声表面波谐振器、其制造方法和无线电电路技术

在根据一种实施方式的声表面波谐振器中，石英晶体基片包括AT切0

【技术实现步骤摘要】
声表面波谐振器、其制造方法和无线电电路


[0001]本专利技术涉及一种声表面波谐振器、其制造方法以及无线电电路。

技术介绍

[0002]随着诸如移动电话的移动通信设备的发展，存在提高声表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)滤波器性能的要求。在构成这种SAW滤波器的一部分的声表面波谐振器中，要求例如通过提高机电耦合系数K2来扩宽带宽，以及降低频率温度系数(TCF：Temperature Coefficient of Frequency)的绝对值。如在未审查的日本专利申请公开号2018
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026695、2019
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004308和2019
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145920中所披露的，本申请的专利技术人在过去已经开发了压电晶体基片被接合在石英晶体基片上的声表面波谐振器。

技术实现思路

[0003]本申请的专利技术人在具有石英晶体基片的声表面波谐振器的开发中发现了各种问题。从本说明书的描述和附图中，要解决的其他问题和新的特征将得以阐明。
[0004]在根据一种实施方式的声表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振器，包括：石英晶体基片；和IDT电极，所述IDT电极形成于所述石英晶体基片上，其中所述石英晶体基片包括：AT切0
°
X传播第一石英晶体基片；和接合在所述第一石英晶体基片上的Z切第二石英晶体基片，声表面波在第二石英晶体基片中的传播方向从晶体的X轴倾斜27至33
°
、87至93
°
、或者147至153
°
，并且所述第二石英晶体基片的厚度是声表面波的波长的0.2倍至1.0倍。2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其中，所述第二石英晶体基片的厚度是所述波长的0.35倍至0.55倍。3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其中，所述声表面波谐振器还包括接合到所述第二石英晶体基片的5～64
°
Y切X传播LiNbO3基片，其中，所述IDT电极形成于所述LiNbO3基片上。4.根据权利要求3所述的声表面波谐振器，其中，所述LiNbO3基片的厚度是所述波长的0.1倍至0.7倍。5.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其中，所述第二石英晶体基片和所述IDT电极被介电膜覆盖，所述介电膜具有的频率温度系数为负值。6.根据权利要求5所述的声表面波谐振器，其中，所述介电膜为Al2O3膜。7.一种用于制造声表面波谐振器的方法，包括以下步骤：(a)将Z切第二石英晶体基片接合在AT切0
°
X传播第一石英晶体基片上；和(b)在所述第二石英晶体基片上形成IDT电极，其中声表面波在所述第二石英晶体基片中的传播方向从晶体的X轴倾斜27至33
°
、87至93
°
、或者147至153
°
，并且所述第二石英晶体基片的厚度是声表面波的波长的0.2倍至1.0倍。8.根据权利要求7所述的用于制造声表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：岸田和人，垣尾省司，小川健吾，横田裕章，
申请(专利权)人：株式会社日本制钢所，
类型：发明
国别省市：