移相器及天线制造技术

本发明专利技术提供一种移相器及天线，属于通信技术领域。本发明专利技术的移相器，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的介质层；第一基板包括：第一基底，设置在第一基底靠近介质层一侧的第一电极层；第二基板包括第二基底，设置在第二基底靠近介质层一侧的第二电极层和参考电压引入端，参考电压引入端与第二电极层连接；第一电极层和第二电极层中的一者包括主体结构、连接在主体结构长度方向上的分支结构；当第一电极层包括主体结构和分支结构时，分支结构背离主体结构的一端与第二电极层在第一基底上的正投影重叠；当第二电极层包括主体结构和分支结构时，分支结构背离主体结构的一端与第一电极层在第一基底上的正投影重叠。的正投影重叠。的正投影重叠。

【技术实现步骤摘要】
移相器及天线


[0001]本专利技术属于通信
，具体涉及一种移相器及天线。

技术介绍

[0002]现今的液晶移相器结构，在对盒后的上玻璃基板引入周期性的贴片电容加载，可变电容的调节是通过调节异面两金属板上加载的电压差驱动液晶分子偏转，得到不同的液晶材料特性，对应到电容的容值可变。共表面波导(CPW) 结构因其接地电极和信号电极在同一平面内，更易于结构的连接设计，可以省掉玻璃打孔的功能需求。
[0003]液晶盒内的CPW的信号电极与加载的周期贴片电容形成交叠电容，在两个平面形成电压差，该结构需要盒内贴片电容连接信号电极一侧接地电极，形成电流回路。目前的贴片电容和接地电极的导通方式是通过添加比盒厚稍大的金属球来实现，但由于掺杂浓度的限制，且粒子位置难以精准控制，特定区域的导电特性可控性较低。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种移相器及天线。
[0005]解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种移相器，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的介质层；其中，
[0006]所述第一基板包括：第一基底，设置在第一基底靠近所述介质层一侧的第一电极层；所述第二基板包括：第二基底，设置在所述第二基底靠近所述介质层一侧的第二电极层和参考电压引入端，所述参考电压引入端与所述第二电极层连接；
[0007]所述第一电极层和所述第二电极层中的一者包括：主体结构，以及连接在所述主体结构长度方向上的分支结构；
[0008]当所述第一电极层包括主体结构和分支结构时，所述分支结构背离所述主体结构的一端与所述第二电极层在所述第一基底上的正投影重叠；
[0009]当所述第二电极层包括主体结构和分支结构时，所述分支结构背离所述主体结构的一端与所述第一电极层在所述第一基底上的正投影重叠。
[0010]可选地，所述第一电极层包括主体结构和分支结构；所述主体结构包括：沿其长度方向延伸、且相对设置第一侧和第二侧；所述分支结构包括：连接在所述主体结构第一侧的第一分支结构，以及连接在所述主体结构第二侧的第二分支结构；
[0011]所述第二电极层包括：间隔设置的第一参考电极和第二参考电极；所述参考电压引入端与所述第一参考电极和所述第二参考电极连接；其中，
[0012]所述主体结构在所述第一基底上的正投影，被限定在所述第一参考电极和所述第二参考电极在所述第一基底上的正投影之间；
[0013]所述第一参考电极与所述第一分支结构背离所述主体结构的一端，在所述第一基底的正投影重叠；
[0014]所述第二参考电极与所述第二分支结构背离所述主体结构的一端，在所述第一基
底的正投影重叠。
[0015]可选地，所述第二电极层包括主体结构和分支结构；所述主体结构包括：第一主体结构和第二主体结构；所述分支结构包括：第一分支结构和第二分支结构；其中，
[0016]所述第一分支结构连接在所述第一主体结构长度方向、且靠近所述第二主体结构的一侧；所述第二分支结构连接在所述第二主体结构长度方向、且靠近所述第一主体结构的一侧；
[0017]所述参考电压引入端与所述第一主体结构和所述第二主体结构连接；
[0018]所述第一电极层在所述第一基底上的正投影，被限定在所述第一主体结构和所述第二主体结构在所述第一基底上的正投影之间；
[0019]所述第一电极层与所述第一分支结构背离所述第一主体结构的一端，以及与第二分支结构背离所述第二主体结构的一端，在所述第一基底上的正投影重叠。
[0020]可选地，所述第一分支结构和所述第二分支结构一一对应设置，且对应设置的第一分支结构和第二分支结构连接为一体成型结构。
