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本公开提供了一种用于检测半导体元件特性的半导体器件及其操作方法。根据一个实施例，半导体器件包括：第一监测焊盘和第二监测焊盘；测试电路，包括：NMOS晶体管，其漏极和源极耦接在第一电压端子与公共节点之间；PMOS晶体管，其漏极和源极耦接在公共...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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