胺化合物和包括其的发光装置制造方法及图纸

提供了由式1表示的胺化合物和包括胺化合物的发光装置。发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层，其中发光装置包括由式1表示的胺化合物。式1表示的胺化合物。式1表示的胺化合物。

【技术实现步骤摘要】
胺化合物和包括其的发光装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年8月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
‑
2020
‑
0104804号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本公开的一个或多个实施方式涉及胺化合物和包括胺化合物的发光装置。

技术介绍

[0004]发光装置为将电能转换为光能的装置。此类发光装置的实例包括使用有机材料用于发射层的有机发光装置和使用量子点用于发射层的量子点发光装置等。
[0005]发光装置可包括基板上的第一电极，以及顺序堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区朝向发射层移动。载流子(比如空穴和电子)在发射层中复合以生产激子。这些激子从激发态跃迁(弛豫)到基态以产生光。

技术实现思路

[0006]本公开的一个或多个实施方式包括具有低驱动电压、改善的效率和长寿命的发光装置。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间且包括发射层的夹层，其中所述发光装置包括由式1表示的胺化合物：式1其中，在式1中，每个A独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的环己基，n1至n4各自独立地为选自0至3的整数，条件是n1+n2+n3+n4≥1，L1至L3、Ar1和Ar2各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，a1至a3各自独立地为选自0至5的整数，R1和R2各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，b1为选自0至3的整数，b2为选自0至4的整数，并且R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；各自未被取代或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任意组合；各自未被取代或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基或C6‑
C
60
芳硫
基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任意组合；或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，其中Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；C1‑
C
60
烷基；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；或者各自未被取代或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基：氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合。2.如权利要求1所述的发光装置，其中：所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述夹层进一步包括所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区以及所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，并且所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。3.如权利要求2所述的发光装置，其中所述空穴传输区包括所述由式1表示的胺化合物。4.如权利要求2所述的发光装置，其中所述空穴传输区包括选自所述空穴注入层和所述空穴传输层中的至少一个，并且选自所述空穴注入层和所述空穴传输层中的至少一个包括所述由式1表示的胺化合物。5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包括所述由式1表示的胺化合物。6.如权利要求5所述的发光装置，其中所述发射层包括主体和掺杂剂，所述发射层中所述主体的含量大于所述掺杂剂的含量，并且所述主体包括所述由式1表示的胺化合物。7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发光装置进一步包括位于所述第一电极外侧的第一封盖层和位于所述第二电极外侧的第二封盖层，并且选自所述第一封盖层和所述第二封盖层中的至少一个在589纳米的波长处具有1.6或更高的折射率。8.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括：第一封盖层，所述第一封盖层位于所述第一电极外侧且包括所述由式1表示的胺化合物；第二封盖层，所述第二封盖层位于所述第二电极外侧且包括所述由式1表示的胺化合物；或所述第一封盖层和所述第二封盖层。9.一种由式1表示的胺化合物：式1
其中，在式1中，每个A独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的环己基，n1至n4各自独立地为选自0至3的整数，条件是n1+n2+n3+n4≥1，L1至L3、Ar1和Ar2各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，a1至a3各自独立地为选自0至5的整数，R1和R2各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，b1为选自0至3的整数，b2为选自0至4的整数，并且R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；各自未被取代或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任意组合；各自未被取代或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基或C6‑
C
60
芳硫基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任意组合；或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，其中Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰
基；硝基；C1‑
C
60
烷基；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；或者各自未被取代或被以下取代的C3‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：金珉知，韩相铉，金东俊，朴韩圭，郑恩在，赵素嬉，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：