[0021]可选地，所述第二电极层包括主体结构和分支结构；其中，仅在所述主体结构长度方向、靠近所述第一电极层的一侧设置有所述分支结构，且所述分支结构靠近所述第一电极层的一端与所述第一电极层的在所述第一基底上的正投影重叠；所述参考电压引入端与所述主体结构连接。
[0022]可选地，所述第一电极层包括主体结构和分支结构；所述主体结构包括：沿其长度方向延伸、且相对设置第一侧和第二侧；所述分支结构包括：连接在所述主体结构第一侧的第一分支结构，以及连接在所述主体结构第二侧的第二分支结构；
[0023]所述第二电极层包括：间隔设置的第一参考电极和第二参考电极，以及连接在所述第一参考电极靠近所述第二参考电极一侧的第三分支结构，连接在所述第二参考电极靠近所述第一参考电极一侧的第四分支结构；
[0024]所述参考电压引入端与所述第一参考电极和所述第二参考电极连接；
[0025]所述主体结构在所述第一基底上的正投影，被限定在所述第一参考电极和所述第二参考电极在所述第一基底上的正投影之间；
[0026]所述第一分支结构与所述第三分支结构一一对应设置，且在所述第一基底的正投影至少部分重叠；
[0027]所述第二分支结构与所述第四分支结构一一对应设置，且在所述第一基底的正投影至少部分重叠。
[0028]可选地，所述第一电极层包括主体结构和分支结构；其中，仅在所述分支结构长度方向上的一侧连接有分支结构；所述第二电极层包括：参考电极，以及连接所述参考电极靠近所述分支结构一侧的第三分支结构；且所述分支结构与所述第三分支结构一一对应设置，且二者在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；所述参考电压引入端与所述参考电极连接。
[0029]可选地，所述参考电压引入端包括地信号引入端。
[0030]可选地，
[0031]所述参考电压引入端通过信号连接线与所述第二电极层连接；其中，
[0032]所述信号连接线与所述参考电压引入端同层设置，且材料相同；或者，所述信号连
接线与所述第二电极层同层设置，且材料相同。
[0033]可选地，所述主体结构和所述分支结构为一体成型结构。
[0034]可选地，位于所述主体结构同一侧的分支结构按照周期性排布。
[0035]可选地，所述介质层包括液晶分子。
[0036]解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种天线，其包括上述的移相器。
附图说明
[0037]图1为本专利技术实施例的第一种具体实现方式的液晶移相器的俯视图；
[0038]图2为图1的液晶移相器的截面图；
[0039]图3为本专利技术实施例的第一种具体实现方式的另一种液晶移相器的俯视图；
[0040]图4为本专利技术实施例的第二种具体实现方式的液晶移相器的俯视图；
[0041]图5为图4的液晶移相器的截面图；
[0042]图6为本专利技术实施例的第二种具体实现方式的另一种液晶移相器的俯视图；
[0043]图7为本专利技术实施例的第三种具体实现方式的液晶移相器的俯视图；
[0044]图8为图7的液晶移相器的截面图；
[0045]图9为本专利技术实施例的第四种具体实现方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种移相器，其特征在于，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的介质层；其中，所述第一基板包括：第一基底，设置在所述第一基底靠近所述介质层一侧的第一电极层；所述第二基板包括：第二基底，设置在所述第二基底靠近所述介质层一侧的第二电极层；所述第一电极层和所述第二电极层构成共面波导传输线；所述第一电极层和所述第二电极层中的一者包括：主体结构，以及连接在所述主体结构长度方向上的分支结构；当所述第一电极层包括主体结构和分支结构时，所述分支结构背离所述主体结构的一端与所述第二电极层在所述第一基底上的正投影重叠；当所述第二电极层包括主体结构和分支结构时，所述分支结构背离所述主体结构的一端与所述第一电极层在所述第一基底上的正投影重叠。2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一电极层包括主体结构和分支结构；所述主体结构包括：沿其长度方向延伸、且相对设置第一侧和第二侧；所述分支结构包括：连接在所述主体结构第一侧的第一分支结构，以及连接在所述主体结构第二侧的第二分支结构；所述第二电极层包括：间隔设置的第一参考电极和第二参考电极；其中，所述主体结构在所述第一基底上的正投影，被限定在所述第一参考电极和所述第二参考电极在所述第一基底上的正投影之间；所述第一参考电极与所述第一分支结构背离所述主体结构的一端，在所述第一基底的正投影重叠；所述第二参考电极与所述第二分支结构背离所述主体结构的一端，在所述第一基底的正投影重叠。