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本申请涉及一种测试MPCVD设备真空漏率的方法、装置和介质，该方法包括：金刚石在MPCVD设备中生长前，记录金刚石的开始生长时间t1，测试金刚石的第一红外光谱，并得到第一红外光谱中氮的特征峰的第一吸收系数；根据第一吸收系数，得到金刚石生长前...
该专利属于长沙新材料产业研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长沙新材料产业研究院有限公司授权不得商用。

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