【技术实现步骤摘要】
一种测试MPCVD设备真空漏率的方法、装置和介质
[0001]本申请涉及MPCVD设备
，特别是涉及一种测试MPCVD设备真空漏率的方法、装置和介质。
技术介绍
[0002]微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)是目前国际上被用于高品质金刚石膜制备的首选方法。MPCVD装置将微波发生器产生的微波经波导传输系统进入反应器，并通入甲烷与氢气的混合气体，在微波的激发下，在反应室内产生辉光放电，使反应气体的分子离化，产生等离子体，在基板台上沉积得到金刚石膜。
[0003]在使用MPCVD设备进行金刚石合成的过程中，如果设备漏气，将会使合成的金刚石中掺有杂质，影响金刚石的品质。
[0004]现有技术使用氦质谱检漏仪，根据质谱学原理，用氦气作为示漏气体，对MPCVD设备的腔体进行气密性检测。利用质谱室里的灯丝发射出来的电子，在室内来回地振荡，并与室内气体和经漏孔进入室内的氦气相互碰撞使其电离成正离子，这些氦粒子在加速电场作用下通过磁场和接收缝到达接收极而被检测。
[0005]然而，氦质谱检漏仪的整套设备价...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种测试MPCVD设备真空漏率的方法，其特征在于，包括：金刚石在MPCVD设备中生长前，记录金刚石的开始生长时间t1，测试金刚石的第一红外光谱，并得到所述第一红外光谱中氮的特征峰的第一吸收系数；根据所述第一吸收系数，得到金刚石生长前的氮含量Ns1；金刚石在MPCVD设备中生长后，记录金刚石的结束生长时间t2，测试金刚石的第二红外光谱，并得到所述第二红外光谱中氮的特征峰的第二吸收系数；根据所述第二吸收系数，得到金刚石生长后的氮含量Ns2；根据Ns1和Ns2，计算金刚石生长过程中混入的氮原子量
△
Ns；根据t1、t2和
△
Ns，计算MPCVD设备的真空漏率。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一吸收系数包括：所述第一红外光谱中1130cm
‑1波数处的吸收系数U1和2120cm
‑1波数处的吸收系数U2；所述第二吸收系数包括：所述第二红外光谱中1130cm
‑1波数处的吸收系数U3和2120cm
‑1波数处的吸收系数U4。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述得到所述第一红外光谱中氮的特征峰的第一吸收系数包括：根据所述第一红外光谱，得到1290cm
‑1波数处的红外光谱强度A1和1370cm
‑1波数处的红外光谱强度A2；根据A1和A2，得到U1：根据所述第一红外光谱，得到2030cm
‑1波数处的红外光谱强度A3、2160cm
‑1波数处的红外光谱强度A4和2120cm
‑1波数处的红外光谱强度A5；根据A3、A4和A5，得到U2：4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述得到所述第二红外光谱中氮的特征峰的第二吸收系数包括：根据所述第二红外光谱，得到1290cm
‑1波数处的红外光谱强度A6和1370cm
‑1波数处的红外光谱强度A7；根据A6和A7，得到U3：根据所述第二红外光谱，得到2030cm
‑1波数处的红外光谱强度A8、2160cm
‑1波数处的红外光谱强度A9和2120cm
‑1波数处的红外光谱强度A10；根据A8、A9和A10，得到U4：5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹光宇，彭国令，苗建国，冯文强，范旅龙，
申请(专利权)人：长沙新材料产业研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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