3.根据权利要求2所述的移相器，其特征在于，所述第一分支结构和所述第二分支结构的数量均为多个；其中，多个所述第一分支结构中的至少两个和所述第一参考电极在所述第一基底上的正投影的交叠面积不同；和/或，多个所述第二分支结构中的至少两个和所述第二参考电极在所述第一基底上的正投影交叠面积不同。4.根据权利要求2所述的移相器，其特征在于，所述第一分支结构和所述第二分支结构的数量均为多个；其中，多个所述第一分支结构在所述主体结构的长度方向上的长度相同，至少两个所述第一分支结构与所述第一参考电极在所述第一基底上的正投影，在垂直于所述主体结构的长度方向上的长度不同；和/或，多个所述第二分支结构在所述主体结构的长度方向上的长度相同，至少两个所述第二分支结构与所述第二参考电极在第一基底上的正投影，在垂直于所述主体结构的长度方向上的长度不同。5.根据权利要求2所述的移相器，其特征在于，所述第一分支结构和所述第二分支结构
的数量均为多个；其中，多个所述第一分支结构在垂直于所述主体结构的长度方向上的长度相同，至少两个所述第一分支结构与所述第一参考电极在第一基底上的正投影，在所述主体结构的长度方向上的长度不同；和/或，多个所述第二分支结构在垂直于所述主体结构的长度方向上的长度相同，至少两个所述第二分支结构与所述第二参考电极在所述第一基底上的正投影，在所述主体结构的长度方向上的长度不同。6.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第二电极层包括主体结构和分支结构；所述主体结构包括：第一主体结构和第二主体结构；所述分支结构包括：第一分支结构和第二分支结构；其中，所述第一分支结构连接在所述第一主体结构长度方向、且靠近所述第二主体结构的一侧；所述第二分支结构连接在所述第二主体结构长度方向、且靠近所述第一主体结构的一侧；所述第一电极层在所述第一基底上的正投影，被限定在所述第一主体结构和所述第二主体结构在所述第一基底上的正投影之间；所述第一电极层与所述第一分支结构背离所述第一主体结构的一端，以及与第二分支结构背离所述第二主体结构的一端，在所述第一基底上的正投影重叠。7.根据权利要求6所述的移相器，其特征在于，所述第一分支结构和所述第二分支结构的数量均为多个；其中，多个所述第一分支结构中的至少两个和所述第一电极层在所述第一基底上的正投影的交叠面积不同；和/或，多个所述第二分支结构中的至少两个和所述第一电极层在所述第一基底上的正投影交叠面积不同。8.根据权利要求6所述的移相器，其特征在于，所述第一分支结构和所述第二分支结构的数量均为多个；其中，多个所述第一分支结构在所述第一主体结构的长度方向上的长度相同，至少两个所述第一分支结构与所述第一电极层在所述第一基底上的正投影，在垂直于所述第一主体结构的长度方向上的长度不同；和/或，多个所述第二分支结构在所述第二主体结构的长度方向上的长度相同，至少两个所述第二分支结构与所述第一电极层在所述第一基底上的正投影，在垂直于所述第二主体结构的长度方向上的长度不同。9.根据权利要求2所述的移相器，其特征在于，所述第一分支结构和所述第二分支结构的数量均为多个；其中，多个所述第一分支结构在垂直于所述第一主体结构的长度方向上的长度相同，至少两个所述第一分支结构与所述第一电极层在所述第一基底上的正投影，在所述第一主体结构的长度方向上的长度不同；和/或，多个所述第二分支结构在垂直于所述第二主体结构的长度方向上的长度相同，至少两个所述第二分支结构与所述第一电极层在所述第一基底上的正投影，在所述第二主体结构的长度方向上的长度不同。
10.根据权利要求6所述的移相器，其特征在于，所述第一分支结构和所述第二分支结构一一对应设置，且对应设置的第一分支结构和第二分支结构连接为一体成型结构。11.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一电极层包括主体结构和分支结构；所述主体结构包括：沿其长度方向延伸、且相对设置第一侧和第二侧；所述分支结构包括：连接在所述主体结构第一侧的第一分支结构，以及连接在所述主体结构第二侧的第二分支结构；所述第二电极层包括：间隔设置的第一参考电极和第二参考电极，以及连接在所述第一参考电极靠近所述第二参考电极一侧的第三分支结构，连接在所述第二参考电极靠近所述第一参考电极一侧的第四分支结构；所述主体结构在所述第一基底上的正投影，被限定在所述第一参考电极和所述第二参考电极在所述第一基底上的正投影之间；所述第一分支结构与所述第三分支结构一一对应设置，且在所述第一基底的正投影至少部分重叠；所述第二分支结构与所述第四分支结构一一对应设置，且在所述第一基底的正投影至少部分重叠。