含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置制造方法及图纸

本申请属于有机材料领域，提供一种含氮化合物及其电子元件和电子装置。所述含氮化合物的结构如式1所示，其中，L、L1和L2各组独立地选自单键、碳原子数为6～25的取代或未取代的亚芳基等，Ar1、Ar2和Ar3选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基等。所述含氮化合物能提高电子元件的性能。子元件的性能。子元件的性能。子元件的性能。

【技术实现步骤摘要】
含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置


[0001]本申请涉及有机材料领域，具体而言，涉及一种含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管具有直流电压驱动、主动发光、体积小、视角宽、响应速度快、色彩鲜艳和制作工艺简单等优点，在未来显示领域应用前景广阔。
[0003]有机发光器件的结构中，电子阻挡层用于阻挡有机发光层传输过来的电子，进而保证电子和空穴能够很高效地在有机发光层复合；同时，电子阻挡层还可以阻挡有机发光层扩散过来的激子，减少激子的三线态淬灭，进而保证有机电致发光器件的发光效率。电子阻挡层的化合物具有比较高的LUMO值，其可以有效阻挡电子和激子从有机发光层向阳极方向的传输和扩散。有机空穴传输材料主要包括腙类、咔唑类、恶二唑类、三芳胺类、苯乙烯类和丁二烯等化合物。其中三芳胺类空穴传输材料能够在电场作用下形成铵离子自由基，具有较高的空穴迁移率，光电性能比较好。
[0004]芳香胺类化合物具有空穴迁移率高、电化学性能和主体发光性优等特点，已作为OLED空穴传输材料及发光材料被广泛研究和应用。其中，三苯胺类化合物以氮原子为中心，具有螺旋桨结构。较大的空间位阻和超共轭效应，促使氮原子自由基具有较高的稳定性，这种独特的自由基性质使得三苯胺类化合物具有较高的空穴迁移率。
[0005]然而，有机发光材料的寿命和效率问题，一直制约着OLED的产业化发展。国内外学者对性能优异的新型有机发光材料进行了广泛研究，以缩短OLED产业化进程。因此，仍有必要开发新的有机发光材料。r/>[0006]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0007]针对现有技术存在的上述不足，本申请提供了一种含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置，所述含氮化合物能够提高电子元件的性能。
[0008]为实现上述专利技术目的，本申请采用如下技术方案：
[0009]根据本申请的第一方面，提供一种含氮化合物，该含氮化合物的结构如式1所示：
[0010][0011]其中，L、L1和L2相同或不同，且分别独立地选自单键、碳原子数为6～25的取代或未
取代的亚芳基、碳原子数为3～25的取代或未取代的亚杂芳基；
[0012]Ar1、Ar2和Ar3相同或不同，且分别独立地选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
[0013]L、L1、L2、Ar1、Ar2和Ar3中的取代基相同或不同，且分别独立地选自氘、卤素、氰基、碳原子数为3～18的杂芳基、碳原子数为6～18的芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基；任选地，相邻的两个取代基形成环。
[0014]根据本申请的第二方面，提供一种电子元件，包括阳极、阴极、以及介于阳极与阴极之间的功能层，所述功能层包含本申请第一方面所述的含氮化合物。
[0015]根据本申请的第三方面，提供一种电子装置，包括本申请第二方面所述的电子元件。
[0016]本申请提供的含氮化合物具有三芳胺和双咔唑结构，三芳胺类化合物具有较好的给电性，能够在电场的作用下形成铵正离子，化合物具有较低的离子化电位，较高的空穴迁移率和较好的光稳定性。进一步地，咔唑为富电子含氮杂环结构，以其中一个咔唑基(简称“咔唑基A”)为中心，其N原子与另一咔唑基的1号位连接，同时将咔唑基A的苯环与三芳胺类结构相连，使得整个分子结构由于其特殊的刚性结构并易在咔唑基A的部分活性位置进行功能性修饰，被用作具有高热稳定性的空穴传输材料。另外，在三芳胺类结构上引入该具有特定连接位置的双咔唑基可以更有效实现传输材料与电荷产生材料的有效匹配，同时改善化合物的溶解性，提高其热稳定性。将本申请的含氮化合物应用到有机电致发光器件中，在保持器件具有较低驱动电压的情况下，能有效提高器件的发光效率和使用寿命。
[0017]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
附图说明
[0018]附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。
[0019]图1是本申请一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
[0020]图2是本申请一种实施方式的第一电子装置的结构示意图。
[0021]图3是本申请一种实施方式的光电转化器件的结构示意图。
[0022]图4是本申请一种实施方式的第二电子装置的结构示意图。
[0023]附图标记说明
