一种碳化硅mosfet散热结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种碳化硅mosfet散热结构，包括：主体、固定槽、卡块；所述固定槽位于主体外侧的下方，且固定槽与主体为一体式结构；所述卡块呈前后对称排列的方式分别位于固定槽的前后两侧，且卡块与固定槽为一体式结构；所述固定架的上方设置在固定槽的内部，且固定架与固定槽通过卡块相连接；所述底板设置在固定架的下侧，且底板与固定架通过焊接方式相连接；所述散热槽位于底板的下侧，且散热槽与底板为一体式结构；所述安装槽位于底板上侧的中间，且安装槽与底板为一体式结构。通过在结构上的改进，具有有效散热和固定牢固的优点，从而有效的解决了现有装置中出现的问题和不足。不足。不足。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅mosfet散热结构


[0001]本技术涉及碳化硅mosfet
，更具体的说，尤其涉及一种碳化硅mosfet散热结构。

技术介绍

[0002]Mosfet即金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，与传统的硅质mosfet相比，碳化硅mosfet的导通电阻和开关损耗大幅降低，适应于更高的工作频率。
[0003]目前常见碳化硅mosfet的结构较为简单，其散热性能还存在不完善，装置在使用时，受到电路板及其内部的元器件的影响，会产生大量的热量，降低装置的性能，甚至造成装置发生损坏的问题。
[0004]有鉴于此，针对现有的问题予以研究改良，提供一种碳化硅mosfet散热结构，旨在通过该技术，达到解决问题与提高实用价值性的目的。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种碳化硅mosfet散热结构，以解决上述
技术介绍
中提出的目前常见碳化硅mosfet的结构较为简单，其散热性能还存在不完善，装置在使用时，受到电路板及其内部的元器件的影响，会产生大量的热量，降低装置的性能，甚至造成装置发生损坏的问题和不足。
[0006]为实现上述目的，本技术提供了一种碳化硅mosfet散热结构，由以下具体技术手段所达成：
[0007]一种碳化硅mosfet散热结构，包括：主体、固定槽、卡块、固定架、底板、散热槽、安装槽、隔热板、封盖、引脚、圆槽；所述固定槽位于主体外侧的下方，且固定槽与主体为一体式结构；所述卡块呈前后对称排列的方式分别位于固定槽的前后两侧，且卡块与固定槽为一体式结构；所述固定架的上方设置在固定槽的内部，且固定架与固定槽通过卡块相连接；所述底板设置在固定架的下侧，且底板与固定架通过焊接方式相连接；所述散热槽位于底板的下侧，且散热槽与底板为一体式结构；所述安装槽位于底板上侧的中间，且安装槽与底板为一体式结构；所述隔热板设置在安装槽内的下方，且隔热板与安装槽之间卡接；所述封盖设置在安装槽内的上方，且封盖与安装槽通过螺栓固定方式相连接；所述引脚在主体的下侧设置有三处，且引脚的上端与主体通过焊接方式相连接；所述圆槽呈均布排列的方式在主体的外侧设有多处，且圆槽与主体为一体式结构。
[0008]作为本技术方案的进一步优化，本技术一种碳化硅mosfet散热结构所述卡块为侧视呈楔形的块状结构，且卡块呈水平排列的方式设有多处。
[0009]作为本技术方案的进一步优化，本技术一种碳化硅mosfet散热结构所述固定架为俯视呈长方形的筒装结构，且固定架的外侧设有多处长方形的槽孔，并且固定架与卡块之间卡接。
[0010]作为本技术方案的进一步优化，本技术一种碳化硅mosfet散热结构所述底板为侧视呈等腰梯形的板状结构，且底板的内部设有三处长方形的槽孔。
[0011]作为本技术方案的进一步优化，本技术一种碳化硅mosfet散热结构所述散热槽为侧视呈弧形的槽状结构，且散热槽呈前后对称排列的方式设有多处。
[0012]作为本技术方案的进一步优化，本技术一种碳化硅mosfet散热结构所述隔热板和封盖均为长方形的板状结构，且隔热板和封盖的内部均设有三处长方形的槽孔。
[0013]作为本技术方案的进一步优化，本技术一种碳化硅mosfet散热结构所述引脚为长条形的杆状结构，且引脚的上部侧视呈S形,并且引脚分别与底板、隔热板和封盖之间穿接。
[0014]由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：
