薄膜箔及制造薄膜箔的方法技术

本发明专利技术提供一种制造薄膜箔的方法，其中，通过真空沉积工艺在基底基板上形成金属薄膜层，以形成厚度为5μm或更小、优选地为2μm或更小的超薄膜箔。本发明专利技术提供的制造薄膜箔的方法包括：准备具有剥离性能的基底基板；准备金属原料；通过在基底基板上真空沉积金属原料以在基底基板上形成金属层；以及将基底基板与金属层分离以形成薄膜箔，其中，准备BeCu合金、Cu

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜箔及制造薄膜箔的方法


[0001]本公开涉及薄膜箔及制造该薄膜箔的方法，更具体地，涉及用作二次电池的负极材料的薄膜箔及制造该薄膜箔的方法。

技术介绍

[0002]随着对环保车辆的需求的增加，车辆制造商一直在开发各种类型的环保车辆，例如混合动力车辆、氢动力车辆和电动车辆。
[0003]电动车辆是使用电力作为动力源并具有内置电池来存储电力的环保车辆。电动车辆需要大容量电池来进行稳定的长距离运行。然而，随着电池的容量增加，电池的体积和重量也会增加，因此在具有有限安装空间的车辆中难以轻易地增加电池的容量，并且充电时间也会增加。
[0004]因此，为了使电动车辆的实际使用，重量轻、紧凑型且充电时间短的电池是必不可少的。由于电池是通过交替堆叠由涂覆有活性材料的薄膜箔(铜箔)形成的负极和正极材料构成的，因此薄膜箔越薄，活性材料越多，从而使电池的重量和体积最小化。
[0005]电池制造商正在进行研究以最小化薄膜箔的厚度，从而减小电池的重量和尺寸。