12.根据权利要求11所述的移相器，其特征在于，所述第一分支结构、第二分支结构、第三分支结构、第四分支结构的数量均为多个；其中，至少两个所述第一分支结构分别和与之对应设置的所述第三分支结构在所述第一基底上的正投影的交叠面积不同；和/或，至少两个所述第二分支结构分别和与之对应设置的所述第四分支结构在所述第一基底上的正投影的交叠面积不同。13.根据权利要求11所述的移相器，其特征在于，所述第一分支结构、第二分支结构、第三分支结构、第四分支结构的数量均为多个；其中，多个所述第一分支结构和多个所述第三分支结构在所述主体结构长度方向上的长度相同，至少两个第一分支结构分别和与之对应的所述第三分支结构在所述第一基底上的正投影，在垂直于所述主体结构长度方向上的长度不同；和/或，多个所述第二分支结构和多个所述第四分支结构在所述主体结构长度方向上的长度相同，至少两个第二分支结构分别和与之对应的所述第四分支结构在所述第一基底上的正投影，在垂直于所述主体结构长度方向上的长度不同。14.根据权利要求11所述的移相器，其特征在于，所述第一分支结构、第二分支结构、第三分支结构、第四分支结构的数量均为多个；其中，多个所述第一分支结构和多个所述第三分支结构在垂直于所述主体结构长度方向上的长度相同，至少两个第一分支结构分别和与之对应的所述第三分支结构在所述第一基底上的正投影，在所述主体结构长度方向上的长度不同；和/或，多个所述第二分支结构和多个所述第四分支结构在垂直于所述主体结构长度方向上的长度相同，至少两个第二分支结构分别和与之对应的所述第四分支结构在所述第一基底上的正投影，在所述主体结构长度方向上的长度不同。15.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第二电极层包括主体结构和分支结构；其中，仅在所述主体结构长度方向、靠近所述第一电极层的一侧设置有所述分支结
构，且所述分支结构靠近所述第一电极层的一端与所述第一电极层的在所述第一基底上的正投影重叠。16.根据权利要求15所述的移相器，其特征在于，所述分支结构的数量为多个；其中，多个所述分支结构中的至少两个和所述第一电极层在所述第一基底上的正投影的交叠面积不同。17.根据权利要求15所述的移相器，其特征在于，所述分支结构的数量为多个；其中，多个所述分支结构在所述主体结构长度方向上的长度相同，至少两个所述分支结构和所述第一电极层在所述第一基底上的正投影，在垂直于所述主体结构长度方向上的长度不同。18.根据权利要求15所述的移相器，其特征在于，所述分支结构的数量为多个；其中，多个所述分支结构在垂直于所述主体结构长度方向上的长度相同，至少两个所述分支结构和所述第一电极层在所述第一基底上的正投影，在所述主体结构长度方向上的长度不同。19.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一电极层包括主体结构和分支结构；其中，仅在所述分支结构长度方向上的一侧连接有分支结构；所述第二电极层包括：参考电极，以及连接所述参考电极靠近所述分支结构一侧的第三分支结构；且所述分支结构与所述第三分支结构一一对应设置，且二者在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；所述参考电压引入端与所述参考电极连接。20.根据权利要求19所述的移相器，其特征在于，所述分支结构和第三分支结构的数量均为多个；其中，至少两个所述分支结构分别和与之对应设置的所述第三分支结构在所述第一基底上的正投影的交叠面积不同。21.根据权利要求19所述的移相器，其特征在于，所述分支结构和第三分支结构的数量均为多个；其中，多个所述分支结构和多个所述第三分支结构在所述主体结构长度方向上的长度相同，至少两个分支结构分别和与之对应的所述第三分支结构在所述第一基底上的正投影，在垂直于所述主体结构长度方向上的长度不同。22.根据权利要求19所述的移相器，其特征在于，所述分支结构和第三分支结构的数量均为多个；其中，多个所述分支结构和多...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐粹伟，武杰，丁天伦，王瑛，贾皓程，李亮，李强强，车春城，
申请(专利权)人：北京京东方传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：