[0015]1、本技术一种碳化硅mosfet散热结构，通过在主体的下侧设置固定架和底板，并在底板的内部设置隔热板，可以将装置与电路板隔开，防止电路板的热量传递给装置，通过在固定架的外侧设置矩形槽孔，并将引脚的上方设置为S状，可以提升引脚的散热效果，同时通过在主体的表面设置圆槽，可以提升主体的散热效果，从而使该装置起到有效散热的作用。
[0016]2、本技术一种碳化硅mosfet散热结构，通过在固定架的下侧设置侧视呈等腰梯形的底板，并在底板的下侧设置多处弧形的散热槽，不仅减小了底板与电路板的接触面积，留出了热量向外扩散的通道，还可以使底板与电路板相贴合，提升装置的固定紧固度，以防其在固定过程中发生晃动，从而使该装置起到固定牢固的作用。
[0017]3、本技术通过对上述装置在结构上的改进，具有有效散热和固定牢固的优点，从而有效的解决了现有装置中出现的问题和不足。
附图说明
[0018]构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
[0019]图1为本技术的结构示意图；
[0020]图2为本技术固定槽处结构示意图；
[0021]图3为本技术固定架处结构示意图；
[0022]图4为本技术安装槽处分解结构示意图；
[0023]图5为本技术底板下侧结构示意图。
[0024]图中：主体1、固定槽2、卡块3、固定架4、底板5、散热槽6、安装槽7、隔热板 8、封盖9、引脚10、圆槽11。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0026]需要说明的是，在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两
个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0027]此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0028]同时，在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电性连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0029]请参见图1至图5，本技术提供一种碳化硅mosfet散热结构的具体技术实施方案：
[0030]一种碳化硅mosfet散热结构，包括：主体1、固定槽2、卡块3、固定架4、底板 5、散热槽6、安装槽7、隔热板8、封盖9、引脚10、圆槽11；固定槽2位于主体1外侧的下方，且固定槽2与主体1为一体式结构；卡块3呈前后对称排列的方式分别位于固定槽2的前后两侧，且卡块3与固定槽2为一体式结构；固定架4的上方设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅mosfet散热结构，包括：主体(1)、固定槽(2)、卡块(3)、固定架(4)、底板(5)、散热槽(6)、安装槽(7)、隔热板(8)、封盖(9)、引脚(10)、圆槽(11)；其特征在于：所述固定槽(2)位于主体(1)外侧的下方，且固定槽(2)与主体(1)为一体式结构；所述卡块(3)呈前后对称排列的方式分别位于固定槽(2)的前后两侧，且卡块(3)与固定槽(2)为一体式结构；所述固定架(4)的上方设置在固定槽(2)的内部，且固定架(4)与固定槽(2)通过卡块(3)相连接；所述底板(5)设置在固定架(4)的下侧，且底板(5)与固定架(4)通过焊接方式相连接；所述散热槽(6)位于底板(5)的下侧，且散热槽(6)与底板(5)为一体式结构；所述安装槽(7)位于底板(5)上侧的中间，且安装槽(7)与底板(5)为一体式结构；所述隔热板(8)设置在安装槽(7)内的下方，且隔热板(8)与安装槽(7)之间卡接；所述封盖(9)设置在安装槽(7)内的上方，且封盖(9)与安装槽(7)通过螺栓固定方式相连接；所述引脚(10)在主体(1)的下侧设置有三处，且引脚(10)的上端与主体(1)通过焊接方式相连接；所述圆槽(11)呈均布排列的方式在主体(1)的外侧设有多处，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建，张前，苏显，张敏，
申请(专利权)人：天津市云驱科技有限公司，
类型：新型
国别省市：