【技术实现步骤摘要】
用于检测半导体元件特性的半导体器件及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年8月18日提交的申请号为10
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2020
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0103298的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
[0003]本公开涉及半导体设计技术，并且更具体地，涉及用于检测晶体管的工作电流特性的半导体器件及其操作方法。
技术介绍
[0004]半导体器件通常被形成在硅晶片上。通常，在一个晶片上形成几十到数百个半导体器件。在晶片上形成多个半导体器件之后，进行测试以判断晶片上的每个半导体器件是否正常运行。仅将具有正常运行的半导体器件的晶片包装并发货。
[0005]使用各种方法中的任意一种来进行这种测试。测试电参数以判断每个半导体器件的每个单元元件的电特性是否对应于目标特性。还测试了有关半导体器件是否按设计运行的功能方面。在这种测试中，判断是否响应于输入到半导体器件的信号而正确地输出信号。
[0006]为了测试单元元件的电特性，可以测量由于向半导体器...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一监测焊盘和第二监测焊盘；测试电路，包括：NMOS晶体管，其漏极和源极耦接在第一电压端子与公共节点之间；PMOS晶体管，其漏极和源极耦接在所述公共节点与第二电压端子之间；第一开关元件，其具有经由第一电阻器耦接到所述公共节点的第一端子和与所述第一监测焊盘耦接的第二端子；以及第二开关元件，其具有经由第二电阻器耦接到所述公共节点的第三端子和与所述第二监测焊盘耦接的第四端子；以及测试控制电路，其适用于控制所述测试电路。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在数据输入/输出操作中，所述测试控制电路将所述NMOS晶体管、所述PMOS晶体管、所述第一开关元件和所述第二开关元件全部关断，以使所述第一监测焊盘和所述第二监测焊盘浮置。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在第一测量模式下，当接地电压电平被施加到所述第一监测焊盘时，所述测试控制电路形成从所述第一电压端子到所述第一监测焊盘的第一电流路径，以及然后调整所述NMOS晶体管的漏
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源电压和栅
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源电压。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述测试控制电路向所述第一电压端子供应电源电压，并且将所述NMOS晶体管、所述第一开关元件和所述第二开关元件导通，以形成所述第一电流路径。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述测试控制电路将所述第一电压端子和所述NMOS晶体管的栅极的电压电平调整为所述公共节点的电压与电源电压之和，以调整所述NMOS晶体管的所述漏
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源电压和栅
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源电压。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在第二测量模式下，当电源电压电平被施加到所述第一监测焊盘时，所述测试控制电路形成从所述第一监测焊盘到所述第二电压端子的第二电流路径，以及然后调整所述PMOS晶体管的漏
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源电压和栅
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源电压。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述测试控制电路向所述第二电压端子供应接地电压，并且将所述PMOS晶体管、所述第一开关元件和所述第二开关元件导通，以形成所述第二电流路径。8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一监测焊盘的电压电平被调整为所述第一电阻器的两个端子之间的电压与所述电源电压之和，以调整所述PMOS晶体管的所述漏
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源电压和栅
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源电压。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述NMOS晶体管的源极和主体以及所述PMOS晶体管的所述源极和主体被耦接到所述公共节点。10.一种半导体器件的操作方法，所述半导体器件包括：NMOS晶体管，其漏极和源极耦接在第一电压端子与公共节点之间；PMOS晶体管，其漏极和源极耦接在所述公共节点与第二电压端子之间；第一开关元件，其具有经由第一电阻器耦接到所述公共节点的第一端子和与第一监测焊盘耦接的第二端子；以及第二开关元件，其具有经由第二电阻器耦接到所述公共节点的第三端子和与第二监测焊盘耦接的第四端子，所述操作方法包括：在第一测量模式下，当接地电压被施加到所述第一监测焊盘时，形成从所述第一电压端子到所述第一监测焊盘的第一电流路径，以及然后调整所述NMOS晶体管的漏
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源电压和栅
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源电压；以及
在第二测量模式下，当电源电压被施加到所述第一监测焊盘时，形成从所述第一监测焊盘到所述第二电压端子的第二电流路径，以及然后调整所述PMOS晶体管的漏
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【专利技术属性】
技术研发人员：洪玧锡，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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