多环芳香族化合物、有机器件用材料、有机电致发光元件、显示装置及照明装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种多环芳香族化合物、有机器件用材料、有机电致发光元件、显示装置及照明装置。多环芳香族化合物，具有包含下述式(1)所表示的结构单元的一个或两个以上的结构；A环、B环及C环为可经取代的芳基环或杂芳基环，至少一个环为式(Het

【技术实现步骤摘要】
多环芳香族化合物、有机器件用材料、有机电致发光元件、显示装置及照明装置


[0001]本专利技术涉及一种多环芳香族化合物。本专利技术尤其涉及一种包含氮以及硼的多环芳香族化合物。本专利技术另外涉及一种包含所述多环芳香族化合物的有机器件用材料、有机电致发光元件、以及显示装置及照明装置。

技术介绍

[0002]从前，使用进行电致发光的发光元件的显示装置因可实现省电力化或薄型化而得到各种研究，进而，包含有机材料的有机电致发光元件因容易轻量化或大型化而得到积极研究。特别是，关于具有作为光的三原色之一的蓝色等的发光特性的有机材料的开发，以及关于包括空穴、电子等的电荷传输能力(具有成为半导体或超导体的可能性)的有机材料的开发，迄今为止，不论是高分子化合物还是低分子化合物均得到积极研究。
[0003]有机电致发光元件具有如下结构，所述结构包括：包含阳极及阴极的一对电极，以及配置于所述一对电极间、且包含有机化合物的一层或多层。在包含有机化合物的层中，有发光层，或传输或注入空穴、电子等的电荷的电荷传输/注入层等，且开发有对于这些层而言适当的各种有机材料。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多环芳香族化合物，具有包含下述式(1)所表示的结构单元的一个或两个以上的结构；式(1)中，A环、B环及C环分别独立地为可经取代的芳基环或可经取代的杂芳基环，且所述结构中选自由A环、B环及C环所组成的群组中的至少一个环为式(Het
‑
1)或式(Het
‑
2)所表示的环，其中，A环不为式(Het
‑
1)所表示的环，Y1为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si
‑
R或Ge
‑
R，所述Si
‑
R及Ge
‑
R的R为经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基或者经取代或未经取代的环烷基，X1及X2分别独立地为＞O、＞N
‑
R、＞C(
‑
R)2、＞Si(
‑
R)2、＞S或＞Se，所述＞N
‑
R的R为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷基，所述＞C(
‑
R)2及＞Si(
‑
R)2的R分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷基，所述＞C(
‑
R)2及所述＞Si(
‑
R)2的两个R可相互键结而形成环，所述＞N
‑
R的R、所述＞C(
‑
R)2及所述＞Si(
‑
R)2的R可通过连结基或单键而与A环和/或B环、或者A环和/或C环键结，式(Het
‑
1)及式(Het
‑
2)中，X3为＞O、＞N
‑
R、＞C(
‑
R)2、＞S或＞Se，所述＞N
‑
R的R为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基，所述＞C(
‑
R)2的R分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷基，Z
a
中的任一者为N，另一者为N或C
‑
R
Z
，式(Het
‑
1)中，Z
b
为与Y1及X1、或Y1及X2直接键结的碳原子，式(Het
‑
2)中，任一组的连续的两个或三个Z
b
为与式(1)中的Y1以及X1和/或X2直接键结的碳原子，其他Z
b
分别独立地为N或C
‑
R
Z
，或者Z
b
＝Z
b
可分别独立地为＞O、＞N
‑
R、＞C(
‑
R)2、＞Si(
‑
R)2、＞S或＞Se，所述＞N
‑
R、所述＞
C(
‑
R)2及所述＞Si(
‑
R)2的R分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷基，所述＞C(
‑
R)2及所述＞Si(
‑
R)2的两个R可相互键结而形成环，R
Z
为氢或取代基，式(Het
‑
2)中，邻接的两个R
Z
可相互键结而形成环，所形成的环可经取代，所述结构中芳基环或杂芳基环的至少一者可由至少一个环烷烃缩合，所述环烷烃中的至少一个氢可经取代，所述环烷烃中的至少一个
‑
CH2‑
可由
‑
O
‑
取代，所述结构中的至少一个氢可由氰基、卤素或氘取代。2.根据权利要求1所述的多环芳香族化合物，其中Y1为B。3.根据权利要求1或2所述的多环芳香族化合物，其中X1及X2中的任一者为＞N
‑
R，另一者为＞O、＞S、＞N
‑
R、或＞C(
‑
R)2。4.根据权利要求1至3中任一项所述的多环芳香族化合物，其中所述结构中选自由B环及C环所组成的群组中的至少一个环为式(Het
‑
1)所表示的环。5.根据权利要求4所述的多环芳香族化合物，其中式(1)所表示的结构单元为下述式(1
‑
a)、式(1
‑
b)、式(1
‑
i)或式(1
‑
j)的任一者所表示的结构单元；式(1
‑
a)、式(1
‑
b)、式(1
‑
i)及式(1
‑
j)中，Z
a
及Z分别独立地为N或C
‑
R
Z
，其中构成一个环的两个Z
a
中的至少一个为N，R
Z
分别独立地为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基或取代硅烷基，这些中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代，所述二芳基硼基的两个芳基可通过单键或连结基键结，邻接的两个R
Z
可相互键结而形成芳基环或杂芳基环，所形成的芳基环及杂芳基环分别可由芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基、烷基、环烷
基、烷氧基、芳氧基或取代硅烷基取代，这些中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代，所述二芳基硼基的两个芳基可通过单键或连结基键结，Z＝Z可分别独立地为＞O、＞N
‑
R、＞C(
‑
R)2、＞Si(
‑
R)2、＞S或＞Se，所述＞N
‑
R、所述＞C(
‑
R)2及所述＞Si(
‑
R)2的R分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷基，所述＞C(
‑
R)2及所述＞Si(
‑
R)2的两个R可相互键结而形成环，X3为＞O、＞N
‑
R、＞C(
‑
R)2、＞S或＞Se，所述＞N
‑
R的R为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基，所述＞C(
‑
R)2的R分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷基，Y1为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si
‑
R或Ge
‑
R，所述Si
‑
R及Ge
‑
R的R为经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基或者经取代或未经取代的环烷基，X1及X2分别独立地为＞O、＞N
‑
R、＞C(
‑
R)2、＞Si(
‑
R)2、＞S或＞Se，所述＞N
‑
R的R为氢、经取代或未经取代的芳基、...

【专利技术属性】
技术研发人员：畠山琢次，松井晃平，重松和树，
申请(专利权)人：爱思开新材料捷恩智株式会社，
类型：发明
国别省市：