一种一体化MEMS氢气传感器制备方法技术

本发明专利技术涉及气体传感器技术领域，具体地说是一种一体化MEMS氢气传感器制备方法，对MEMS进行清洁和干燥后转移至ALD反应器中，以四(二甲氨基)锡(IV)和水为前驱体沉积SnO2薄膜，控制ALD SnO2在MEMS上沉积的循环次数，获得不同厚度SnO2薄膜，在MEMS沉积150循环的ALD

【技术实现步骤摘要】
一种一体化MEMS氢气传感器制备方法


[0001]本专利技术涉及气体传感器
，具体地说是一种一体化MEMS氢气传感器制备方法。

技术介绍

[0002]众所周知，H2是一种无色无味的气体，由于其对环境的影响相对较低，因此被认为是一种有吸引力的替代能源和可持续能源载体。作为宇宙中最丰富的元素，H2是地球上一种很有前途的“清洁”燃料，因为燃烧反应的副产品只是水。然而H2分子的泄漏当超过一定的临界浓度时会引起严重的爆炸和极其致命的。因此，开发合适的仪器来确定和控制产生、运输、储存和利用过程中的H2含量变得越来越重要和紧迫。
[0003]已有研究报道了形貌、晶面和尺寸等多种气敏性能影响因素。纳米敏感材料的粒径大于德拜长度时，其粒径变化对敏感性能影响较小，而随着粒径减小气敏响应逐渐升高，因此减小纳米颗粒直径是提高敏感性能有效手段之一。
[0004]然而，传统制备方法如滴涂法、旋涂法等很难在MEMS上制备均匀薄膜，而接近电子耗尽层厚度的气敏材料粒径一般较小，工作温度较高，因此气敏材料的纳米颗粒在工作温度下容易发生团聚，进而降低气敏材料的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种一体化MEMS氢气传感器制备方法，其特征在于包括以下步骤：S1：对MEMS进行清洁和干燥；S2：将MEMS转移至ALD反应器中；S3：以四(二甲氨基)锡(IV)和水为前驱体沉积SnO2薄膜；S4：通过控制ALD SnO2在MEMS上沉积的循环次数，获得不同厚度SnO2薄膜；S5：在MEMS沉积的ALD
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SnO2上继续沉积NiO；S6：以二茂镍(NiCp2)和O3为前体，沉积温度控制在270℃；S7：对所述NiCp2的脉冲、暴露和吹扫时间分别为0.03～100、0.03～300和5～1200秒，对所述O3的脉冲、暴露和吹扫时间分别为0.03～100、...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡庆敏，徐甲强，张景韬，王晨，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：