一种吸收电路及电子设备制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种吸收电路及电子设备。其中，吸收电路包括：单向钳位型过压保护器件和容性元件，容性元件和单向钳位型过压保护器件串联；容性元件和单向钳位型过压保护器件串联后的第一端与吸收电路的第一保护端电连接；容性元件和单向钳位型过压保护器件串联后的第二端与吸收电路的第二保护端电连接。本实用新型专利技术实施例提供的技术方案可以实现对过冲能量的有效吸收。对过冲能量的有效吸收。对过冲能量的有效吸收。

【技术实现步骤摘要】
一种吸收电路及电子设备


[0001]本技术涉及电路
，尤其涉及一种吸收电路及电子设备。

技术介绍

[0002]缓冲电路(Snubber Circuit)又称吸收电路，它是电力电子器件的一种重要的保护电路，不仅用于半控型器件的保护，而且在电力晶体管(Giant Transistor， GTR)、门极可断晶闸管(gate turn
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off thyristor，简称GTO)、MOS管(metal oxidesemiconductor，金属氧化物半导体场效应管)或IGBT管(Insulated Gate BipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)等全控型器件的应用技术中，起着更重要的作用。
[0003]开关电源中的开关管在快速开关的时候，会导致非常高的电压上升率 DV/DT，线路存在分布电感，会与电容形成震荡，导致开关管两侧会产生过冲电压，开关管容易被击穿，采用阻容串联型吸收电路，来吸收过冲电压，因为电阻是线性器件，过大不利于吸收，过小自身的电容会与电路分布电感震荡。

技术实现思路

[0004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种吸收电路，其特征在于，包括：单向钳位型过压保护器件；容性元件，所述容性元件和所述单向钳位型过压保护器件串联；所述容性元件和所述单向钳位型过压保护器件串联后的第一端与所述吸收电路的第一保护端电连接；所述容性元件和所述单向钳位型过压保护器件串联后的第二端与所述吸收电路的第二保护端电连接。2.根据权利要求1所述的吸收电路，其特征在于，所述吸收电路还包括：二极管和阻性元件；所述二极管和所述阻性元件并联；所述容性元件、所述单向钳位型过压保护器件和所述二极管串联；所述容性元件、所述单向钳位型过压保护器件和所述二极管串联后的第一端与所述吸收电路的第一保护端电连接；所述容性元件、所述单向钳位型过压保护器件和所述二极管串联后的第二端与所述吸收电路的第二保护端电连接；所述单向钳位型过压保护器件沿所述吸收电路的第一保护端到第二保护端的方向为钳位方向；所述二极管沿所述吸收电路的第一保护端到第二保护端的方向为导通方向。3.根据权利要求2所述的吸收电路，其特征在于，所述二极管包括肖特基二极管，所述阻性元件包括电阻。4.根据权利要求1所述的吸收电路，其特征在于，所述单向钳位型过压保护器件包括单向瞬态抑制二极管，所述容性元件包括电容。...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈能文，陈国源，周垠群，
申请(专利权)人：深圳市槟城电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：