[0024]100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；320、空穴传输层；321、第一空穴传输层；322、第二空穴传输层；330、有机电致发光层；340、电子传输层；350、电子注入层；360、光电转化层；400、第一电子装置；500、第二电子装置。
具体实施方式
[0025]以下结合附图对本申请的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。
[0026]在本申请中，所采用的描述方式“各
……
独立地选自”与
“……
分别独立地为”和
“……
独立地选自”可以互换，均应做广义理解，其既可以是指在不同基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响，也可以表示在相同的基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响。举例来讲，“其中，各q独立地选自0、1、2或3，各R”独立地选自氢、氘、氟、氯”，其含义是：式Q
‑
1表示苯环上有q个取代基R”，各个R”可以相同也可以不同，每个R”的选项之间互不影响；式Q
‑
2表示联苯的每一个苯环上有q个取代基R”，两个苯环上的R”取代基的个数q可以相同或不同，各个R”可以相同也可以不同，每个R”的选项之间互不影响。
[0027]在本申请中，术语“任选”、“任选地”意味着随后所描述的事件或者环境可以但不必发生，该说明包括该事情或者环境发生或者不发生的场合。例如，“任选地，相邻的两个取代基形成环”意味着这两个取代基可以形成环但不是必须形成环，包括：相邻的两个取代基形成环的情景和相邻的两个取代基不形成环的情景。
[0028]在本申请中，“取代或未取代的”这样的术语是指，在该术语后面记载的官能团可以具有或不具有取代基(下文为了便于描述，将取代基统称为R
c
)，如果具有取代基的情况下，取代基的个数可以是一个，也可以是多个。例如，“取代或未取代的芳基”是指具有一个或多个取代基R
c
的芳基或者非取代的芳基。其中上述的取代基，即R
c
，例如可以为氘、卤素基团、氰基、杂芳基、芳基、三烷基硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含氮化合物，其特征在于，所述含氮化合物的结构如式1所示：其中，L、L1和L2相同或不同，且分别独立地选自单键、碳原子数为6～25的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～25的取代或未取代的亚杂芳基；Ar1、Ar2和Ar3相同或不同，且分别独立地选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；L、L1、L2、Ar1、Ar2和Ar3中的取代基相同或不同，且分别独立地选自氘、卤素、氰基、碳原子数为3～18的杂芳基、碳原子数为6～18的芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基；任选地，相邻的两个取代基形成环。2.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，L、L1、L2分别独立地选自单键、碳原子数为6～18的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5～15的取代或未取代的亚杂芳基；优选地，L、L1、L2中的取代基选自氘、氟、氰基、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为3～7的三烷基硅基、碳原子数为1～4的卤代烷基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为5～8的环烷基。3.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，L、L1、L2分别独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚芴基，或者选自上述至少两个基团彼此通过单键连接所形成的二价基团。4.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，L选自单键，或者选自取代或未取代的基团V，未取代的基团V选自如下基团所组成的组：其中，取代的基团V中具有一个或两个以上的取代基，取代基各自独立地选自氘、氰基、氟、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、环戊基、环己基、三甲基硅基、三氟甲基；当取代基的个数大于1时，各取代基相同或不同。5.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，Ar1、Ar2和Ar3分别独立地选自碳原子数为6～25的取代或未取代的芳基、或者碳原子数为5～25的取代或未取代的杂芳基；优选地，Ar1、Ar2和Ar3中的取代基分别独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为5～12的杂芳基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为3～7的三烷基硅基、碳
原子数为1～4的卤代烷基、碳原子数为5～10的环烷基；任选地，相邻的两个取代基形成5～13元的饱和或不...

【专利技术属性】
技术研发人员：马天天，杨敏，南朋，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：