用于分裂硅片的划片装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用于分裂硅片的划片装置，划片装置包括：划片平台、至少一个激光器，硅片适于放置在所述划片平台上，所述激光器设在所述划片平台的上方，所述激光器发射出的激光与所述划片平台的上表面之间的夹角为θ，其中，所述θ满足：θ≠90

【技术实现步骤摘要】
用于分裂硅片的划片装置


[0001]本技术涉及硅片制造
，尤其是涉及一种用于分裂硅片的划片装置。

技术介绍

[0002]在现有的相关技术中，为了实现对硅片的切割，以使其形成半片，将硅片置于划片平台上通过激光器发出的激光对其进行切割，然后经过液体的冷却，通过这种让硅片内部被切割区域的结构应力发生改变，实现对硅片的无损切割。但是，由于激光器发出的激光射入硅片的表面以及硅片本身较高的表面反射率，硅片会将大部分的能量反射回激光器的位置，进而形成对激光器的损伤，影响激光器的使用寿命。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种用于分裂硅片的划片装置。
[0004]根据本技术实施例的用于分裂硅片的划片装置包括：划片平台、至少一个激光器，硅片适于放置在所述划片平台上，所述激光器设在所述划片平台的上方，所述激光器发射出的激光与所述划片平台的上表面之间的夹角为θ，其中，所述θ满足：θ≠90
°
。
[0005]由此，激光器位于划片平台的上方，且激光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于分裂硅片的划片装置，其特征在于，包括：划片平台，硅片适于放置在所述划片平台上；至少一个激光器，所述激光器设在所述划片平台的上方，所述激光器发射出的激光与所述划片平台的上表面之间的夹角为θ，其中，所述θ满足：θ≠90
°
。2.根据权利要求1所述的用于分裂硅片的划片装置，其特征在于，所述θ进一步满足：45
°
≤θ≤85
°
。3.根据权利要求1所述的用于分裂硅片的划片装置，其特征在于，所述激光器为多个，每个所述激光器发射出的激光与所述划片平台的上表面之间的夹角均为θ。4.根据权利要求2所述的用于分裂硅片的划片装置，其特征在于，多个所述激光器包括开槽激光器和热裂激光器。5.根据权利要求4所述的用于分裂硅片的划片装置，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟观发，刘祖辉，吴华德，吴坚，蒋方丹，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：