技术实现思路

[0006]技术问题
[0007]鉴于以上提出了本公开，并且本公开的目的是提供一种薄膜箔和制造该薄膜箔的方法，其中，通过溅射工艺在基底基板上形成金属薄膜层以制造厚度为5μm或更小、优选为2μm或更小的超薄膜箔。
[0008]另外，本公开的另一目的是提供一种薄膜箔和制造该薄膜箔的方法，其中，通过溅射工艺在基底基板上依次溅射第一金属原料和第二金属原料来形成具有多层结构的金属层。
[0009]另外，本公开的另一目的是提供一种薄膜箔和制造该薄膜箔的方法，其中，通过在由具有优异的剥离性能的材料制成的基底基板上进行溅射形成薄金属层，以促进超薄膜箔的分离和转移。
[0010]技术方案
[0011]为了实现上述目的，根据本公开的示例性实施例的制造薄膜箔的方法包括：准备具有剥离性能的基底基板；准备金属原料；通过在基底基板上真空沉积金属原料来在基底基板上形成金属层；以及将基底基板与金属层分离以形成薄膜箔。
[0012]在准备基底基板的步骤中，可以准备特氟隆膜、涂覆特氟隆的聚酰亚胺(PI)、聚酰亚胺(PI)、溅射滑移合金的铝箔、涂覆硅的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和硅膜中的一种作为基底基板。
[0013]在准备金属原料的步骤中，可以准备BeCu合金、Cu
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Ag
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Cr三元合金、Ag合金、CuMo合金和CuFeP合金中的一种作为金属原料。
[0014]准备金属原料的步骤包括准备第一金属原料的步骤，其中，在准备第一金属原料的步骤中，可以准备铜、BeCu合金、Cu
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Ag
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Cr三元合金、Ag合金、CuMo合金和CuFeP合金中的一种作为第一金属原料。
[0015]准备金属原料的步骤还包括准备第二金属原料的步骤，其中，在准备第二金属原料的步骤中，可以准备镍铜合金、铜钼合金和因瓦合金中的一种作为第二金属原料。
[0016]在形成金属层的步骤中，可以交替地真空沉积第一金属原料和第二金属原料以形成具有多个层的金属层。
[0017]在形成金属层的步骤中，可以形成铜层和镍铜合金层重复堆叠的金属层。
[0018]在形成金属层的步骤中，可以形成铜层和铜钼合金层重复堆叠的金属层。
[0019]在形成金属层的步骤中，可以形成铜层和因瓦合金层重复堆叠的金属层。
[0020]在通过在基底基板上真空沉积金属原料来在基底基板上形成金属层的步骤中，可以通过用疏水等离子体处理基底基板并在疏水等离子体处理的基底基板上真空沉积金属原料，以在基底基板上形成金属层。
[0021]在通过在基底基板上真空沉积金属原料来在基底基板上形成金属层的步骤中，可以通过用丙烯酸类粘合剂和聚氨酯类粘合剂中的一种粘合剂涂覆基底基板并在该粘合剂上真空沉积金属原料，以在基底基板上形成金属层。
[0022]在通过在基底基板上真空沉积金属原料来在底基板上形成金属层的步骤中，金属层可以形成为具有5μm或更小的厚度。
[0023]一种薄膜箔，可以由厚度为5μm或更小的金属层形成，其中，金属层包括BeCu合金、Cu
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Ag
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Cr三元合金、Ag合金、CuMo合金以及Cu和CuFeP合金中的至少一种。
[0024]金属层可以形成为单层或多层结构。
[0025]技术效果
[0026]根据本公开，在制造薄膜箔的方法中，通过在基底基板上溅射包括BeCu合金、Cu
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Ag
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Cr三元合金、Ag合金、CuMo合金和CuFeP合金中的至少一种的金属原料来形成金属薄膜层，使得可以制造厚度为5μm或更小、优选为2μm或更小的超薄膜箔。
[0027]此外，在制造薄膜箔的方法中，通过准备铜作为第一金属原料、准备镍铜合金、铜钼合金和因瓦合金中的一种作为第二金属原料，以及通过溅射工艺在基底基板上依次溅射第一金属原料和第二金属原料，形成具有多层结构的金属层，使得可以制造厚度为5μm或更小、优选为2μm或更小的超薄膜箔。
[0028]此外，在制造薄膜箔的方法中，将特氟隆膜、涂覆特氟隆的聚酰亚胺(PI)、溅射滑移合金的铝箔和涂覆硅的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)中的一种配置为基底基板，并且在基底基板上通过溅射形成薄金属层，是的可以容易地分离和转移超薄膜箔。
附图说明
[0029]图1是示出根据本公开的第一实施例的制造薄膜箔的方法的流程图。
[0030]图2是示出根据本公开的第二实施例的制造薄膜箔的方法的流程图。
[0031]图3是示出通过根据本公开的第二实施例的制造薄膜箔的方法制造的薄膜箔的配置图。
[0032]图4是示出根据本公开的第三实施例的制造薄膜箔的方法的流程图。
[0033]图5是示出根据本公开的第四实施例的制造薄膜箔的方法的流程图。
[0034]图6是示出根据本公开的第五实施例的制造薄膜箔的方法的流程图。
[0035]图7是示出通过根据本公开的第五实施例的制造薄膜箔的方法制造的薄膜箔的配置图。
[0036]图8是通过根据本公开的第一实施例的制造薄膜箔的方法制造的BeCu薄膜箔的放大15000倍的聚焦离子束与扫描电子显微镜(FIB
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SEM)断层成像。
[0037]图9是通过根据本公开的第一实施例的制造薄膜箔的方法制造的BeCu薄膜箔的放大50000倍的FIB
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SEM断层成像。
[0038]图10是通过根据本公开的第一实施例的制造薄膜箔的方法制造的Cu薄膜箔放大15000倍的FIB
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SEM断层成像。
[0039]图11是通过根据本公开的第一实施例的制造薄膜箔的方法制造的Cu薄膜箔的放大50000倍的FIB
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SEM断层成像。
[0040]图12是通过根据本公开的第二实施例的制造薄膜箔的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造薄膜箔的方法，所述方法包括以下步骤：准备具有剥离性能的基底基板；准备金属原料；通过在所述基底基板上真空沉积所述金属原料来在所述基底基板上形成金属层；以及将所述基底基板与所述金属层分离以形成薄膜箔。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述准备基底基板的步骤中，准备特氟隆膜、涂覆特氟隆的聚酰亚胺(PI)、聚酰亚胺(PI)、溅射滑移合金的铝箔、涂覆硅的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和硅膜中的一种作为所述基底基板。3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述准备金属原料的步骤中，准备BeCu合金、Cu
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Ag
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Cr三元合金、Ag合金、CuMo合金和CuFeP合金中的一种作为所述金属原料。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述准备金属原料的步骤包括准备第一金属原料的步骤，其中，在所述准备第一金属原料的步骤中，准备铜、BeCu合金、Cu
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Ag
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Cr三元合金、Ag合金、CuMo合金和CuFeP合金中的一种作为所述第一金属原料。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述准备金属原料的步骤还包括准备第二金属原料的步骤，其中，在所述准备第二金属原料的步骤中，准备镍铜合金、铜钼合金和因瓦合金中的一种作为第二金属原料。6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述形成金属层的步骤中，交替地真空沉积所述第一金属原料和所述第二金属原料以形成具有多个层的金属层。7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：段成伯，
申请(专利权)人：阿莫绿色技术有限公司，
类型：发明
国别省市：