一种掺硅补锂负极片及其制备方法以及锂离子电池技术

本发明专利技术属于锂离子技术领域，尤其涉及一种掺硅补锂负极片及其制备方法以及锂离子电池，从上至下依次包括第一掺硅涂层、第一负极集流体、补锂层、第二负极集流体和第二掺硅涂层。本发明专利技术的掺硅补锂负极片两外侧设置有第一掺硅涂层和第二掺硅涂层，内侧设置有补锂层，具有高的克容量、首次效率、循环稳定性以及安全性。循环稳定性以及安全性。循环稳定性以及安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种掺硅补锂负极片及其制备方法以及锂离子电池


[0001]本专利技术属于锂离子
，尤其涉及一种掺硅补锂负极片及其制备方法以及锂离子电池。

技术介绍

[0002]锂离子电池因其具有高能量密度，高输出电压，无记忆效应，环境友好等优点，被广泛应用于电子移动设备，动力交通运输网，智能电网等领域。然而，在其反复充放电过程中，容易导致活性物质锂离子的损失。当锂离子电池的负极为石墨时，其首次库伦效率一般在92％
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94％，理论克容量为372mAh/g，导致整个电池能量密度很难提高。若要提高电池的能量密度，目前的主流是对石墨进行掺硅，虽然硅有较高的理论克容量，但是掺硅后电芯首效较低，且循环稳定性较差，此时要想实现大规模的应用，对其进行补锂是必要的。
[0003]现有的补锂技术层出不穷，研究人员提出了多种补锂策略。中国专利 CN202010584954.7提出了一种补锂负极片、锂离子电池及其制备方法，通过将正负极组装成电池进行充放电到达一定的截止电压之后，再将电池拆解，除去正极片，得到补锂的负极片。此方法操作繁琐复杂，补锂后的负极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺硅补锂负极片，其特征在于，从上至下依次包括第一掺硅涂层、第一负极集流体、补锂层、第二负极集流体和第二掺硅涂层，第一掺硅涂层与第二掺硅涂层连接，第一负极集流体与第二负极集流体连接。2.根据权利要求1所述的掺硅补锂负极片，其特征在于，所述第一掺硅涂层与第二掺硅涂层一体成型连接，第一负极集流体与第二负极集流体一体成型连接。3.根据权利要求1或2所述的掺硅补锂负极片，其特征在于，所述补锂层的厚度为1～100μm，所述第一掺硅涂层和/或第二掺硅涂层的厚度为10～50μm。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的一种掺硅补锂负极片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、配制负极硅基浆料，取一负极集流体，将负极硅基浆料涂覆于负极集流体的一表面形成负极硅基涂层得到基片；步骤S2、取一补锂片，将补锂片设置于基片远离负极硅基浆料的另一表面得到复合基片；步骤S3、以补锂片为内侧面，将复合基片翻折，使补锂片对折形成补锂层，负极集流体对折形成第一负极集流体和第二负极集流体，负极硅基...

【专利技术属性】
技术研发人员：周颖，王志斌，徐雄文，帅波，
申请(专利权)人：湖南立方新能源科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：