一种高压同步整流桥制造技术

本实用新型专利技术提出了一种高压同步整流桥，包括三相桥式整流电路，所述三相桥式整流电路包括上桥臂和下桥臂，所述上桥臂和下桥臂分别包括控制芯片和MOS管，所述上桥臂中的控制芯片与下桥臂中的控制芯片电路相同，所述上桥臂和下桥臂中的MOS管分别设置有若干个，所述上桥臂和下桥臂中的控制芯片分别与上桥臂和下桥臂中的MOS管一一对应且电性连接用于控制所连接上桥臂的MOS管的工作状态，借此，本实用新型专利技术具有降低使用成本、提高效率、降低发热量、安全可靠的优点。可靠的优点。可靠的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种高压同步整流桥


[0001]本技术属于整流电路
，特别涉及一种高压同步整流桥。

技术介绍

[0002]目前，市面上几乎所有的二相、三相整流桥都是用二极管组合而成，大部分整流桥二极管压降约700mV,即使使用低VT的肖特基二极管压降也约有400mV，如图1所示二极管压降大，发热高，当输出需要大功率供电时发热特别严重。

技术实现思路

[0003]本技术提出一种高压同步整流桥，解决了现有技术中大功率供电时发热严重的问题。
[0004]本技术的技术方案是这样实现的：一种高压同步整流桥，包括三相桥式整流电路，三相桥式整流电路包括上桥臂和下桥臂，上桥臂和下桥臂分别包括控制芯片和MOS管，上桥臂中的控制芯片与下桥臂中的控制芯片电路相同，上桥臂和下桥臂中的MOS管分别设置有若干个，上桥臂和下桥臂中的控制芯片分别与上桥臂和下桥臂中的MOS管一一对应且电性连接用于控制所连接上桥臂的MOS管的工作状态。
[0005]作为一种优选的实施方式，上桥臂中的MOS管包括依次电性连接的MOSFET器件M1、MOSFET器件M2和MOSFET器件M3，下桥臂包括依次电性连接的MOSFET器件M4、MOSFET器件M5和MOSFET器件M6，MOSFET器件M1与MOSFET器件M4电性连接，MOSFET器件M2与MOSFET器件M5电性连接，MOSFET器件M3与MOSFET器件M6管通过电阻R电性连接。
[0006]作为一种优选的实施方式，MOSFET器件M1的源极与MOSFET器件M4电性连接漏极电性连接，MOSFET器件M2的源极与MOSFET器件M5电性连接漏极电性连接，MOSFET器件M3的源极与MOSFET器件M46电性连接漏极电性连接。
[0007]作为一种优选的实施方式，控制芯片包括依次电性连接的采样电路、信号处理电路和逻辑线性驱动电路。
[0008]作为一种优选的实施方式，采样电路包括VCC端和SR端、VCC同时电性连接PMOS管栅极、源极R5，高压MOS管N1栅极电性连接电阻R5、PMOS管的漏极、高压MOS管N2的栅极、电阻R1、高压MOS管N1的漏极和电容C1，高压MOS管N1的源极电性连接稳压二极管Z1的正极，SR端电性连接电阻R1、电阻R2和电阻R3，电阻R2电性连接高压MOS管N2漏极，高压MOS管N2源极电性连接稳压二极管Z2的正极，电阻R3电性连接电阻R4和稳压二极管Z3的正极，C1电性连接二极管Z1的负极、二极管Z2的负极、二极管Z3的负极、电阻R4和接地，高压MOS管N1和N2的源极分别电性连接LDI端、SRS端作为采样到的电压值。
[0009]作为一种优选的实施方式，逻辑线性驱动电路包括并联的MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4、MOS管P5、MOS管P6和MOS管P7，MOS管P6和MOS管P7之间并联有MOS管N5，MOS管P1、MOS管P2的漏极分别电性连接有MOS管N1和MOS管N2，MOS管P5的漏极电性连接有MOS管N3，MOS管P6的漏极电性连接有MOS管N4，MOS管N4的漏极电性连接MOS管P8，MOS管P1的源极
分别并联有MOS管P10和MOS管P9，MOS管P10和MOS管P9的漏极分别串联有MOS管N7和MOS管N6，MOS管N1的源极依次并联有MOS管N9和MOS管N8，MOS管N9和MOS管N8的漏极分别串联有MOS管P12和MOS管P11，MOS管P1的漏极电性连接有DRV端，MOS管N5的源极和MOS管P8的源极分别与DRV端电性连接，MOS管P7的漏极与DRV端电性连接。
[0010]作为一种优选的实施方式，信号处理电路包括运算放大器U1、运算放大器U2、运算放大器U3、信号处理模块、欠压保护电路和VCC端，运算放大器U1、运算放大器U2和运算放大器U3均与MOSFET器件的源漏电压差电性连接，运算放大器U1、运算放大器U2和运算放大器U3上分别电性连接有第一参考电压
‑
260mV、第二参考电压
‑
40mV和第三参考电压
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12mV，信号处理模块电性连接欠压保护电路、运算放大器U1、运算放大器U2和运算放大器U3，欠压保护电路电性连接VCC电源。
