具有固定沟槽体积的化学机械平坦化垫制造技术

本发明专利技术涉及一种化学机械抛光垫，其包括第一材料的表面部分。所述表面部分包括多个沟槽。所述沟槽的第一部分为位于所述化学机械抛光垫的表面处的暴露沟槽。所述沟槽的第二部分为嵌入所述化学机械抛光垫的表面下方的埋入式沟槽，使得在使用所述化学机械抛光垫期间，所述埋入式沟槽中的一个或多个在所述表面处暴露。暴露。暴露。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有固定沟槽体积的化学机械平坦化垫
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请根据35U.S.C.
§
119要求于2019年5月7日提交的名称为“Chemical mechanical planarization pads via continuous liquid interface production”的美国临时申请No.62/844,196和于2019年10月25日提交的名称为“Chemical mechanical planarization pads with constant groove volume”的美国临时申请No.62/926,192的优先权，将其各自的内容通过引用引入本文中。


[0003]本专利技术总体上涉及用于化学机械抛光中的抛光垫，且更具体地涉及具有固定沟槽体积的化学机械抛光垫。

技术介绍

[0004]通常通过在硅晶圆上依序沉积导电层、半导体层和/或绝缘层而在基板上形成集成电路。多种制造方法需要对基板上的这些层中的至少一个进行平坦化。举例而言，对于某些应用(例如抛光金属层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.化学机械抛光垫，包括：包括第一材料的表面部分，所述表面部分包括多个沟槽，其中：所述沟槽的第一部分为位于所述化学机械抛光垫的表面处的暴露的沟槽；和所述沟槽的第二部分为嵌入所述化学机械抛光垫的表面下方的埋入式沟槽，使得在使用所述化学机械抛光垫期间，所述埋入式沟槽中的一个或多个在所述表面处暴露。2.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其中所述化学机械抛光垫构造成使得在使用所述化学机械抛光垫期间，所述暴露的沟槽的体积保持在预定的范围内。3.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其中所述埋入式沟槽的至少一部分经由通道流体耦接至其他埋入式沟槽和所述化学机械抛光垫的表面。4.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，进一步包括：多个垂直通道，其从所述化学机械抛光垫的表面至少延伸至水平排放通道；和水平排放通道，其构造成允许流体从所述表面流至所述化学机械抛光垫的外部边缘。5.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，进一步包括从所述化学机械抛光垫的底表面延伸至所述化学机械抛光垫的表面下方的多个垂直通道，其中每一个垂直通道均填充有第二材料。6.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其中所述多个沟槽中的第一子集具有第一宽度且所述多个沟槽中的第二子集具有大于所述第一宽度的第二宽度。7.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，其中使用基于缸的增材制造方法制备所述化学机械抛光垫。8.如权利要求1所述的化学机械抛光垫，包括至少三层埋入式沟槽。9.化学机械抛光晶圆的方法，所述方法包括：提供化学机械抛光垫，其包括：包括第一材料的表面部分，所述表面部分包括多个沟槽，其中：所述沟槽的第一部分为位于所述化学机械抛光垫的表面处的暴露的沟槽；和所述沟槽的第二部分为嵌入所述化学机械抛光垫的表面下方的埋入式沟槽，使得在使用所述化学机械抛光垫期间，所述埋入式沟槽中的一个或多个在所述表面处暴露；旋转所述化学机械抛光垫；和使所述晶圆与旋转的化学机械抛光垫接触。10.如权利要求9所述的方法，其中在使所...

【专利技术属性】
技术研发人员：PA勒费夫尔，D施密特，J李，ES莫耶，H霍奇斯，
申请(专利权)人：CMC材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：