本征非晶层、第一掺杂非晶层、第一导电膜层及第一集电极，依次层叠设置于所述单晶硅衬底第二主表面的第二本征非晶层、掺杂类型与所述第一掺杂非晶层掺杂类型相反的第二掺杂非晶层、第二导电膜层及第二集电极；其特征在于，所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层相连且完全包覆所述单晶硅衬底的侧表面，所述第一导电膜层与所述第二导电膜层中的至少一个具有周边延伸至所述单晶硅衬底侧表面外侧以连接两者的侧边导电部，所述异质结太阳能电池还具有将所述第一导电膜层、所述第二导电膜层连接构成的整体分割为两独立导电部的凹槽，两所述导电部分别电性连接至所述第一集电极与所述第二集电极。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述凹槽设置于所述单晶硅衬底的第一主表面侧且位于所述第一集电极形成区域外围；或，所述凹槽设置于所述单晶硅衬底的第二主表面侧且位于所述第二集电极形成区域外围；或，所述凹槽设置于所述单晶硅衬底的侧表面侧。3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述凹槽穿透所述第一导电膜层、所述第二导电膜层连接构成的整体且未连接至所述单晶硅衬底。4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述凹槽的宽度不大于50μm。5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层均具有周边延伸至所述单晶硅衬底侧表面外侧的侧边钝化部，两所述侧边钝化层中的至少一个依附所述单晶硅衬底侧表面成型以连接所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层。6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池，其特征在于，两所述侧边钝化层中的一个覆于另一个的外表面。7.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层和/或第二掺杂非晶层具有周边延伸至所述单晶硅衬底侧表面外侧的侧边掺杂部。8.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一导电膜层与所述第二导电膜层均具有周边延伸至所述单晶硅衬底侧表面外侧的侧边导电部，所述第一导电膜层的侧边导电部与所述第二导电膜层的侧边导电部中的一个覆于另一个外表面。9.根据权利要求1-8任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一主面与所述第二主面中的一个为受光面，另一个为背光面，所述第一本征非晶层、所述第一掺杂非晶层、所述第二本征非晶层及所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面的两者厚度之和小于或等于位于所述背光面的两者...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴华德，姚铮，张达奇，吴坚，蒋方丹，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：