[0011]采用了上述技术方案后，本技术的有益效果是：
[0012]三相桥式整流电路上下桥臂控制部分电路完全相同，三相桥式整流电路内上下桥臂的MOSFET器件与上下管控制电路呈一一对应连接配合，以通过控制电路控制所连接上桥臂的MOSFET器件的工作状态，能对全MOS管整流桥上下桥臂进行自适应控制，提高器件的使用寿命，降低使用成本，提高效率，降低发热量，安全可靠。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1为本技术
技术介绍
的电路图；
[0015]图2为本技术的电路图；
[0016]图3为本技术的原理框图；
[0017]图4为图3中采样电路的电路图；
[0018]图5为图3中逻辑线性驱动电路的电路图；
[0019]图6为本技术同步整流的工作原理图；
[0020]图7为信号处理电路的示意图。
[0021]图中，M1～M6
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MOSFET器件；R～R5
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电阻；N1～N9
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MOS管；P1～P12
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MOS管；U1～U3
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原酸放大器。
具体实施方式
[0022]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0023]如图2～图7所示，一种高压同步整流桥，包括三相桥式整流电路，三相桥式整流电路包括上桥臂和下桥臂，上桥臂和下桥臂分别包括控制芯片和MOS管，上桥臂中的控制芯片与下桥臂中的控制芯片电路相同，上桥臂和下桥臂中的MOS管分别设置有若干个，上桥臂和
下桥臂中的控制芯片分别与上桥臂和下桥臂中的MOS管一一对应且电性连接用于控制所连接上桥臂的MOS管的工作状态。
[0024]一种同步整流桥，其由控制芯片和MOS管组成三相桥式整流电路。其中，控制芯片包括采样电路、信号处理电路、延时保护电路、基准电路、欠压锁定电路、逻辑线性驱动电路，三相上下桥臂控制部分电路完全相同，三相桥式整流电路内上下桥臂的MOSFET器件与上下管控制电路呈一一对应连接配合，以通过控制电路控制所连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压同步整流桥，其特征在于，包括三相桥式整流电路，所述三相桥式整流电路包括上桥臂和下桥臂，所述上桥臂和下桥臂分别包括控制芯片和MOS管，所述上桥臂中的控制芯片与下桥臂中的控制芯片电路相同，所述上桥臂和下桥臂中的MOS管分别设置有若干个，所述上桥臂和下桥臂中的控制芯片分别与上桥臂和下桥臂中的MOS管一一对应且电性连接用于控制所连接上桥臂的MOS管的工作状态。2.根据权利要求1所述的一种高压同步整流桥，其特征在于，所述上桥臂中的MOS管包括依次电性连接的MOSFET器件M1、MOSFET器件M2和MOSFET器件M3，所述下桥臂包括依次电性连接的MOSFET器件M4、MOSFET器件M5和MOSFET器件M6，所述MOSFET器件M1与MOSFET器件M4电性连接，所述MOSFET器件M2与MOSFET器件M5电性连接，所述MOSFET器件M3与MOSFET器件M6管通过电阻R电性连接。3.根据权利要求2所述的一种高压同步整流桥，其特征在于，所述MOSFET器件M1的源极与MOSFET器件M4电性连接漏极电性连接，所述MOSFET器件M2的源极与MOSFET器件M5电性连接漏极电性连接，所述MOSFET器件M3的源极与MOSFET器件M46电性连接漏极电性连接。4.根据权利要求1所述的一种高压同步整流桥，其特征在于，所述控制芯片包括依次电性连接的采样电路、信号处理电路和逻辑线性驱动电路。5.根据权利要求4所述的一种高压同步整流桥，其特征在于，所述逻辑线性驱动电路包括并联的MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4、MOS管P5、MOS管P6和MOS管P7，所述MOS管P6和MOS管P7之间并联有MOS管N5，所述MOS管P1、MOS管P2的漏极分别电性连接有MOS管N1和MOS管N2，所述MOS管P5的漏极电性连接有MOS管N3，所述MOS管P6的漏极电性连接有MOS管N4，所述MOS管N4的漏极电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊，张明超，
申请(专利权)人：无锡迈尔斯通集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：